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公开(公告)号：CN101328615B
公开(公告)日：2010-10-13
申请号：CN200810072867.2
申请日：2008-04-28
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发制备II-VI族半导体化合物CdTe纳米结构的方法。通过使用金属Bi粉末做催化剂，以CdTe粉末为原料，在真空度为2×10-2×10-3Pa的真空环境下，热蒸发原料，在衬底上催化生长纳米结构的CdTe薄膜。该方法操作简单易行，无需载气，具有沉积面积大、形貌较均匀、适用于多种衬底的特点。
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公开(公告)号：CN101328615A
公开(公告)日：2008-12-24
申请号：CN200810072867.2
申请日：2008-04-28
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发制备Ⅱ－Ⅵ族半导体化合物CdTe纳米结构的方法。通过使用金属Bi粉末做催化剂，以CdTe粉末为原料，在真空度为2×10－2－2×10－3Pa的真空环境下，热蒸发原料，在衬底上催化生长纳米结构的CdTe薄膜。该方法操作简单易行，无需载气，具有沉积面积大、形貌较均匀、适用于多种衬底的特点。
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公开(公告)号：CN101549889B
公开(公告)日：2010-11-10
申请号：CN200910113270.2
申请日：2009-03-26
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明提供一种利用赤铁矿湿法合成超微磁性四氧化三铁黑色粉体的方法，该方法是通过以下工艺过程实现的：①将赤铁矿石原矿简单机械球磨后，得到赤铁矿粉末(含铁64％)②将以上赤铁矿粉和氢氧化钠按质量为1∶0.5～1∶2.5分散到乙二醇溶液中，然后倒入聚四氟乙烯内衬套上钢套，置于温度160～200℃的热源保温16～24小时.④自然或用冷水冷却到室温，收集母液后，反复清洗沉淀物，用永磁体收集到黑色四氧化三铁磁性粉体。母液可重复利用。本发明直接利用赤铁矿原矿湿法制备出高纯超微四氧化三铁磁性黑色粉体，产物具有颗粒均匀、分散性好、结晶度好高、黑度好等优点，可以广泛应用于涂料、建筑、塑料着色、油墨、印刷材料，密封、锂电池材料等相关行业；原料价格低廉，且工艺简单，易于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN101823769A
公开(公告)日：2010-09-08
申请号：CN201010168154.3
申请日：2010-05-11
Applicant: 新疆大学
IPC: C01G51/00
Abstract: 本发明公开了一种水热合成三元FexCo1-xS2粉末的方法，是通过以下工艺过程实现的：按摩尔比为1∶19∶40-3∶17∶40将分析纯的FeCl2·4H2O、CoCl2·6H2O和Na2S2O3·5H2O溶入35ml去离子水中，经磁子搅拌器搅拌15min使得反应物充分溶解且均匀混合。将混合液移入50ml反应釜中，密闭反应釜后置于140℃恒温箱中，反应时间为24h，取出反应釜后自然冷却至室温。滤出釜底沉淀物，用无水乙醇(CH3CH2OH)和去离子水清洗数次，并用二硫化碳(CS2)洗去产物中S杂质，最后在60℃下真空干燥6小时。本发明制备出的三元FexCo1-xS2粉末为具黄铁矿结构的微米颗粒。本发明方法简单，成本低，污染少，适合工业大规模生产。
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公开(公告)号：CN101514482A
公开(公告)日：2009-08-26
申请号：CN200910113235.0
申请日：2009-02-25
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发法生长单晶II－VI族半导体化合物ZnS单晶纳米线的方法，是通过以下工艺过程实现的：将ZnS粉和金属Bi粉或Sn粉按摩尔比为1∶0.005－1∶0.057的比例均匀混合作为原料，置于钼片制成的电阻加热舟中，并在舟上方1.0厘米－3.5厘米处放置各种衬底。密闭蒸发炉，当真空蒸发炉腔体达到2×10－2－7×10－3Pa，加热舟电流为120A－140A保持5－15分钟沉积。本发明制备出的硫化锌纳米线为单晶态的六方相结构的ZnS。本发明所得的硫化锌单晶纳米线具有适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀的特点；本发明的方法简单，易于推广，适合大规模的工业生产。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN101397149B
公开(公告)日：2011-06-08
申请号：CN200810072976.4
申请日：2008-10-23
Applicant: 新疆大学
IPC: C01G11/02
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发生长II-VI族半导体化合物CdS纳米棒的方法，是通过以下工艺过程实现的：将CdS粉末和金属Bi粉末按摩尔比为1：0.01-1：0.35的比例均匀混合作为原料，置于钼片制成的电阻加热舟中，并在舟上方3毫米-3厘米处放置各种衬底。当内置上述蒸发沉积系统的真空蒸发炉腔体达到2×10-2-2×10-3Pa的真空环境后，密闭蒸发炉，电阻加热舟通电流为100-180A保持5-15分钟进行蒸发沉积。本发明制备出的硫化镉纳米棒为晶态的六方相结构的CdS。本发明所得的硫化镉纳米棒具有适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀的特点；本发明的方法简单，易于推广，适合大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN101549889A
公开(公告)日：2009-10-07
申请号：CN200910113270.2
申请日：2009-03-26
Applicant: 新疆大学
IPC: C01G49/08
Abstract: 本发明提供一种利用赤铁矿湿法合成超微磁性四氧化三铁黑色粉体的方法，该方法是通过以下工艺过程实现的：①将赤铁矿石原矿简单机械球磨后，得到赤铁矿粉末(含铁64％)②将以上赤铁矿粉和氢氧化钠按质量为1∶0.5～1∶2.5分散到乙二醇溶液中，然后倒入聚四氟乙烯内衬套上钢套，置于温度160～200℃的热源保温16～24小时.④自然或用冷水冷却到室温，收集母液后，反复清洗沉淀物，用永磁体收集到黑色四氧化三铁磁性粉体。母液可重复利用。本发明直接利用赤铁矿原矿湿法制备出高纯超微四氧化三铁磁性黑色粉体，产物具有颗粒均匀、分散性好、结晶度好高、黑度好等优点，可以广泛应用于涂料、建筑、塑料着色、油墨、印刷材料，密封、锂电池材料等相关行业；原料价格低廉，且工艺简单、易于大规模工业化生产。
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公开(公告)号：CN101693550B
公开(公告)日：2012-01-04
申请号：CN200910113485.4
申请日：2009-10-19
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发生长II-VI族半导体化合物CdO纳米线束的方法，是通过以下工艺过程实现的：将CdO粉末和金属Bi粉末按摩尔比为1∶0.02-1∶0.3的比例均匀混合作为原料，置于钼片为材料制成的电阻加热舟中，并在舟上方3毫米-4厘米处放置各种衬底。密闭蒸发炉，当内置上述蒸发沉积系统的真空蒸发炉腔体达到2×10-2-5×10-3Pa的真空环境后，电阻加热舟通电流为110-180A，保持5-15分钟进行蒸发沉积。本发明制备出的氧化镉纳米棒为晶态的立方相结构的CdO。且所得的氧化镉纳米线束具有适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀的特点；本发明的方法简单，易于推广，适合大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN101693528A
公开(公告)日：2010-04-14
申请号：CN200910113486.9
申请日：2009-10-19
Applicant: 新疆大学
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助下真空热蒸发法生长ZnSe单晶纳米线的方法，是通过以下工艺过程实现的：将ZnSe粉和金属Bi粉按摩尔比为1∶0.008-1∶0.06的比例均匀混合作为原料，置于钼片为材料制成的电阻加热舟中，并在舟上方1.0厘米-3.0厘米处放置各种衬底。密闭蒸发炉，当真空蒸发炉真空度达到3×10-2-6×10-3Pa，加热舟电流为110A-140A保持5-15分钟沉积即可得到ZnSe单晶纳米线。本发明制备出的硒化锌纳米线为单晶态的立方相结构的ZnSe。本发明的特点是：所得的硒化锌单晶纳米线具有适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀、方法简单、易于推广且适合大规模的工业生产。
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公开(公告)号：CN101397149A
公开(公告)日：2009-04-01
申请号：CN200810072976.4
申请日：2008-10-23
Applicant: 新疆大学
IPC: C01G11/02
Abstract: 本发明公开了一种催化剂辅助真空热蒸发生长II－VI族半导体化合物CdS纳米棒的方法，是通过以下工艺过程实现的：将CdS粉末和金属Bi粉末按摩尔比为1∶0.01－1∶0.35的比例均匀混合作为原料，置于钼片制成的电阻加热舟中，并在舟上方3毫米－3厘米处放置各种衬底。当内置上述蒸发沉积系统的真空蒸发炉腔体达到2×10－2－2×10－3Pa的真空环境后，密闭蒸发炉，电阻加热舟通电流为100－180A保持5－15分钟进行蒸发沉积。本发明制备出的硫化镉纳米棒为晶态的六方相结构的CdS。本发明所得的硫化镉纳米棒具有适用于多种衬底、沉积面积大、形貌较均匀的特点；本发明的方法简单，易于推广，适合大规模的工业生产。
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