公开(公告)号：CN102403333B

公开(公告)日：2015-12-09

申请号：CN201110288831.X

申请日：2011-09-13

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  波多野薰

IPC: H01L27/32 ,  H01L29/786 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/3262 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/3248 ,  H01L27/3258 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326 ,  H01L2251/5338

Abstract: 本发明提供一种制造发光显示设备的方法，其中用于电连接像素电极和晶体管的源电极和漏电极之一的接触孔以及用于处理半导体层的接触孔同时形成。该方法有助于减少光学成像步骤。晶体管包括其中形成沟道形成区的氧化物半导体层。

公开(公告)号：CN101847601B

公开(公告)日：2014-07-16

申请号：CN201010159502.0

申请日：2010-03-26

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 波多野薰 ,  永田贵章 ,  鹤目卓也

IPC: H01L21/782 ,  H01L21/77 ,  H01L51/54 ,  H01L51/56

CPC classification number: H01L51/56 ,  H01L27/3211 ,  H01L27/3246 ,  H01L2227/323 ,  H01L2227/326

Abstract: 一种发光装置的制造方法，包括：在衬底上形成分离层；在所述分离层上形成半导体电路元件层和第一电极；形成重叠于第一电极的端部的隔断墙；在第一电极上形成有机物层；有机物层的发同一种颜色的光的有机物层相邻地排列为一列，并且沿第一方向延伸；在有机物层上形成第二电极，该第二电极接触于隔断墙并使用与隔断墙的紧贴性强的材料而形成；以及在垂直于第一方向的第二方向上通过分离层从衬底分离包含半导体电路元件层、第一电极、隔断墙、有机物层和第二电极的叠层结构。

公开(公告)号：CN102402082A

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN201110283656.5

申请日：2011-09-09

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平 ,  波多野薰

IPC: G02F1/1362 ,  G02F1/1368 ,  G02F1/1333 ,  H01L27/02 ,  H01L21/77

CPC classification number: H01L27/124 ,  G02F1/1333 ,  G02F1/1343 ,  G02F1/136213 ,  G02F1/136227 ,  G02F2001/136231 ,  G02F2201/50 ,  H01L27/1225 ,  H01L27/1259 ,  H01L29/24 ,  H01L29/78618 ,  H01L29/7869 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明提供一种制造液晶显示设备的方法，其中用于电连接像素电极与晶体管的源电极和漏电极之一的接触孔以及用于处理半导体层的接触孔同时形成。该方法有助于减少光学成像步骤。晶体管包括其中形成有沟道形成区的氧化物半导体层。