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公开(公告)号：CN103252714A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310158460.2
申请日：2008-10-28
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/32
CPC classification number: B24B37/32
Abstract: 一种抛光设备用于将诸如半导体晶片的基板抛光到平坦镜面光洁度。该抛光设备包括具有抛光表面的抛光台、设置成用于保持基板以及使基板压靠所述抛光表面的顶环本体、设置在所述顶环本体的外周部分并且设置成用于压靠所述抛光表面的保持环、以及固定到所述顶环本体并且设置成用于与所述保持环的环部件滑动接触从而引导所述环部件的运动的保持环引导部。环部件与保持环引导部的相互滑动接触的滑动接触表面中的任意一个包括低摩擦材料。
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公开(公告)号：CN101934491A
公开(公告)日：2011-01-05
申请号：CN201010267843.X
申请日：2005-10-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B29/00 , H01L21/304 , B24B49/02 , B24B53/12 , B24B41/047
CPC classification number: B24B37/20 , B24B37/005 , B24B37/10 , B24B37/105 , B24B37/30 , B24B37/32 , B24B47/22 , B24B49/00 , B24B49/16
Abstract: 抛光设备(1)具有抛光垫(22)、用于夹持半导体晶片(W)的顶环(20)、可操作地沿垂直方向移动顶环(20)的垂直运动机构(24)、当顶环(20)的下表面接触抛光垫(22)时可操作地检测顶环(20)的距离测量传感器(46)、可操作地基于距离测量传感器(46)检测到的位置计算顶环(20)抛光半导体晶片(W)的最佳位置的控制器(47)。垂直运动机构(24)包括可操作地将顶环(20)移动到最佳位置的滚珠丝杆机构(30，32，38，42)。
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公开(公告)号：CN101474771A
公开(公告)日：2009-07-08
申请号：CN200910003370.X
申请日：2004-02-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B29/00 , B24B37/04 , H01L21/683 , H01L21/304
Abstract: 本发明涉及一种用于衬底保持装置中的弹性部件，其包括与衬底接触的接触部分以及与所述接触部分和所述衬底保持装置的可垂直移动部件相连的周壁，所述周壁能够在所述接触部分与所述衬底保持接触的同时垂直伸展和收缩。本发明还涉及具有所述弹性部件的衬底抛光装置和衬底抛光方法，所述衬底抛光方法包括：通过具有压力腔室的顶环保持衬底；使所述衬底与抛光表面滑动接触，同时将流体供给到所述压力腔室中，以将压力施加到所述衬底上；停止所述流体供给；通过真空抽吸将所述衬底吸附到所述顶环上；将所述顶环与所述衬底一起移动到传送位置；以及通过将流体喷射到所述衬底上使所述衬底脱离所述顶环。
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公开(公告)号：CN100468643C
公开(公告)日：2009-03-11
申请号：CN200480003897.8
申请日：2004-02-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: H01L21/304 , B24B37/04
Abstract: 本发明涉及一种在将衬底抛光至平整光面的抛光装置中用于保持衬底(W)、例如半导体晶片的衬底保持装置。该衬底保持装置包括一个可垂直移动部件(6)和一个用于限定一腔室(22)的弹性部件(7)。所述弹性部件(7)包括一与所述衬底(W)接触的接触部分(8)和一从所述接触部分(8)向上延伸并与所述可垂直移动部件(6)相连的周壁(9)。所述周壁(9)具有一可垂直伸展和收缩的可伸缩部分(40)。
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公开(公告)号：CN101230481A
公开(公告)日：2008-07-30
申请号：CN200710181850.6
申请日：2003-03-25
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C25F3/00 , C25F7/00 , H01L21/3063
Abstract: 提供一种例如能省略CMP处理本身，或者既能尽量减小CMP处理的负荷、又能把设置在基片表面上的导电性材料加工成平整状态，并且还能除去(清洗)附着在基片等被加工物的表面上的附着物的电解加工装置，其特征在于具有：电极部，并列地布置了多个电极部件，电极部件包括电极和对电极的表面进行覆盖的离子交换体；保持部，保持被加工物，使被加工物与电极部件的离子交换体自如接触或接近；以及电源，连接到电极部的各电极部件的电极，电极部件的离子交换体具有：表面平滑性良好的离子交换体、以及离子交换容量大的离子交换体。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN100346009C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN03802888.3
申请日：2003-01-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C25F3/00 , C25F7/00 , B23H3/02 , H01L21/3063
CPC classification number: C25F3/00 , C25F7/00 , H01L21/3063 , H01L21/32134
Abstract: 本发明涉及一种电解加工装置和方法，其用于加工形成在基片特别是半导体晶片的表面上的导电材料，或用于去除粘着在基片表面上的杂质。电解加工装置包括一个可以接近工件的加工电极、一个用于向工件供电的供电电极、一个布置在工件与加工电极和供电电极之间的空间中的离子交换器、一个用于向工件与离子交换器之间供应流体的流体供应部、一个电源，其中加工电极和/或供电电极被电学分隔为多个电极部分，电源向每个分隔的电极部分施加电压，并且对每个分隔的电极部分独立地控制电压和/或电流。
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公开(公告)号：CN100346008C
公开(公告)日：2007-10-31
申请号：CN02827689.2
申请日：2002-11-29
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C25F3/00 , B23H3/10 , H01L21/3063 , B01J49/00
Abstract: 一种用于再生离子交换剂的方法与设备，该方法与设备能够方便、快速地再生一种离子交换剂，并能够使清洗该已再生的离子交换剂以及处理废液时的负荷最小。一种用于再生被污染的离子交换剂的方法包括：提供由一个再生电极与一个反电极构成的一对电极、放置在这些电极之间的一个隔板以及放置在该反电极与该隔板之间的一个要被再生的电极；以及将电压加到该再生电极与该反电极之间，与此同时，将液体供应到该隔板与该再生电极之间，而且也将液体供应到该隔板与该反电极之间。
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公开(公告)号：CN1625612A
公开(公告)日：2005-06-08
申请号：CN03802888.3
申请日：2003-01-31
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: C25F3/00 , C25F7/00 , B23H3/02 , H01L21/3063
CPC classification number: C25F3/00 , C25F7/00 , H01L21/3063 , H01L21/32134
Abstract: 本发明涉及一种电解加工装置和方法，其用于加工形成在基片特别是半导体晶片的表面上的导电材料，或用于去除粘着在基片表面上的杂质。电解加工装置包括一个可以接近工件的加工电极、一个用于向工件供电的供电电极、一个布置在工件与加工电极和供电电极之间的空间中的离子交换器、一个用于向工件与离子交换器之间供应流体的流体供应部、一个电源，其中加工电极和/或供电电极被电学分隔为多个电极部分，电源向每个分隔的电极部分施加电压，并且对每个分隔的电极部分独立地控制电压和/或电流。
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公开(公告)号：CN110815034B
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN201910718837.2
申请日：2019-08-05
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , B24B37/10 , B24B37/30 , B24B37/34 , B24B41/00 , B24B49/00 , B24B49/16 , B24B55/06 , B24B57/02 , F17D1/065 , F17D3/01 , H01L21/02 , H01L21/67
Abstract: 本发明提供能更高精度地判定基板吸附的基板保持装置及具备该基板保持装置的基板研磨装置，另外，提供能更高精度地判定基板吸附的基板吸附判定方法及利用该基板吸附判定方法的基板研磨方法。基板保持装置具备：顶环主体，能安装具有能吸附基板的面的弹性膜，当安装弹性膜时，在弹性膜与顶环主体之间形成多个区域；第一管线，与多个区域中的第一区域连通；第二管线，与多个区域中的与第一区域不同的第二区域连通；压力调整单元，能经由第一管线而送入流体对第一区域加压，并能经由第二管线使第二区域为负压；及判定部，基于送入到第一区域的流体的体积或与第一区域的压力对应的测定值进行基板是否吸附于弹性膜的判定，在判定(56)对比文件CN 106466806 A,2017.03.01CN 107199503 A,2017.09.26JP 2013111679 A,2013.06.10
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公开(公告)号：CN113329845B
公开(公告)日：2023-07-25
申请号：CN201980090127.8
申请日：2019-12-04
Applicant: 株式会社荏原制作所
IPC: B24B37/005 , H01L21/304 , G06N3/02 , G06F17/15
Abstract: 本发明将基板处理装置的多个参数调节为提高基板处理装置的性能值。具有：第一人工智能部，该第一人工智能部针对多个第一学习数据集分别进行学习，该多个第一学习数据集将参数类别的组合相互不同的参数的组作为输入值，并将对应的基板处理装置的性能值作为输出值，该第一人工智能部在学习后，将多个验证用数据集分别作为输入，来预测性能值，所述多个验证用数据集的参数类别的组合与学习时通用；选择部，该选择部使用表示预测的该性能值的正确回答的比例的值、该学习所花费的时间及该第一人工智能部预测性能值所需的时间中的至少一个，从该多个验证用数据集中所包含的多个参数类别的组中选择一个参数类别的组；以及第二人工智能部，该第二人工智能部使用多个第二学习数据集进行学习，该多个第二学习数据集将由选择出的该参数类别的组构成的过去的参数值的组作为输入值，并将对应的过去的性能值作为输出值，该第二人工智能部在学习后，将由选择出的该参数类别的组构成的参数中的按每个基板处理装置必然确定的固定参数作为输入，在使由选择出的该参数类别的组构成的参数中的可变的参数变化的情况下预测该基板处理装置的性能值，并输出预测出的性能值中的、该性能值满足提取基准的参数值的组合。
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