公开(公告)号：CN113134785B

公开(公告)日：2024-05-14

申请号：CN202110042947.9

申请日：2021-01-13

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 小畠严贵 ,  安田穗积 ,  矢内昭夫 ,  高桥信行 ,  中村贵正 ,  坂田桂介 ,  高田畅行 ,  八木裕治 ,  高田泰弘 ,  渡边和英

IPC分类号： B24B37/11 ,  B24B37/27 ,  B24B37/34 ,  B24B47/12 ,  B24B47/20 ,  B24B47/22 ,  B24B49/12

摘要： 提供一种能够精密控制晶片、基板、面板等工件的膜厚轮廓的研磨头系统。研磨头系统具备：具有将多个按压力施加于工件(W)的多个压电元件(47)的研磨头(7)；及决定应施加于多个压电元件(47)的电压的多个指令值的动作控制部(10)。

公开(公告)号：CN110663103B

公开(公告)日：2023-06-06

申请号：CN201880034573.2

申请日：2018-05-02

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 福永明 ,  渡边和英 ,  小畠严贵 ,  辻村学

IPC分类号： H01L21/304 ,  B24B37/00

摘要： 本发明的目的在于使具有凹凸的基板平坦化。本发明提供一种对基板进行化学机械性研磨的方法，该方法具有：使用处理液来研磨基板的步骤；及变更有助于基板的研磨的所述处理液的有效成分浓度的步骤。

公开(公告)号：CN113352229A

公开(公告)日：2021-09-07

申请号：CN202110253439.5

申请日：2021-03-05

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 森浦拓也 ,  外崎宏 ,  曾根忠一 ,  伊藤雅佳 ,  小畠严贵 ,  松尾尚典 ,  寺田哲也

IPC分类号： B24B37/10 ,  B24B37/34 ,  B24B57/02 ,  B24B41/02 ,  H01L21/306

摘要： 本发明提供一种研磨装置、处理系统和研磨方法，该研磨装置包含：研磨台，该研磨台用于支承研磨垫；研磨头，该研磨头用于保持基板；以及研磨液供给装置，该研磨液供给装置用于向研磨垫与基板之间供给研磨液，研磨装置通过在研磨液的存在下使研磨垫与基板接触并相互旋转运动，从而进行基板的研磨，研磨液供给装置具有多个研磨液供给口，该多个研磨液供给口在相对于基板配置在研磨垫的旋转上游侧的状态下，在与研磨垫的旋转方向交叉的方向上排列，研磨液供给装置以从多个研磨液供给口供给的研磨液成为规定的流量分布的方式供给研磨液。

公开(公告)号：CN106256016A

公开(公告)日：2016-12-21

申请号：CN201580020452.9

申请日：2015-04-17

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 小畠严贵 ,  八木圭太 ,  渡边和英 ,  盐川阳一 ,  丸山彻 ,  高桥信行

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/304 ,  H01L21/683

摘要： 本发明是改善使用CARE法的基板处理装置。一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而研磨基板的被处理区域，具备：基板保持部，被构成为保持基板；催化剂保持部，被构成为保持催化剂；以及驱动部，被构成为在基板的被处理区域与催化剂接触的状态下，使基板保持部与催化剂保持部相对移动。催化剂比基板小。

公开(公告)号：CN105428275A

公开(公告)日：2016-03-23

申请号：CN201510579253.3

申请日：2015-09-11

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 山口都章 ,  水野稔夫 ,  小畠严贵

IPC分类号： H01L21/67 ,  H01L21/306 ,  B24B37/013 ,  B24B39/06

摘要： 本发明的处理模块、处理装置及处理方法提高处理对象物的研磨处理面的研磨精度。上侧处理模块(300A)通过一边使直径小于晶圆(W)的研磨垫(502)与晶圆(W)接触，一边使晶圆(W)与研磨垫(502)相对运动来进行研磨处理。上侧处理模块(300A)包括对进行研磨处理之前或者研磨处理实施过程中的晶圆(W)的研磨处理面的状态进行检测的状态检测部(910)，以及根据由状态检测部(910)检测到的研磨处理面的状态对晶圆(W)的研磨处理面的一部分的研磨处理的条件进行控制的控制部(920)。

公开(公告)号：CN104552008A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410566888.5

申请日：2014-10-22

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 渡边博光 ,  山口都章 ,  小畠严贵 ,  和田雄高

IPC分类号： B24B57/02 ,  B01D35/02

CPC分类号： B24B57/00 ,  B24B37/04 ,  B24B37/34

摘要： 一种研磨方法以及研磨装置。在该研磨方法中一边将通过过滤器(14)的研磨液供给到研磨垫(1)上、一边使基板(W)与研磨垫(1)滑动接触而对该基板(W)进行研磨，一边增加作为研磨液的物理量的研磨液的流量及压力中的某一方直至所述物理量达到规定的设定值、一边使研磨液通过过滤器(14)，一边将通过过滤器(14)的研磨液供给到研磨垫(1)上、一边在研磨垫(1)上对基板(W)进行研磨。采用本发明，可防止粗大粒子被排出到研磨垫上的现象，同时可对基板进行研磨。

公开(公告)号：CN101168847A

公开(公告)日：2008-04-30

申请号：CN200710148276.4

申请日：2007-09-04

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 小寺章 ,  当间康 ,  铃木作 ,  斋藤孝行 ,  小畠严贵

IPC分类号： C25F3/16 ,  H01L21/3063 ,  H01L21/465

CPC分类号： C25F3/16 ,  C25F3/22

摘要： 一种用于电解抛光的电解液，在施加低电压时其可以提供具有高平整特性的加工表面，同时保证对导电材料的较高的加工速率，并且可以去除不必要的导电材料并暴露阻挡膜，而不导致碟陷、过蚀或阻挡膜和金属(导电材料)之间的界面处的蚀刻。用于工件的表面导电材料的电解抛光的电解液由水溶液构成，其包括至少一种有机酸或其盐、至少一种具有磺酸基的强酸、缓蚀剂和水溶性聚合物化合物。

公开(公告)号：CN1313648C

公开(公告)日：2007-05-02

申请号：CN02102704.8

申请日：2002-01-23

申请人： 株式会社荏原制作所 ,  森勇藏

发明人： 森勇藏 ,  白樫充彦 ,  当间康 ,  小畠严贵 ,  齐藤孝行

IPC分类号： C25F1/06 ,  C25F1/04

摘要： 一种电化学加工设备，包括：一个加工室，用来容纳超纯净水；一个阴极/阳极，浸在加工室内的超纯净水中；以及一个工件保持器，用来将工件保持在距离阴极/阳极的一个预定距离上，使工件的加工表面与超纯净水相接触。这种电化学加工设备还包括：一个阳极/阴极接触面，与被工件保持器所保持的工件相接触，从而，工件起阳极/阴极的作用；一种催化剂，具有强碱性阴离子交换功能或强酸性阳离子交换功能；一个电源，用来在阴极/阳极与工件之间施加一个电压；以及一个运动机构，用来使工件和催化剂实现相对运动。催化剂是设置在阴极/阳极与被工件保持器所保持的工件之间。

公开(公告)号：CN111584354B

公开(公告)日：2021-09-03

申请号：CN202010459633.4

申请日：2015-04-17

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 小畠严贵 ,  八木圭太 ,  渡边和英 ,  盐川阳一 ,  丸山彻 ,  高桥信行

IPC分类号： H01L21/306 ,  H01L21/3105 ,  H01L21/311 ,  H01L21/321 ,  H01L21/3213 ,  H01L21/66 ,  H01L21/67 ,  H01L21/677 ,  H01L21/683 ,  B24B37/04 ,  B24B37/20

摘要： 蚀刻方法。本发明是改善使用CARE法的基板处理装置。一种基板处理装置，用于在处理液的存在下使基板与催化剂接触而研磨基板的被处理区域，具备：基板保持部，被构成为保持基板；催化剂保持部，被构成为保持催化剂；以及驱动部，被构成为在基板的被处理区域与催化剂接触的状态下，使基板保持部与催化剂保持部相对移动。催化剂比基板小。

公开(公告)号：CN113165142A

公开(公告)日：2021-07-23

申请号：CN201980075357.7

申请日：2019-10-31

申请人： 株式会社荏原制作所

发明人： 水野稔夫 ,  桧森洋辅 ,  马场枝里奈 ,  石桥知淳 ,  小畠严贵

IPC分类号： B24B41/06 ,  H01L21/304

摘要： 能够进行基板的表面的抛光清洗与基板的边缘部分的清洗双方。公开一种清洗组件，具备：旋转载台，用于支承圆形的基板，且具有比基板的直径小的直径；抛光清洗部，一边与支承于该旋转载台的该基板的正面接触，一边将该基板的正面抛光清洗；抛光清洗部移动机构，用于使该抛光清洗部相对于该基板移动；抛光清洗部控制机构，控制该抛光清洗部移动机构的动作；以及边缘清洗部，一边与支承于该旋转载台的该基板的边缘部分接触，一边将该基板的边缘部分清洗。