线圈及热疗设备
    33.
    发明公开

    公开(公告)号:CN114159211A

    公开(公告)日:2022-03-11

    申请号:CN202111249049.7

    申请日:2021-10-26

    发明人: 赵前程 刘驰 秦倞

    IPC分类号: A61F7/00 A61N2/02

    摘要: 本发明涉及一种线圈及热疗设备,属于热疗设备的技术领域,其包括线圈本体和快速插接头,所述快速插接头的通过电缆与所述线圈本体连接,所述快速插接头用于与设备主机连接,所述快速插接头包括电路插接部和水路插接部,所述电路插接部设置有供电接口,所述水路插接部设置有水管接口。本发明具有解决在需要更换、维护和拆装线圈时,操作不便,降低工作效率问题的效果。

    微音叉谐振器刚度自动匹配结构和方法

    公开(公告)号:CN112751541A

    公开(公告)日:2021-05-04

    申请号:CN202011530820.3

    申请日:2020-12-22

    申请人: 北京大学

    发明人: 崔健 赵前程

    IPC分类号: H03H3/04 H03H9/21

    摘要: 本申请实施例提供了一种微音叉谐振器刚度自动匹配结构和方法,涉及微机电传感器领域,所述方法包括:微音叉谐振器子谐振器上都添加独立的加力结构和匹配结构,通过加力结构产生对应的共模驱动力,通过前置读出电路输出振动信号,通过振动信号,自动获取开关控制信号和匹配电压,并将匹配电压施加于匹配结构上,进行负反馈控制,完成自动刚度匹配。采取本申请的技术方案,可以实现振动刚度的高效率、高精度匹配,且摆脱了对振动台的依赖,降低调试成本,并且,本申请可摆脱现有匹配方法中对振动台的依赖,且不受振动台激励信号频率范围限制、振动台安装限制,当微音叉谐振器在应用场景中安装固定后仍然可以实现原位在线匹配,无需使用振动台。

    一种单片集成惯性器件工艺兼容方法

    公开(公告)号:CN108946655B

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN201710366980.0

    申请日:2017-05-23

    申请人: 北京大学

    IPC分类号: B81C1/00

    摘要: 一种单片集成惯性器件工艺兼容方法,该工艺兼容方法用于包含离面运动器件和面内运动器件的单片多轴集成惯性器件,离面运动器件包含离面检测部分和其他部分,其特征在于,工艺加工时通过多次刻蚀在体背面形成多个背腔和不同高度的台阶,离面运动器件的离面检测部分的结构层厚度与离面运动器件的其他部分的结构层厚度不同,离面运动器件的其他部分结构层厚度与面内运动器件结构层厚度相同。工艺加工中进行结构释放时,离面运动器件的其他部分结构层与面内运动器件的结构层同时被刻蚀穿。

    一种基于图形化补偿的模态匹配式微机械Z轴环形谐振陀螺

    公开(公告)号:CN111623761A

    公开(公告)日:2020-09-04

    申请号:CN201910140760.5

    申请日:2019-02-27

    申请人: 北京大学

    IPC分类号: G01C19/5656 G01C19/5663

    摘要: 本发明涉及一种基于图形化补偿的模态匹配式微机械Z轴环形谐振陀螺,其特征在于:它包括衬底,锚点,中心轴,驱动/检测方向支撑梁,谐振环,固定电极。陀螺仪由(100)硅制造,驱动/检测方向的支撑梁各有4根,分别重合或垂直于硅的[110]和[100]方向,两两支撑梁间夹角均为45度。驱动方向的支撑梁在图形化补偿后,其等效刚度将与检测方向相等。谐振环通过支撑梁与中心轴相连。固定电极共有16个,均匀分布在谐振环外侧。固定电极和中性轴经锚点与衬底相连,衬底上有金属走线以实现与后端电路的电气连接。本发明从图形化设计的角度上进行了(100)单晶硅杨氏模量不对称的补偿,实现了模态匹配,模态匹配后的陀螺在角速度的高精度测量中可以发挥重要作用。

    一种谐振式双轴微机械轮式陀螺

    公开(公告)号:CN108955663A

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:CN201710366979.8

    申请日:2017-05-23

    申请人: 北京大学

    IPC分类号: G01C19/5684

    CPC分类号: G01C19/5684

    摘要: 本发明涉及一种谐振式双轴微机械轮式陀螺,其特征在于:它包括衬底,锚点,中心轴,驱动折叠梁,内环框架,外环框架,检测X轴扭转梁,检测Y轴扭转梁,检测质量块,检测电容、驱动梳齿电容及驱动反馈梳齿电容。内环框架内通过驱动折叠梁与中心轴相连,内环框架外通过检测X轴扭转梁与外环框架相连,外环框架外通过检测Y轴扭转梁与检测质量块相连。内环框架的内测和外侧分别连接驱动反馈梳齿电容的可动电极和驱动梳齿电容的可动电极。各梳齿电容的固定电极连接在衬底上,检测电容的可动电极连接在检测质量块上,固定电极连接在衬底上。本发明工艺过程简单,可用于实现单质量块双轴陀螺,并可以实现大批量生产。

    一种单片集成惯性器件工艺兼容方法

    公开(公告)号:CN108946655A

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:CN201710366980.0

    申请日:2017-05-23

    申请人: 北京大学

    IPC分类号: B81C1/00

    摘要: 一种单片集成惯性器件工艺兼容方法,该工艺兼容方法用于包含离面运动器件和面内运动器件的单片多轴集成惯性器件,离面运动器件包含离面检测部分和其他部分,其特征在于,工艺加工时通过多次刻蚀在体背面形成多个背腔和不同高度的台阶,离面运动器件的离面检测部分的结构层厚度与离面运动器件的其他部分的结构层厚度不同,离面运动器件的其他部分结构层厚度与面内运动器件结构层厚度相同。工艺加工中进行结构释放时,离面运动器件的其他部分结构层与面内运动器件的结构层同时被刻蚀穿。

    一种不等高硅结构的加工方法

    公开(公告)号:CN104140074A

    公开(公告)日:2014-11-12

    申请号:CN201310165060.4

    申请日:2013-05-08

    申请人: 北京大学

    IPC分类号: B81C1/00

    摘要: 本发明涉及一种不等高硅结构的加工方法,其步骤为:(1)选用硅基片;(2)在硅基片背面加工背腔;(3)在硅基片正面加工依次加工两层硅结构刻蚀掩膜,并且第二层掩膜完全覆盖第一层刻蚀掩膜但有不交叠区域;(4)以第二层刻蚀掩膜为掩膜进行干法刻蚀,加工出悬空硅结构;(5)在悬空硅结构间隙填充光刻胶但不覆盖硅结构表面;(6)以第一层刻蚀掩膜为掩膜进行干法刻蚀,使未被第一层刻蚀掩膜覆盖的硅结构高度降低,实现不等高硅结构;(7)去除光刻胶和第一层刻蚀掩膜,加工出悬空的不等高硅结构加工。本发明可以广泛应用于微机电系统领域。