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公开(公告)号：CN117879535B
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410274435.9
申请日：2024-03-11
申请人： 深圳新声半导体有限公司
摘要： 本申请实施例的目的是提供一种BAW滤波器及其制造方法。本申请实施例的BAW滤波器包括衬底、围栏层、压电层、上电极层、下电极层和目标结构；其中，所述围栏层被设置于所述衬底之上；其中，所述压电层被设置于所述围栏层的上方；其中，所述上电极层被设置于所述压电层的上方，所述下电极层被设置于所述压电层的下方；其中，所述目标结构包括以下至少任一种结构：温度补偿结构；空气环结构；空气桥结构。本申请实施例具有以下优点：通过在BAW滤波器中设置温度补偿结构、空气环结构和空气桥结构中的至少任一种，降低了温度变化对器件性能的影响，减少了电极表面横波能量损耗，提高了BAW滤波器的品质因数Q值。
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公开(公告)号：CN118508907A
公开(公告)日：2024-08-16
申请号：CN202410720098.1
申请日：2024-06-04
申请人： 安徽安努奇科技有限公司
摘要： 本发明提供了一种异质集成滤波器的制备方法、电子设备，涉及滤波器技术领域，该异质集成滤波器的制备方法在制备完声学功能结构的上电极层之后且在进一步制备后续膜层之前，测量声学功能结构在所述第一方向上的整体厚度，将整体厚度换算成对应的频率参数，然后将换算得到的频率参数与目标频率范围进行比较，以此对声学功能结构的整体厚度进行调整，使调整后的声学功能结构的整体厚度对应的频率参数满足目标频率范围，之后再制备后续膜层，显然在异质集成滤波器制备完成后可得到符合目标频率范围的器件，进而提高晶圆的制备良率。
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公开(公告)号：CN118414785A
公开(公告)日：2024-07-30
申请号：CN202280084024.2
申请日：2022-12-27
申请人： 株式会社大真空
发明人： 丸本学
摘要： 晶体谐振器(100)的频率调整方法中，在第二密封构件(30)的与第二激励电极(112)相向的第一主面(301)上，形成有由基底金属层(36a)和在其上层叠的金属层(36b)构成的频率调整用金属膜(36)，第二密封构件(30)由水晶构成。从第二密封构件(30)的外部对频率调整用金属膜(36)照射激光，通过使激光透射到第二密封构件(30)的内部将基底金属层(36a)加热，而使金属层(36b)的至少一部分熔化而蒸发并附着在第二激励电极(112)上，来进行频率调整。此时，基底金属层(36a)的熔化温度高于金属层(36b)的熔化温度，基底金属层(36a)与金属层(36b)之间的熔化温度差在1500K以上。
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公开(公告)号：CN115296636B
公开(公告)日：2024-07-16
申请号：CN202210308897.9
申请日：2022-03-22
申请人： 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
摘要： 本申请涉及谐振器制备领域，提供了一种声波谐振器的制备方法及其结构、滤波器，包括获取支撑衬底，在支撑衬底上制备第一电极层，该第一电极层的材料为碳化硅，对第一电极层进行区域化处理，使得第一电极层被划分为导电区域和绝缘区域，在第一电极层上制备压电薄膜，在压电薄膜上导电区域对应的区域制备第二电极层，得到声波谐振器。本申请在支撑衬底制备区域化导电碳化硅层作为底电极，并处于悬浮电位状态，器件在工作时仅需在顶电极上施加合适的激励信号，相较于传统FBAR结构无需将压电薄膜刻蚀出通孔以引出底电极，制造版图更加简单，且可以获得更高的谐振频率、更大的机电耦合系数、更小的损耗，可以提高器件的散热性能，提升器件的功率容量。
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公开(公告)号：CN118285055A
公开(公告)日：2024-07-02
申请号：CN202280077257.X
申请日：2022-11-21
申请人： 株式会社村田制作所
发明人： 肖恩·麦克休
摘要： 公开了滤波器件和制造的方法。一种声学滤波器件包括基板(720)和压电板(710)，压电板的第一部分跨越基板中的第一空腔(740B)，并且压电板的第二部分跨越基板中的第二空腔(740A)。压电板的第一部分和第二部分的前表面上的解耦介电层(750A、750B)在第一部分上具有第一厚度td1并且在第二部分上具有比第一厚度大的第二厚度td2。第一叉指换能器的交错指在压电板的第一部分之上的解耦介电层上，并且第二IDT的交错指在压电板的第二部分之上的解耦介电层上。
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公开(公告)号：CN118249776A
公开(公告)日：2024-06-25
申请号：CN202211657114.4
申请日：2022-12-22
申请人： 达尔科技股份有限公司
摘要： 本发明提供一种石英晶体谐振器及其制造方法。所述石英晶体谐振器包括自石英晶棒切割出的石英晶体，所述石英晶棒具有互为垂直的光轴、电轴及机械轴，所述石英晶体的主平面与所述光轴间具有以所述电轴为轴心旋转约35度至约36度的第一角度，所述主平面与所述电轴间具有以所述光轴为轴心旋转的第二角度，使所述石英晶体于摄氏约30度至摄氏约45度下具有振动频率偏差反曲点。
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公开(公告)号：CN118157608A
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202311864559.4
申请日：2023-12-29
申请人： 北京无线电计量测试研究所
摘要： 本发明提供了一种工装夹具及用于引线支架结构产品的刻蚀微调加工方法。工装夹具包括安装单元和支撑单元。安装单元用于沿着竖直方向承载并安装待加工引线支架结构产品；在安装单元承载并安装有待加工引线支架结构产品，并且安装单元沿着水平方向被放倒后，支撑单元用于对安装单元进行支撑和固定，并且用于安装在刻蚀微调工艺设备上，以实现对待加工引线支架结构产品的刻蚀微调加工。利用本发明提供的工装夹具及用于引线支架结构产品的刻蚀微调加工方法可以将引线支架结构产品轻易安装在刻蚀微调工艺设备上，从而实现对引线支架结构产品的刻蚀微调加工。
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公开(公告)号：CN116827296B
公开(公告)日：2024-06-07
申请号：CN202310661476.9
申请日：2023-06-05
申请人： 无锡市好达电子股份有限公司
摘要： 本申请关于一种弹性波滤波器及其制备方法，涉及弹性波滤波器领域。该弹性波滤波器包括压电基底、设置于非压电基底上的压电薄膜，以及一部分设置于非压电基底上、另一部分设置于压电薄膜上的导电材料薄膜图形；其中，导电材料薄膜图形形成多个叉指换能器电极和用于实现叉指换能器电极之间电连接的多段导电轨迹，多段导电轨迹包括至少两段相互对置的且具有不同电位的导电轨迹，在两段导电轨迹的沿垂直于压电薄膜的上表面方向上的投影区域内或/和两段导电轨迹之间的区域内没有压电薄膜。本申请基于压电薄膜和非压电基底的压电复合衬底的弹性波器件，其具有尽量小的寄生电容，并因此具有更优的阻抗匹配效果和通带插损指标。
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公开(公告)号：CN117134739B
公开(公告)日：2024-05-28
申请号：CN202210552361.1
申请日：2022-05-20
申请人： 锐石创芯(重庆)科技有限公司
摘要： 本发明涉及一种滤波器、多工器、射频前端模组及滤波器的制备方法，该滤波器包括电容器、金属层及至少一个体声波谐振器；体声波谐振器和电容器均包括衬底、声学镜、下电极、压电层及上电极，电容器的上电极和下电极之间形成电容区；金属层包括同层设置的第一金属区和第二金属区，第一金属区与电容区重叠以降低其频率，第二金属区位于体声波谐振器的谐振区的边缘以免其能量横向泄漏；电容器和体声波谐振器共用一个衬底和一个压电层，且二者的声学镜、下电极及上电极均同层设置，这样二者的声学镜、下电极、上电极及金属层的两个金属区分别可以在同一工序中制备，这样不会额外增加工艺，从而可以简化滤波器的生产工艺、降低工艺成本、提高生产效率。
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公开(公告)号：CN117856759B
公开(公告)日：2024-05-24
申请号：CN202410256777.8
申请日：2024-03-07
申请人： 山东大学
摘要： 本发明涉及一种实现悬臂梁微谐振器频率调谐和频谱展宽的方法和装置，属于微机电系统调控技术领域，包括：S1：首先在探测电压下测得悬臂梁微谐振器前两阶弯曲模态的频率响应，确定本征频率；S2：在一阶弯曲模态处泵浦，实现二阶弯曲模态本征频率的调谐；S3：在一阶弯曲模态和红边带模态处同时泵浦，一阶弯曲模态和红边带模态发生非线性模态耦合，实现二阶弯曲模态的频谱展宽。本发明只需用信号发生器输出泵浦信号对微谐振器进行调制，就可以实现微谐振器共振频率的调谐和频谱展宽，原理性强，操作简便。
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