-
公开(公告)号：CN116202837A
公开(公告)日：2023-06-02
申请号：CN202310117600.5
申请日：2023-01-30
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种可用于真空互联的样品预处理系统，该系统的快速进样腔组件包括进样腔体和第一传样杆，进样腔体上设有进出样窗，第一传样杆与进样腔体相连；该系统的预处理主腔组件包括主腔体、样品台、第二传样杆和机械手，样品台位于主腔体内，主腔体设有与进样腔体相连的第一插板阀、用于外接第一真空设备的第二插板阀和用于外接第二真空设备的第三插板阀；第二传样杆和机械手均与主腔体相连；第一传样杆用于在进样腔室、样品台和第一真空设备之间传送样品托；第二传样杆用于在样品台和第二真空设备之间传送样品托；机械手用于对样品台上的样品托进行原位翻转。本发明能够实现样品朝向不同的不同真空设备之间的真空互联。
-
公开(公告)号：CN109730686A
公开(公告)日：2019-05-10
申请号：CN201910032904.5
申请日：2019-01-14
Applicant: 清华大学
IPC: A61B5/11
Abstract: 本发明公开了一种基于传感器阵列的步态检测分析仪，包括：压力传感器阵列，用于测量用户运动时足底的压力数据；惯性传感器单元，用于监控用户运动时脚在空间中的轨迹数据；处理器，用于对压力数据和轨迹数据进行处理得到用户的步态数据；无线通信模块，用于将步态数据发送到服务器，以使服务器通过预设算法对步态数据进行分析评估。该步态检测分析仪可以长期监控用户的步态数据，对其进行分析和评估，利用大数据和人工智能的算法为医生和病人提供诊断依据，并且便携可穿戴，使用方便，精确度高。
-
公开(公告)号：CN107101957A
公开(公告)日：2017-08-29
申请号：CN201710333593.7
申请日：2017-05-12
Applicant: 清华大学
CPC classification number: G01N21/31 , G01N21/01 , G01N21/78 , G01N35/00 , G01N35/1009 , G01N2021/0112 , G01N2035/00465 , G01N2035/00524 , G01N2035/00554 , G01N2035/1048
Abstract: 本公开涉及环境化学监测技术领域，公开了检测无机水合离子浓度的装置和采用该装置的检测方法。该装置包括：串联在第一节点和第二节点间的第一动力单元、混合单元、检测单元，以及连接在第一节点和第二节点间的阀控进样单元，液体经由阀控进样单元进入装置并在装置中流通，第一动力单元提供动力以经由阀控进样单元吸入液体；混合单元用以促进液体混合；检测单元用以检测处于液体的吸光度值；在阀控进样单元处于第一状态时，第一节点和第二节点连通，构成闭合环路；在其处于第二状态时，第一节点和第二节点不连通，构成开路。上述装置结构简单、易于实现小型化且易于使用，非常便于实施环流分析技术。
-
公开(公告)号：CN105789323A
公开(公告)日：2016-07-20
申请号：CN201610210348.2
申请日：2016-04-06
Applicant: 清华大学
IPC: H01L29/786 , H01L29/16 , H01L21/04
CPC classification number: H01L29/78687 , H01L21/0405 , H01L29/1606 , H01L29/66045
Abstract: 本发明公开了场效应晶体管以及制备方法。该场效应晶体管包括：衬底；栅极，所述栅极嵌在所述衬底中；异质结，所述异质结设置在所述衬底的上表面，所述异质结包括单层石墨烯以及层状材料；源极，所述源极设置在所述异质结的上表面；以及漏极，所述漏极设置在所述异质结的上表面。利用单层石墨烯以及层状材料形成异质结以调节沟道材料禁带宽度，从而可以提高该场效应晶体管的开关比；嵌在衬底中的栅极结构有利于保护单层石墨烯结构不在制备栅极的过程中被破坏，从而可以提高该场效应晶体管的性能。
-
公开(公告)号：CN102938636B
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201210331610.0
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: H03D7/16
Abstract: 本发明提供一种混频器，包括：射频信号输入端、本振信号输入端、中频信号输出端、第一晶体管、第二晶体管、电压转换模块、第一偏置端以及第二偏置端，第一晶体管用于将由射频信号输入端输入的射频电压信号和由本振信号输入端输入的本振电压信号通过栅调制和漏调制得到中频电流信号，电压转换模块用于将中频电流信号转换成中频电压信号并通过中频信号输出端输出，采用双晶体管结构，射频电压信号、本振电压信号和中频电压信号分别通过不同的端口输入和输出，能在一定程度上降低各个信号之间的干扰，有效地提高各个信号之间的隔离度。
-
Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102935993B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210331607.9
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明提供一种二维电子材料单臂梁器件及其制备方法，器件包括：衬底；衬底上形成有第一金属电极图形；衬底和第一金属电极图形上形成有介质层，介质层形成有第一通孔图形；介质层上形成有第二金属电极图形，第二金属电极图形中的第二金属电极未覆盖第一通孔图形中的第一通孔；第二金属电极图形上形成有二维电子材料图形，二维电子材料图形中的二维电子材料层部分覆盖位于第一通孔一侧的第二金属电极上、且部分悬空于该第一通孔中；二维电子材料图形和第二金属电极图形上还形成有欧姆接触层图形，欧姆接触层图形中的欧姆接触层覆盖在二维电子材料层与第二金属电极重叠部位的上方、且该欧姆接触层与该第二金属电极接触。本发明器件制备工艺简单。
-
公开(公告)号：CN104020359A
公开(公告)日：2014-09-03
申请号：CN201410281318.1
申请日：2014-06-20
Applicant: 清华大学
IPC: G01R29/12
Abstract: 本发明属于传感器技术领域，尤其涉及一种基于驻极体的MEMS电场传感器，主要用于空间中低频交流电场的测量。该传感器包括：绝缘基板、细条、细丝、支撑面、驻极体；其中细丝置于绝缘基板平行上方，并与基板上的导电细条构成电容。通过支撑面上粘附的驻极体构成的静电场，对处于场中的金属细丝提供适当的偏置。当外加交流电场时金属细丝会产生相应频率和振幅的振动，本发明通过检测金属细丝和基板上导电细条构成的电容的变化来测量外加交流电场的大小和幅值。本发明采用MEMS微加工工艺制造，体积小，携带方便，设备简单，相比于已有的光纤测量系统成本低很多。
-
公开(公告)号：CN102981060A
公开(公告)日：2013-03-20
申请号：CN201210331552.1
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: G01R27/26
Abstract: 本发明涉及一种石墨烯量子电容测试器件及其制备方法。该方法包括：在衬底上形成栅电极引线图形、源电极引线图形和漏电极引线图形；在衬底上形成栅电极图形、源电极图形和漏电极图形，分别与该栅电极引线图形、源电极引线图形和漏电极引线图形接触；在栅电极图形上形成栅介质层图形；在栅介质层图形、源电极图形和漏电极图形上形成石墨烯层图形；以及在石墨烯层图形上对应源电极图形和漏电极图形分别形成欧姆接触层图形。本发明的石墨烯量子电容测试器件及其制备方法可提高石墨烯量子电容的测量精度。
-
公开(公告)号：CN102945794A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210331002.X
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
IPC: H01L21/027 , H01L21/28 , H01L29/423 , H01L29/417 , H01L23/48 , H01L21/48
Abstract: 本发明涉及一种二维电子材料装置及其混合光刻方法，方法包括：在衬底上形成至少一层引线金属层并对至少一层引线金属层进行光学光刻，以形成至少一层引线图形，最上层包括多个上层引线，栅、源、漏电极图形分别与一个上层引线相连；形成电极金属层；对电极金属层进行光学光刻，以形成晶体管区域；对电极金属层进行电子束光刻，以形成栅、源、漏电极图形；形成栅介质层；对栅介质层进行光学光刻形成栅介质层图形；形成二维电子材料层图形；以及形成欧姆接触层图形。本发明可消除或减小二维电子材料的本征特性的破坏，在保证工艺成本的前提下可以大大提升小尺寸器件的光刻精度，提高器件性能，同时在保证加工精度的情况下可以节省加工时间。
-
公开(公告)号：CN102862949A
公开(公告)日：2013-01-09
申请号：CN201210331661.3
申请日：2012-09-07
Applicant: 清华大学
Abstract: 本发明公开了一种基于倒置工艺的双臂梁MEMS器件及其形成方法，该方法包括：提供衬底；依次在衬底上形成过渡层、底层电极和层间介质层；在层间介质层上形成上层电极层；刻蚀上层电极层和层间介质层以形成开口，露出底层电极的一部分，并且将上层电极层形成第一上层电极与第二上层电极；在第一上层电极与第二上层电极之上形成二维材料薄膜，其中，二维材料薄膜跨过开口；以及分别在二维材料薄膜两端上方形成第一金属接触和第二金属接触，其中，第一金属接触与第一上层电极的至少一部分相连，第二金属接触与第二上层电极的至少一部分相连。本发明的方法工艺成熟、易于实现，器件接触电阻小、稳定可靠。
-
-
-
-
-
-
-
-
-
Search Results
76
records
(took 0.021 seconds)
