公开(公告)号：CN103988308B

公开(公告)日：2016-11-16

申请号：CN201180075405.6

申请日：2011-12-09

Applicant: 英特尔公司

Inventor： V·H·勒 ,  B·舒-金 ,  H·H·W·肯内尔 ,  W·拉赫马迪 ,  R·皮拉里塞泰 ,  J·T·卡瓦列罗斯

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/0673 ,  H01L21/02532 ,  H01L21/283 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/0847 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/155 ,  H01L29/161 ,  H01L29/165 ,  H01L29/42392 ,  H01L29/66431 ,  H01L29/66477 ,  H01L29/66651 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78 ,  H01L29/7842 ,  H01L29/7849 ,  H01L29/785 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/78696

Abstract: 提供了具有包括交替的压缩和拉伸应变外延材料层的沟道区的晶体管结构。交替的外延层可以在单栅极晶体管结构和多栅极晶体管结构中形成沟道区。在可替换的实施例中，选择性地蚀刻掉两个交替的层中的一层，以形成剩余材料的纳米带或纳米线。得到的应变纳米带或纳米线形成晶体管结构的沟道区。还提供了包括晶体管的计算设备，所述晶体管包括由交替的压缩和拉伸应变外延层组成的沟道区，以及包括晶体管的计算设备，所述晶体管包括由应变的纳米带或纳米线组成的沟道区。

公开(公告)号：CN104584228A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201280075389.5

申请日：2012-08-23

Applicant: 学校法人中部大学 ,  国立大学法人北海道大学 ,  国立大学法人大阪大学 ,  日新电机株式会社

Inventor： 河原敏男 ,  冈本一将 ,  松本和彦 ,  宇都宫里佐 ,  松叶晃明 ,  松本均

IPC: H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/78687 ,  H01L29/1033 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66045 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/778 ,  H01L29/7788 ,  H01L29/7789 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78696

Abstract: 薄膜晶体管10具备硅基板1、沟道层2、源极电极3及漏极电极4。沟道层2、源极电极3及漏极电极4配置在硅基板1的一主面上。沟道层2包含多个碳纳米墙薄膜21～25，多个碳纳米墙薄膜21～25并列配置在源极电极3与漏极电极4之间，多个碳纳米墙薄膜21～25的其中一端接触源极电极3，多个碳纳米墙薄膜21～25的另一端接触漏极电极4。绝缘膜及栅极电极配置在硅基板1的背面侧。

公开(公告)号：CN104576315A

公开(公告)日：2015-04-29

申请号：CN201410551191.0

申请日：2014-10-17

Applicant: 国际商业机器公司

Inventor： E·阿尔普泰金 ,  V·Y·萨德塞 ,  R·A·维加

IPC: H01L21/02 ,  H01L29/78 ,  B82Y10/00

CPC classification number: H01L29/78687 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/0237 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/0245 ,  H01L21/02507 ,  H01L21/02516 ,  H01L21/02527 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/02587 ,  H01L21/02609 ,  H01L21/02664 ,  H01L21/823431 ,  H01L27/0886 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/1606 ,  H01L29/775 ,  H01L29/7781 ,  H01L29/7851 ,  H01L29/78696

Abstract: 具有石墨烯纳米带的半导体器件及制造方法被公开。该方法包括在衬底上形成至少一层Si材料。该方法还包括形成与所述至少一层Si相邻的至少一层碳基材料。该方法还包括将所述至少一层Si材料和所述至少一层碳基材料中的至少一个构图。该方法还包括在构图后的碳基材料上形成石墨烯。

公开(公告)号：CN101292334B

公开(公告)日：2012-04-25

申请号：CN200680039083.9

申请日：2006-12-06

Applicant: 英特尔公司

Inventor： G·库雷洛 ,  H·V·德什潘德 ,  S·提亚吉 ,  M·博尔

IPC: H01L21/336 ,  H01L29/78 ,  H01L29/165

CPC classification number: H01L29/66628 ,  H01L29/165 ,  H01L29/66636 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/7848 ,  H01L29/78639 ,  H01L29/78687

Abstract: 一种MOS器件包括：栅极叠层，其包括设置于栅极电介质上的栅电极；形成于栅极叠层的横向相对侧上的第一间隔体和第二间隔体；邻接第一间隔体的源极区；邻接第二间隔体的漏极区；以及位于栅极叠层下方且设置在源极区和漏极区之间的沟道区。本发明的MOS器件还包括位于沟道区下方且设置在源极区和漏极区之间的掩埋氧化物(BOX)区域。该BOX区域使得能够形成更深的源极区和漏极区以减小晶体管电阻并使尖峰缺陷自毁，同时防止栅极边缘结寄生电容。

公开(公告)号：CN101687631A

公开(公告)日：2010-03-31

申请号：CN200880010061.9

申请日：2008-03-28

Applicant: 昆南诺股份有限公司

Inventor： L·-E·沃纳森

IPC: B82B1/00 ,  H01L29/08 ,  H01L29/78

CPC classification number: H01L29/78642 ,  B82Y10/00 ,  H01L21/823487 ,  H01L21/823885 ,  H01L27/088 ,  H01L27/092 ,  H01L29/0673 ,  H01L29/0676 ,  H01L29/78681 ,  H01L29/78684 ,  H01L29/78687

Abstract: 提出一种纳米线电路结构。该技术包括纳米线晶体管(8，9)，和可选的纳米线电容器(12)和纳米线电阻器(11)，这些仅仅使用两层互连(1，2)来集成。环形振荡器、取样保持电路和比较电路的实施都可以在该纳米线电路结构中实现。电路输入和电路输出以及每个电路内的晶体管连接都以两层互连(1，2)提供。

公开(公告)号：CN100578758C

公开(公告)日：2010-01-06

申请号：CN200810135549.6

申请日：2006-02-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐祖望 ,  谢志宏 ,  陶宏远 ,  张长昀 ,  钟堂轩 ,  吕昇达

IPC: H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78687

Abstract: 本发明是有关于一种用于形成可达6个场效应晶体管元件的多栅极区域场效应晶体管元件及其形成方法，该元件包括：一包括半导体材料的多鳍状结构，设置在基材之上；该多鳍状结构包括实质平行间隔分开的侧壁部分，每一侧壁部分包括主要内、外表面与上表面；其中每一表面包括一表面用以形成一场效应晶体管于其上。本发明包括多栅极区域的先进CMOSFET元件结构，其具有改进的元件速度与性能以适用于形成先进的集成电路元件。

公开(公告)号：CN100524827C

公开(公告)日：2009-08-05

申请号：CN03823250.2

申请日：2003-09-12

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： 林明仁 ,  J·S·吴 ,  汪海宏 ,  相奇

IPC: H01L29/786 ,  H01L29/423 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/42384 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78603 ,  H01L29/78687

Abstract: 一种垂直双栅极MOSFET(FinFET)器件使用应变硅来改良载流子迁移率。在一种方法中，将FinFET基体(46)图形化形成一层覆盖于电介质层上(40)的硅锗(SiGe)(42)。接着在该硅锗FinFET基体(46)上形成硅外延层(34)。由于本征硅以及作为外延硅生长的模板的硅锗晶格尺寸不同，因而在外延硅中产生应力。应变硅比松散硅(relaxed silicon)具有更高的载流子迁移率，因此外延的应变硅在FinFET中提供较高的载流子迁移率。将应变硅沟道层用于FinFET中可实现较高的驱动电流。

公开(公告)号：CN100521230C

公开(公告)日：2009-07-29

申请号：CN200480002593.X

申请日：2004-01-15

Applicant: 先进微装置公司

Inventor： S·达克什纳摩西 ,  J·X·安 ,  Z·克瑞沃卡皮奇 ,  汪海宏 ,  俞斌

IPC: H01L29/10 ,  H01L29/786 ,  H01L21/336

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/1054 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78654 ,  H01L29/78687

Abstract: 一种半导体结构，包括鳍片(205)和形成于该鳍片上的层(305)。该鳍片(205)包括具有矩形横剖面和许多表面的第一结晶材料。该层(305)形成于该等表面上并包括第二结晶材料。该第一结晶材料较的该第二结晶材料具有不同的晶格常数，以令该层(305)内产生张力应变。

公开(公告)号：CN101452961A

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200810179744.9

申请日：2008-12-03

Applicant: 株式会社半导体能源研究所

Inventor： 山崎舜平

IPC: H01L29/786 ,  H01L27/12 ,  H01L21/336 ,  H01L21/84

CPC classification number: H01L27/1288 ,  H01L21/67017 ,  H01L21/67207 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L29/04 ,  H01L29/41733 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66742 ,  H01L29/78687 ,  H01L29/78696

Abstract: 本发明的目的在于提供一种电特性优越的薄膜晶体管、及具有该薄膜晶体管的显示装置、和这些的制造方法。在其中重叠有微晶锗膜、接触于微晶锗膜的一个面的栅极绝缘膜以及栅电极的薄膜晶体管、以及具有该薄膜晶体管的显示装置中，在微晶锗膜的另一个面上形成有缓冲层。通过将微晶锗膜用于沟道形成区域，可以制造电场效应迁移率及导通电流都高的薄膜晶体管。此外，通过在用作沟道形成区域的微晶锗膜以及源区域或漏区域之间设置缓冲层，可以制造截止电流低的薄膜晶体管。就是说，可以制造电特性优越的薄膜晶体管。

公开(公告)号：CN100499128C

公开(公告)日：2009-06-10

申请号：CN200610003776.4

申请日：2006-02-14

Applicant: 台湾积体电路制造股份有限公司

Inventor： 徐祖望 ,  谢志宏 ,  陶宏远 ,  张长昀 ,  钟堂轩 ,  吕昇达

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234

CPC classification number: H01L29/785 ,  H01L29/66795 ,  H01L29/78687

Abstract: 本发明是有关于一种用于形成可达6个场效应晶体管元件的多栅极区域场效应晶体管元件及其形成方法，该元件包括：一包括半导体材料的多鳍状结构，设置在基材之上；该多鳍状结构包括实质平行间隔分开的侧壁部分，每一侧壁部分包括主要内、外表面与上表面；其中每一表面包括一表面用以形成一场效应晶体管于其上。本发明包括多栅极区域的先进CMOSFET元件结构，其具有改进的元件速度与性能以适用于形成先进的集成电路元件。