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公开(公告)号:CN215249543U
公开(公告)日:2021-12-21
申请号:CN202120748096.5
申请日:2021-04-13
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本公开提供一种芯片结构和器件,该芯片结构包括至少一个划片道区域,至少一个划片道区域将芯片结构划分为至少两个功能区,芯片结构还包括至少一个第一凹槽和至少一个第二凹槽,第一凹槽位于至少一个划片道区域,第一凹槽的深度小于芯片结构的厚度,第二凹槽位于功能区,第一凹槽和第二凹槽由对芯片结构的同一刻蚀工艺中形成。上述结构的芯片结构有利于器件的小型化设计,并具有较高的切割效率,且第一凹槽的设置不会增加芯片结构的制造工艺流程。
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公开(公告)号:CN214851819U
公开(公告)日:2021-11-23
申请号:CN202121267953.6
申请日:2021-06-08
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种微机电结构、麦克风和终端,该微机电结构包括:衬底,具有腔体;第一支撑部,位于衬底上;振膜,位于第一支撑部上;第二支撑部,位于振膜上;以及背板,位于第二支撑部上,与振膜之间具有间隙,其中,振膜具有至少一个开槽,各开槽均连通腔体与间隙,且各开槽位于腔体在振膜上的正投影范围之外。该微机电结构通过在振膜上形成连通腔体和间隙的开槽,从而达到通过开槽泄气以平衡振膜两侧压力的目的,又由于开槽与衬底腔体相互错开,减小了开槽对振膜的影响,从而改善了产品的低频响应特性。
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公开(公告)号:CN214528128U
公开(公告)日:2021-10-29
申请号:CN202022675145.5
申请日:2020-11-18
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 公开了一种MEMS器件,包括:衬底,具有第一空腔;第一牺牲层,位于所述衬底的第一表面上,具有第二空腔;振膜层,所述振膜层的至少一部分由所述第一牺牲层支撑;第二牺牲层,位于所述振膜上,具有第三空腔;背极板层,位于所述第二牺牲层上,所述背极板层的至少一部分由第二牺牲层支撑,其中,所述第一空腔包括多个堆叠的通孔,多个所述通孔的中心线重合,且与所述振膜相对。本申请的MEMS器件,衬底的第一空腔设置为至少包括第一通孔和第二通孔,第一通孔更靠近振膜层且第一通孔的直径大于第二通孔的直径,由于第一通孔与衬底第一表面的交界处光滑,在振膜发生大形变时,降低了振膜的应力集中,进而降低了MEMS器件的失效。
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公开(公告)号:CN214281654U
公开(公告)日:2021-09-24
申请号:CN202120396938.5
申请日:2021-02-23
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS麦克风及其微机电结构,该微机电结构包括第一背极板;第二背极板,位于第一背极板上;振动膜,位于第一背极板与第二背极板之间,振动膜与第一背极板构成第一可变电容,并与第二背极板构成第二可变电容;第一支撑部,位于第一背极板与振动膜之间,并分别与第一背极板和振动膜固定连接;第二支撑部,位于第二背极板与振动膜之间,并分别与第二背极板和振动膜固定连接,其中,第一支撑部沿振动膜的边缘向振动膜的中心方向凸出于第二支撑部。该微机电结构通过使得第一支撑部沿振动膜的边缘向中心方向凸出于第二支撑部,从而改善了由于振动膜的应力不一导致差分信号的一致性较差的问题。
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公开(公告)号:CN213991017U
公开(公告)日:2021-08-17
申请号:CN202023117127.1
申请日:2020-12-22
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS麦克风、微机电结构。该微机电结构包括:至少一个背极板,每个背极板具有至少一个通孔;振动膜,与每个背极板构成相应的可变电容,振动膜包括至少一个气孔;第二防护层,用于阻挡异物经通孔进入相应背极板与振动膜之间的间隙;以及第二连接部,固接在第二防护层与相应背极板之间,以使第二防护层与相应背极板分隔,其中,第二连接部为光刻胶连接部。
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公开(公告)号:CN213754954U
公开(公告)日:2021-07-20
申请号:CN202023117094.0
申请日:2020-12-22
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS麦克风、微机电结构。该微机电结构应用于前进音MEMS麦克风,包括:衬底,具有相对的顶表面和底表面以及穿过顶表面和底表面的背腔;背极板,位于衬底的顶表面上,具有至少一个通孔;振动膜,与背极板构成可变电容,振动膜包括至少一个气孔;防护层,位于衬底的底表面上,其中,防护层用于阻挡异物经背腔与通孔进入背极板与振动膜之间的间隙,振动膜覆盖背极板以阻挡异物从振动膜远离背极板的表面进入间隙,防护层为光刻胶膜或聚四氟乙烯膜。
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公开(公告)号:CN213694053U
公开(公告)日:2021-07-13
申请号:CN202023109410.X
申请日:2020-12-22
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本实用新型实施例公开了一种麦克风和电子设备。麦克风包括控制器芯片和麦克风芯片;控制器芯片包括信号输入端和电荷泵端;麦克风芯片包括:衬底;振膜,振膜位于衬底上;背极板,背极板位于振膜远离衬底的一侧,背极板和振膜形成麦克风的工作电容;工作电容的第一极与控制器芯片的电荷泵端电连接,工作电容的第二极与控制器芯片的信号输入端电连接;寄生电容,寄生电容的第一极与工作电容的第一极电连接,寄生电容的第二极接地;寄生电容由麦克风芯片的膜层构成。本实用新型实施例通过设置寄生电容由麦克风芯片的膜层构成,以代替控制器芯片内的电容,从而有利于减小控制器芯片的面积,节约控制器芯片的成本。
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公开(公告)号:CN212435925U
公开(公告)日:2021-01-29
申请号:CN202021770513.8
申请日:2020-08-21
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS麦克风及其微机电结构。该微机电结构包括:背板;振动膜,具有至少一个通孔,并与背板构成可变电容;至少一个连接柱,每个连接柱的一端与背板固定连接;以及至少一个可动结构,分别位于相应的通孔中以与振动膜分离,每个可动结构与相应的连接柱的另一端固定连接,其中,可动结构与通孔之间的间隙用于气体流通。该微机电结构通过在振动膜的通孔中设置与振动膜分离的可动结构,使得可动结构与通孔之间存在间隙,从而使得微机电结构的泄气量适应于不同外界声压,进而在保障MEMS麦克风性能的同时,改善了振动膜形变量大的问题。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利
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公开(公告)号:CN216357302U
公开(公告)日:2022-04-19
申请号:CN202122466436.8
申请日:2021-10-13
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种微机电结构及其振膜结构、麦克风和终端,该振膜结构包括第一导电层,具有相对的第一表面和第二表面,振膜结构还包括位于第一表面的第一保护层和/或位于第二表面的第二保护层,其中,第一保护层与第二保护层的至少之一包含氮化硅或氧化硅。通过将振膜结构设置为保护层与导电层的叠层复合结构,利用包含氮化硅的保护层和/或包含氧化硅保护层对振膜的导电层进行保护,从而改善了在高温高湿环境下振膜的导电层容易被侵蚀氧化以发生变形的问题。
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公开(公告)号:CN215935099U
公开(公告)日:2022-03-01
申请号:CN202122493606.1
申请日:2021-10-15
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H04R19/04
Abstract: 本申请提供了一种微机电结构及其MEMS麦克风,微机电结构包括背极板;振膜,位于所述背极板的一侧,与所述背极板构成可变电容,所述振膜包括多个第一通孔以及分别与所述第一通孔对应的泄气结构,其中,所述振膜还包括一个或多个贯穿所述振膜的第二通孔。本申请提供的微机电结构及其微机电结构,通过在振膜中心区域形成第二通孔,以及在第二通孔的四周形成第一通孔和泄气结构,这样在ESD放电过程中,大气压可以通过第二通孔快速泄气,而四周的第一通孔和泄气结构也能够帮助泄气,从而达到提升ESD可靠性的目的。
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