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公开(公告)号：CN113747328B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202111031057.4
申请日：2021-09-03
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种微机电结构及其制造方法、晶圆、麦克风和终端，该制造方法包括：在衬底上方形成第一背板；在第一背板上形成第二牺牲层；在第二牺牲层上形成振膜，振膜沿第二牺牲层的侧壁、第一背板的侧壁延伸至衬底上；以及去除部分第二牺牲层，余下的第二牺牲层作为第二支撑部。该制造方法通过令振膜覆盖第二牺牲层的侧壁，减小了释放工艺中释放液从第二牺牲层的侧壁侵蚀的风险。
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公开(公告)号：CN113666329B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202111014721.4
申请日：2021-08-31
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种传感器结构及其制备方法、电子设备，该传感器结构包括：硅基底；设置在硅基底一侧的膜层结构，其中，硅基底远离膜层结构的一侧设置有空腔，硅基底包括第一部分和第二部分，第一部分与空腔相邻，第一部分远离膜层结构的表面与第二部分远离膜层结构的表面不在同一水平面上，且第一部分的厚度小于第二部分的厚度，以形成连通空腔与传感器结构之外的环境的通道。本申请实施例提供的传感器结构能够简化工艺、提高生产效率。
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公开(公告)号：CN113401862B
公开(公告)日：2024-05-14
申请号：CN202110791961.9
申请日：2021-07-13
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种惯性传感器及其制备方法，解决了现有技术中批量生产的惯性传感器的性能均一性较差和电互联难度高的问题。其中，惯性传感器的制备方法包括：提供第一基板，第一基板包括第一导电层；提供第二基板，第二基板包括第一衬底，第一衬底的材料为单晶材料；将第一导电层和第一衬底结合在一起，形成结合界面；形成可动元件，可动元件包括至少部分第一衬底。
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公开(公告)号：CN112897448B
公开(公告)日：2024-05-03
申请号：CN202110212913.X
申请日：2021-02-25
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS传感器及其微机电结构、微机电结构的制造方法。该微机电结构包括：背板，具有至少一个通孔；感应膜，包括运动区、非运动区、连接运动区与非运动区的梁结构，运动区与背板构成可变电容；至少一个连接柱，每个连接柱的一端与感应膜的运动区固定连接；以及至少一个可动结构，分别位于相应的通孔中以与背板分离，每个可动结构与相应的连接柱的另一端固定连接，其中，可动结构在感应膜上的正投影与部分非运动区重合。该微机电结构通过可动结构对感应膜的形变程度进行限制，从而提高MEMS传感器的抗机械冲击能力。
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公开(公告)号：CN117509534B
公开(公告)日：2024-03-15
申请号：CN202410008674.X
申请日：2024-01-04
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
IPC: H01L21/00
Abstract: 本发明提供的一种MEMS芯片封装结构及制作方法，该方法包括提供第一基板和第二基板，第一基板具有第一金属体和器件结构，第二基板具有可供器件结构活动的空腔；在第二基板具有空腔的表面形成介质层，在介质层上形成至少一个环绕空腔的凹槽；在介质层的表面形成保形覆盖凹槽底部和侧壁的第二金属体，以及覆盖介质层的至少部分表面的第三金属体，第三金属体位于凹槽的外侧；将第一基板和第二基板通过第一金属体和第三金属体相键合。本发明通过在键合部位单侧的介质层开设凹槽的方式，在键合时通过第二金属体的引流作用引导多余的液相合金堆积在凹槽中，避免液相合金向芯片功能区溢流，增强芯片的键合质量及可靠性，提高了MEMS芯片生产制造的合格率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN117509534A
公开(公告)日：2024-02-06
申请号：CN202410008674.X
申请日：2024-01-04
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供的一种MEMS芯片封装结构及制作方法，该方法包括提供第一基板和第二基板，第一基板具有第一金属体和器件结构，第二基板具有可供器件结构活动的空腔；在第二基板具有空腔的表面形成介质层，在介质层上形成至少一个环绕空腔的凹槽；在介质层的表面形成保形覆盖凹槽底部和侧壁的第二金属体，以及覆盖介质层的至少部分表面的第三金属体，第三金属体位于凹槽的外侧；将第一基板和第二基板通过第一金属体和第三金属体相键合。本发明通过在键合部位单侧的介质层开设凹槽的方式，在键合时通过第二金属体的引流作用引导多余的液相合金堆积在凹槽中，避免液相合金向芯片功能区溢流，增强芯片的键合质量及可靠性，提高了MEMS芯片生产制造的合格率。
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公开(公告)号：CN117246975A
公开(公告)日：2023-12-19
申请号：CN202311532386.6
申请日：2023-11-17
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明提供了一种集成的惯性传感器芯片及其制作方法，旨在通过在氧化硅片上形成第一空腔和第二空腔，并在氧化硅片上形成在厚度方向上贯穿其的第一通孔，并且形成的第一通孔在邻近其第一表面具有较大的第一开口，在位于其第二表面上具有相对较小的第二开口；将氧化硅片的第一表面与衬底基板的具有第一器件结构和第二器件结构的一侧表面相键合，并在氧化硅片的背离衬底基板的一侧制作覆盖氧化硅片的氧化硅层，以封闭第一通孔。从而不仅有利于氧化硅片与衬底基板键合的过程中的应力释放，而且也便于对第一通孔进行密封。通过上述晶圆级的封装，实现了低成本的将加速度计传感器芯片与陀螺仪传感器芯片集成在一起。
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公开(公告)号：CN113023664B
公开(公告)日：2023-08-29
申请号：CN202110227413.3
申请日：2021-03-01
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本发明公开了一种微机电光电探测芯片以及制备方法。该微机电光电探测芯片包括：衬底；空气腔体，空气腔体位于衬底的第一表面，其中，空气腔体包括网状结构薄膜和腔体，网状结构薄膜覆盖腔体，且网状结构薄膜设置有至少一个释放孔，腔体用于连通不同的释放孔；悬浮结构，悬浮结构位于衬底的第一表面，悬浮结构覆盖空气腔体，其中，在远离空气腔体的方向上，悬浮结构依次包括支撑层和光电转换器件。本发明实施例提供的技术方案，降低了微机电光电探测芯片的工艺难度。
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公开(公告)号：CN112492491B
公开(公告)日：2023-03-14
申请号：CN202011531341.3
申请日：2020-12-22
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请公开了一种MEMS麦克风、微机电结构及其制造方法。该微机电结构包括：具有第一通孔的第一背极板；具有第二通孔的第二背极板，位于第一背极板上；振动膜，位于第一背极板与第二背极板之间，振动膜与第一背极板构成第一可变电容，与第二背极板构成第二可变电容；第一防护层，与振动膜分别位于第一背极板的两侧，用于阻挡异物经第一通孔进入第一背极板与振动膜之间的间隙；第二防护层，与振动膜分别位于第二背极板的两侧，用于阻挡异物经第二通孔进入第二背极板与振动膜之间的间隙；以及第二连接部，位于第二背极板表面并固接在第二防护层与第二背极板之间，以使第二防护层与第二背极板分隔。
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公开(公告)号：CN113666329A
公开(公告)日：2021-11-19
申请号：CN202111014721.4
申请日：2021-08-31
Applicant: 苏州敏芯微电子技术股份有限公司
Abstract: 本申请提供了一种传感器结构及其制备方法、电子设备，该传感器结构包括：硅基底；设置在硅基底一侧的膜层结构，其中，硅基底远离膜层结构的一侧设置有空腔，硅基底包括第一部分和第二部分，第一部分与空腔相邻，第一部分远离膜层结构的表面与第二部分远离膜层结构的表面不在同一水平面上，且第一部分的厚度小于第二部分的厚度，以形成连通空腔与传感器结构之外的环境的通道。本申请实施例提供的传感器结构能够简化工艺、提高生产效率。
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