公开(公告)号：CN105185863A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510312681.X

申请日：2015-06-09

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李敬秀 ,  崔珉浩 ,  李真荧 ,  郭界永 ,  朴相昱

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1864 ,  H01L21/3003 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18

Abstract: 讨论了一种用于制造太阳能电池的方法。所述制造太阳能电池的方法包括以下步骤：在半导体基板上形成导电区；形成连接至所述导电区的电极；以及后加工所述半导体基板，以钝化所述半导体基板。所述后加工所述半导体基板包括用于在向所述半导体基板提供光的同时热处理所述半导体基板的主加工工序。所述主加工工序的温度为大约100℃至大约800℃，并且所述主加工工序的所述温度和光强度满足方程1750-31.8·T+(0.16)·T2≤I。这里，T是所述主加工工序的温度(℃)，而I是所述主加工序的所述光强度(mW/cm2)。

公开(公告)号：CN103325860A

公开(公告)日：2013-09-25

申请号：CN201310086279.5

申请日：2013-03-18

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 沈承焕 ,  金基修 ,  尹银彗 ,  黄有珠 ,  李永贤 ,  朴相昱

IPC: H01L31/0352 ,  H01L31/0216

CPC classification number: H01L31/02168 ,  H01L31/022425 ,  H01L31/068 ,  H01L31/0745 ,  H01L31/0747 ,  Y02E10/547

Abstract: 本发明涉及太阳能电池。该太阳能电池包括：第一导电类型的半导体衬底；发射极区，该发射极区具有与第一导电类型不同的第二导电类型，并位于半导体衬底的第一表面处；半导体区，该半导体区直接位于半导体衬底的与第一表面相反的第二表面上，在半导体衬底的第二表面上形成了电荷累积层，并包含第一导电类型的杂质；第一电极，该第一电极位于半导体衬底的第一表面上，并与发射极区相连接；以及第二电极，该第二电极位于半导体衬底的第二表面上，并与半导体衬底相连接。