公开(公告)号：CN105185863B

公开(公告)日：2018-11-02

申请号：CN201510312681.X

申请日：2015-06-09

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李敬秀 ,  崔珉浩 ,  李真荧 ,  郭界永 ,  朴相昱

IPC: H01L31/18

Abstract: 讨论了一种用于制造太阳能电池的方法。所述制造太阳能电池的方法包括以下步骤：在半导体基板上形成导电区；形成连接至所述导电区的电极；以及后加工所述半导体基板，以钝化所述半导体基板。所述后加工所述半导体基板包括用于在向所述半导体基板提供光的同时热处理所述半导体基板的主加工工序。所述主加工工序的温度为大约100℃至大约800℃，并且所述主加工工序的所述温度和光强度满足方程1750‑31.8·T+(0.16)·T2≤I。这里，T是所述主加工工序的温度(℃)，而I是所述主加工序的所述光强度(mW/cm2)。

公开(公告)号：CN105185865A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510481460.5

申请日：2015-06-17

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李敬秀 ,  崔珉浩 ,  朴相昱 ,  李真荧 ,  郭界永

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/6776 ,  H01L31/1864 ,  H05B3/0047 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/186

Abstract: 公开了一种太阳能电池的后加工设备。后加工设备执行包括用于对包括半导体基板的太阳能电池进行热处理、同时提供光至太阳能电池的主时段的后加工操作。后加工设备包括用于执行主时段的主区段。主区段包括用于提供热至半导体基板的第一热源单元以及用于提供光至半导体基板的光源单元。第一热源单元和光源单元位于主区段中。光源单元包括由等离子体发光系统(PLS)构成的光源。

公开(公告)号：CN105185865B

公开(公告)日：2017-06-23

申请号：CN201510481460.5

申请日：2015-06-17

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李敬秀 ,  崔珉浩 ,  朴相昱 ,  李真荧 ,  郭界永

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L21/67115 ,  H01L21/6776 ,  H01L31/1864 ,  H05B3/0047 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521

Abstract: 公开了一种太阳能电池的后加工设备。后加工设备执行包括用于对包括半导体基板的太阳能电池进行热处理、同时提供光至太阳能电池的主时段的后加工操作。后加工设备包括用于执行主时段的主区段。主区段包括用于提供热至半导体基板的第一热源单元以及用于提供光至半导体基板的光源单元。第一热源单元和光源单元位于主区段中。光源单元包括由等离子体发光系统(PLS)构成的光源。

公开(公告)号：CN105185863A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510312681.X

申请日：2015-06-09

Applicant: LG电子株式会社

Inventor： 李敬秀 ,  崔珉浩 ,  李真荧 ,  郭界永 ,  朴相昱

IPC: H01L31/18

CPC classification number: H01L31/1864 ,  H01L21/3003 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18

Abstract: 讨论了一种用于制造太阳能电池的方法。所述制造太阳能电池的方法包括以下步骤：在半导体基板上形成导电区；形成连接至所述导电区的电极；以及后加工所述半导体基板，以钝化所述半导体基板。所述后加工所述半导体基板包括用于在向所述半导体基板提供光的同时热处理所述半导体基板的主加工工序。所述主加工工序的温度为大约100℃至大约800℃，并且所述主加工工序的所述温度和光强度满足方程1750-31.8·T+(0.16)·T2≤I。这里，T是所述主加工工序的温度(℃)，而I是所述主加工序的所述光强度(mW/cm2)。