公开(公告)号：CN108701589A

公开(公告)日：2018-10-23

申请号：CN201780011255.X

申请日：2017-02-16

申请人： G射线瑞士公司

发明人： 汉斯·凡肯尼尔

IPC分类号： H01L21/18 ,  H01L21/265 ,  H01L21/324 ,  H01L27/146

CPC分类号： H01L27/14661 ,  H01L21/187 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/324 ,  H01L21/76254 ,  H01L27/14634 ,  H01L27/14636 ,  H01L27/14687 ,  H01L27/1469

摘要： 当界面缺陷被从浅注入扩散到界面的氢钝化时，不含氧化物的低温晶片键合准许电流穿过共价键合界面，而不受陷阱、复合中心和无意的缺陷引起的阻隔屏障的阻碍。包括与钝化界面状态的不含氧化物的低温共价晶片键合的系统和方法用于需要减少界面散射和载流子捕获以及跨越键合界面的有效电荷收集的各种应用中。

公开(公告)号：CN106571303B

公开(公告)日：2018-05-04

申请号：CN201510659197.4

申请日：2015-10-13

申请人： 上海新昇半导体科技有限公司

发明人： 肖德元

IPC分类号： H01L21/336 ,  H01L21/28 ,  H01L29/78 ,  H01L29/51

CPC分类号： H01L21/3003 ,  H01L29/4908 ,  H01L29/66545 ,  H01L29/66772 ,  H01L29/78615

摘要： 本发明揭示了一种半导体结构及其形成方法。所述半导体结构的形成方法，包括提供具有虚设栅极的衬底；在所述衬底上虚设栅极两侧通过气相外延沉积工艺形成掺杂有氘的源漏外延层；去除所述虚设栅极，并在所述虚设栅极处形成包括有栅氧化层的栅极结构，所述氘进入所述栅氧化层中。由此获得的半导体结构，由于使得氘进入栅氧化层中，从而在栅氧化层的界面处形成了稳定的共价键，有效改善了悬空键存在的问题；此外，能够提高器件在面对热载流子效应时的恢复能力，降低了热载流子效应对器件性能的影响。

公开(公告)号：CN107871661A

公开(公告)日：2018-04-03

申请号：CN201710865895.9

申请日：2017-09-22

申请人： 英飞凌科技股份有限公司

发明人： M·法齐内利 ,  J·G·拉文 ,  H-J·舒尔策

IPC分类号： H01L21/265 ,  H01L21/30 ,  H01L21/304 ,  H01L29/36

CPC分类号： H01L21/7806 ,  H01L21/76254 ,  H01L21/265 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/304 ,  H01L29/36

摘要： 一种用于分割半导体晶片的方法，包括将氢原子并入半导体晶片的至少分割区域。分割区域具有高于1·1015cm-3的氮原子浓度。该方法还包括在半导体晶片的分割区域处分割半导体晶片。

公开(公告)号：CN107400877A

公开(公告)日：2017-11-28

申请号：CN201710307116.3

申请日：2014-10-24

申请人： 朗姆研究公司

发明人： 巴德里·N·瓦拉达拉简 ,  龚波

IPC分类号： C23C16/452 ,  C23C16/455 ,  C23C16/505 ,  C23C16/36 ,  C23C16/32 ,  C23C16/30

CPC分类号： H01J37/32449 ,  C23C16/30 ,  C23C16/325 ,  C23C16/36 ,  C23C16/452 ,  C23C16/45502 ,  C23C16/505 ,  H01J37/32357 ,  H01J2237/327 ,  H01J2237/3321 ,  H01J2237/3326 ,  H01L21/02167 ,  H01L21/02274 ,  H01L21/3003

摘要： 本发明涉及含硅碳膜的化学气相沉积的基态氢自由基源，具体而言，通过下列步骤将薄层的含硅碳膜沉积在衬底上：从被提供给自由基发生室的氢气产生氢自由基；将氢自由基提供给经由多舱口气体分配器与衬底处理室分立的衬底处理室；以及使其中的氢自由基与同时被引入到衬底处理室的有机硅反应物作反应。在与有机硅反应物反应之前，氢自由基被允许在衬底处理室内的自由基弛豫区内弛豫到基态。

公开(公告)号：CN107255898A

公开(公告)日：2017-10-17

申请号：CN201710439378.5

申请日：2012-10-05

申请人： 科磊股份有限公司

发明人： 勇-霍·庄 ,  弗拉基米尔·德里宾斯基

IPC分类号： G02F1/355 ,  C30B33/12 ,  G01N21/55 ,  G01N21/95 ,  H01S3/109

CPC分类号： H01L21/3003 ,  C30B29/10 ,  C30B33/00 ,  C30B33/02 ,  G01N21/3563 ,  G01N21/59 ,  G01N21/8806 ,  G01N21/9501 ,  G01N2021/3568 ,  G01N2021/3595 ,  G01N2021/8477 ,  G01N2021/8822 ,  G01N2201/06113 ,  H01L21/322 ,  H01S3/027 ,  H01S3/094 ,  H01S3/109 ,  H01S3/1666 ,  G02F1/3551 ,  C30B33/12 ,  G01N21/55

摘要： 本发明是关于非线性光学晶体的钝化。本发明的一实施例包括暴露室，其经配置以含纳具有选定氢浓度的钝化气体，所述暴露室进一步经配置以含纳供暴露于所述室内的所述钝化气体的至少一个NLO晶体；钝化气体源，其流体连接到所述暴露室，所述钝化气体源经配置以将钝化气体供应到所述暴露室的内部部分；及衬底，其经配置以将所述NLO晶体固持于所述室内，所述衬底进一步经配置以使所述NLO晶体的温度维持处于或接近选定温度，所述选定温度低于所述NLO晶体的熔化温度。

公开(公告)号：CN106601663A

公开(公告)日：2017-04-26

申请号：CN201510683914.7

申请日：2015-10-20

申请人： 上海新昇半导体科技有限公司

发明人： 肖德元 ,  张汝京

IPC分类号： H01L21/762

CPC分类号： H01L21/76254 ,  H01L21/26513 ,  H01L21/3003 ,  H01L29/0649 ,  H01L29/32 ,  H01L21/76259

摘要： 本发明提供一种SOI衬底及其制备方法，包括：提供第一衬底，所述第一衬底上形成有第一介质层；对所述第一衬底进行重氢离子注入，预定深度的所述第一衬底中形成重氢掺杂层；提供第二衬底，所述第二衬底上形成有第二介质层，将所述第一介质层与所述第二介质层相键合；进行热退火，所述重氢掺杂层中形成微气泡；从所述重氢掺杂层处切割所述第一衬底，形成SOI衬底。本发明的SOI衬底的上层硅中存在重氢离子，在后续器件形成栅氧化层或界面时，重氢能够扩散出，与界面处的悬空键结合，形成较为稳定的结构。并且，重氢离子可以消除器件中存在的缺陷，避免热载流子的穿透。从而不需要进行氢气退火以消除缺陷，简化器件的工艺流程，提高器件的性能及可靠性。

公开(公告)号：CN103383989B

公开(公告)日：2016-01-27

申请号：CN201310174068.7

申请日：2013-05-13

申请人： 友达光电股份有限公司

发明人： 吕思慧 ,  李明贤

IPC分类号： H01L51/50 ,  H01L51/56 ,  H01L27/32

CPC分类号： H01L29/78675 ,  H01L21/3003 ,  H01L27/1214 ,  H01L27/1248 ,  H01L27/127

摘要： 一种像素结构的制造方法，其至少包括下列步骤。于基板上形成图案化半导体层，且形成绝缘层覆盖图案化半导体层。形成图案化金属层于绝缘层上，再形成第一介电层覆盖图案化金属层。接着进行低温退火工艺，再进行等离子处理工艺。于等离子处理工艺之后，形成第二介电层覆盖第一介电层。形成第三介电层覆盖第二介电层。形成漏极与源极于第三介电层上，其中漏极与源极与图案化半导体层接触。形成保护层于漏极与源极上。形成像素电极于保护层上，且像素电极与漏极接触。本发明亦提出一种像素结构由上述像素结构的制造方法所制成。

公开(公告)号：CN105185863A

公开(公告)日：2015-12-23

申请号：CN201510312681.X

申请日：2015-06-09

申请人： LG电子株式会社

发明人： 李敬秀 ,  崔珉浩 ,  李真荧 ,  郭界永 ,  朴相昱

IPC分类号： H01L31/18

CPC分类号： H01L31/1864 ,  H01L21/3003 ,  H01L31/1868 ,  Y02E10/50 ,  Y02P70/521 ,  H01L31/18

摘要： 讨论了一种用于制造太阳能电池的方法。所述制造太阳能电池的方法包括以下步骤：在半导体基板上形成导电区；形成连接至所述导电区的电极；以及后加工所述半导体基板，以钝化所述半导体基板。所述后加工所述半导体基板包括用于在向所述半导体基板提供光的同时热处理所述半导体基板的主加工工序。所述主加工工序的温度为大约100℃至大约800℃，并且所述主加工工序的所述温度和光强度满足方程1750-31.8·T+(0.16)·T2≤I。这里，T是所述主加工工序的温度(℃)，而I是所述主加工序的所述光强度(mW/cm2)。

公开(公告)号：CN101597754B

公开(公告)日：2012-04-04

申请号：CN200910142568.6

申请日：2003-12-18

申请人： 应用材料有限公司

发明人： S·王 ,  E·A·C·桑柴兹 ,  A·陈

IPC分类号： C23C16/34 ,  H01L21/318 ,  H01L21/3105

CPC分类号： H01L21/0217 ,  C23C16/34 ,  C23C16/345 ,  C23C16/56 ,  H01L21/022 ,  H01L21/02271 ,  H01L21/0234 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/3185 ,  H01L29/665 ,  H01L29/6659

摘要： 本发明提供一种形成氮化硅膜的方法。根据本发明，通过对含硅/氮源气体或者含硅源气体和含氮源气体进行热分解来在低沉积温度(例如小于550℃)下沉积氮化硅膜，以形成氮化硅膜。然后利用氢自由基对热沉积的氮化硅膜进行处理以形成处理后的氮化硅膜。

公开(公告)号：CN102224594A

公开(公告)日：2011-10-19

申请号：CN200980146557.3

申请日：2009-02-03

申请人： 住友电气工业株式会社

发明人： 原田真 ,  增田健良 ,  和田圭司 ,  津守将斗

IPC分类号： H01L29/78 ,  H01L21/316 ,  H01L21/336 ,  H01L29/12

CPC分类号： H01L29/1608 ,  H01L21/02378 ,  H01L21/02433 ,  H01L21/02447 ,  H01L21/02529 ,  H01L21/3003 ,  H01L21/324 ,  H01L29/045 ,  H01L29/0878 ,  H01L29/36 ,  H01L29/6606 ,  H01L29/66068 ,  H01L29/7802 ,  H01L29/94

摘要： 本发明提供了一种具有诸如沟道迁移率的优良电特性的碳化硅半导体器件及其制造方法。一种半导体器件(1)包括：衬底(2)，衬底(2)由碳化硅制成并且其相对于{0001}的表面取向的偏离角大于或等50°且小于或等于65°；p型层(4)，所述p型层(4)用作半导体层；和氧化物膜(8)，所述氧化物膜(8)用作绝缘膜。p型层(4)形成在衬底(2)上并且由碳化硅制成。氧化物膜(8)被形成为接触p型层(4)的表面。在所述半导体层和所述绝缘膜之间的界面(沟道区和氧化物膜(8)之间的界面)的10nm内的区域中的氮原子浓度的最大值大于或等于1×1021cm-3。