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公开(公告)号：CN105000529A
公开(公告)日：2015-10-28
申请号：CN201510353479.1
申请日：2015-06-24
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本发明涉及一种基于MEMS工艺的多压力形式压力传感器芯片及其制备方法，所述压力传感器芯片在制备过程由表面微机械加工工艺决定产品量程，对于相同的表面工艺，可选择是否需要后工序，以分别制作密封表压、表压和绝压压力传感器芯片；对于高量程产品，芯片尺寸可以做到0.6mm；压敏电阻采用多晶硅电阻，具有低温漂和耐高温特性；敏感膜上设计质量块，可防止释放粘连现象，同时可提高压力传感器过载能力，质量块位于压敏电阻应力匹配区域，可提高压力传感器灵敏度和线性度。本发明涉及的基于MEMS工艺的压力传感器芯片工艺简单、芯片尺寸小、成本低、生产效率高、温度特性好、耐静电击穿能力强、可用于各种耐高温领域。
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公开(公告)号：CN118125372B
公开(公告)日：2024-10-18
申请号：CN202410291659.0
申请日：2024-03-14
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本发明涉及压力传感器封装技术领域，用于解决芯片在封装过程中容易出现偏移导致性能缺失，以及在注胶过程中会出现漏胶的问题，具体为利用MEMS技术实现高精度压力传感器加工的封装工艺，本发明是利用导电滚轮与不同阻值的电阻片接触，进而实现控制电流的大小，改变电磁体的磁吸能力，随着电磁体的磁吸能力变强，吸引永磁体进行移动，并通过一系列结构带动其下方设置的夹板对芯片进行夹持，使芯片的位置得到纠正，确保芯片的放置位置准确，待芯片位置得到校准后，通过微型电动推杆带动垫块下移并抵紧在芯片的顶部，有效减少胶水的流动易造成芯片的推动和移动的问题发生，进一步确保芯片封装的位置准确，使封装后的芯片性能得到保障。
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公开(公告)号：CN118621285A
公开(公告)日：2024-09-10
申请号：CN202411111245.1
申请日：2024-08-14
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明涉及一种多量子点基底的制备工艺。本发明提供第一PDMS基底；对所述第一PDMS基底进行辐照处理，以改善所述第一PDMS基底表面疏水性，得到亲水的第二PDMS基底；膨胀处理所述第二PDMS基底，得到亲水且膨胀的第三PDMS基底；在所述第三PDMS基底表面制作一层六方密排PS微球结构层；对所述六方密排PS微球结构层进行湿法刻蚀处理，使PS微球形成微锥形尖凸结构，形成六方排列PS微锥结构层；冷却处理所述第三PDMS基底，使其在冷却过程中发生收缩，使所述六方排列PS微锥结构层形成更高排列密度的六方密排PS微锥结构层；在所述六方密排PS微锥结构层上制备一层分子聚合物层。本发明能够显著提升柔性传感器的检测下限及灵敏度。
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公开(公告)号：CN115493667B
公开(公告)日：2024-08-13
申请号：CN202110679837.3
申请日：2021-06-18
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
IPC分类号： G01F15/00
摘要： 本发明公开了一种基于流量传感器的气液监测控制系统，包括控制箱，所述控制箱内径直穿过有进液管与进气管，所述进液管与进气管内均转动连接有转轴，所述转轴外壁轴向分布有多块扇叶，所述控制箱内设有挤压腔。本发明通过设置弹性机构、挤压机构与循环机构，在进液管流通液体的时候能利用扇叶带动转轴转动，转轴转动的时候能利用其外壁的凸轮往复挤压两侧的推杆，利用推杆可以推动活塞在泵液腔内移动，在通过弹簧的弹力带动活塞恢复原位，因此可以将冷却箱内的冷却液利用吸液管吸入，利用出液口与出液管送回冷却箱内，可以将出液管缠绕在需要降温的设备外部，实现换热降温功能，从而保证设备工作温度的正常，避免高温短路事故发生。
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公开(公告)号：CN118010248A
公开(公告)日：2024-05-10
申请号：CN202410311833.3
申请日：2024-03-19
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本发明公开了基于MEMS压力传感器的温压多次修正系统，涉及温压修正技术领域，解决了现有技术中，无法结合分析以至于造成温压修正出现偏差的技术问题，具体为对MEMS压力传感器进行温压影响分析，判断MEMS压力传感器周边环境变动时温压数值影响是否正常；对监测对象进行温压可控性分析，判断监测对象运行过程中温压可控性是否满足实际需求，保证监测对象的监测准确性，同时对监测对象的温压修正进行合理监管控制；对监测对象的温压影响和控制效率进行结合分析，判断监测对象的温压控制或者温压影响监测是否准确，避免多影响条件下温压控制或者温压影响异常，造成温压修正出现偏差，导致监测对象的温压修正准确性降低。
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公开(公告)号：CN117571200B
公开(公告)日：2024-03-22
申请号：CN202410059395.6
申请日：2024-01-16
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
IPC分类号： G01L27/00 , G06F18/241 , G06F18/21 , G06F18/2433
摘要： 本发明属于压力测试领域，涉及数据分析技术，用于解决现有技术中的压力传感器水压疲劳测试系统无法对压力传感器的各类应用环境进行模拟的问题，具体是一种基于人工智能的压力传感器水压疲劳测试系统，包括动态测试模块、静态测试模块、测试分析模块以及优化分析模块，动态测试模块、静态测试模块、测试分析模块以及优化分析模块依次进行通信连接；动态测试模块用于对压力传感器进行动态测试分析；本发明可以对压力传感器进行动态测试分析，在测试时段内设置的测试时间点进行数据采集与分析得到正常系数，通过正常系数对压力传感器在水压缓慢匀速增长时的检测数据准确性进行判定，从而对准确性不合格的压力传感器进行筛选。
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公开(公告)号：CN117622588A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202410102956.6
申请日：2024-01-25
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
发明人： 刘同庆
摘要： 本发明公开了一种MEMS气体压力传感器用封口装置及其封口方法，用于解决人工对MEMS气体压力传感器进气口处贴合包装精准度较差，且整体封口效率低的问题；本发明是通过电机转动带动转轴以及转架同时转动，转轴转动时实现支柱上活动块以及传动块的上下活动，从而将传动块底部按压头下压至蓝膜的顶部，对于传动块的下降同时带动齿柱接触传动齿一，使得转动的传动齿一带动齿块侧存放块上升并接触传送带上MEMS气体压力传感器，将整个MEMS气体压力传感器抬起的同时完成对蓝膜两侧的抵接，最终实现蓝膜在MEMS气体压力传感器顶部的贴合，由于在整个MEMS气体压力传感器进气口上进行蓝膜切割贴合，整体贴合精度提高。
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公开(公告)号：CN117553884A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202410039937.3
申请日：2024-01-11
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
摘要： 本发明提供的一种适于热式流量传感器的气体流量标定系统，通过模组信息扫描器扫描获取模组铭牌信息，获取热式流量传感器对应的模拟量程范围，然后上位机按照预设标定程序，自动解析生成标定参数信息；与现有对热式流量传感器模组相比，本系统无需人工将标定参数信息逐个输入等的步骤，避免了出错的概率，提高标定参数信息获取的自动化程度以及可靠性。
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公开(公告)号：CN117500356A
公开(公告)日：2024-02-02
申请号：CN202410005931.4
申请日：2024-01-03
申请人： 无锡芯感智半导体有限公司
IPC分类号： H10N19/00 , H10N10/17 , H10N10/01 , B81B7/02 , B81B7/00 , B81C1/00 , G01N21/3504 , G01N21/3518
摘要： 本公开的实施例提供一种集成MEMS‑CMOS的气体传感器芯片及制备方法，包括：芯片包括芯片本体；芯片本体包括半导体结构层及集成于半导体结构层内的CMOS器件结构和MEMS器件结构；MEMS器件结构包括形成于半导体结构层的若干热电偶对，热电偶对包括冷端热电偶对和热端热电偶对；热端热电偶对设置于芯片本体中心热端处；冷端热电偶对一冷端热电偶作为正极与CMOS器件结构的漏极连接，冷端热电偶对另一冷端热电偶作为负极与CMOS器件结构的P+接触GND端连接；CMOS器件结构的栅极与外围电路的多路复选器连接；其中，利用导线层分别将负极和P+接触GND端连接，及将栅极与外围电路的多路复选器连接。
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