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公开(公告)号：CN1439160A
公开(公告)日：2003-08-27
申请号：CN01811709.0
申请日：2001-05-01
申请人： 莫塞德技术公司
CPC分类号： G11C7/06 , G11C15/04 , G11C15/043
摘要： 公开了一种用于检测CAM阵列的匹配线上的上升电压的匹配线读出电路。在接通电流源为匹配线提供电流并提高匹配线的电压之前，该电路将所述匹配线预充电到地。参考匹配线读出电路产生自定时控制信号以使电流源在预定时段保持接通。匹配线上读出的数据在电流源被断开之后被锁存，并且匹配线被预充电到地。由于本发明的匹配线读出电路将匹配线预充电到地而不是到电源电压VDD，因此功耗较少。通过读出匹配线电压上升到n沟道晶体管门限电位，提高了匹配线读出操作的速度。
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公开(公告)号：CN1212436A
公开(公告)日：1999-03-31
申请号：CN98117438.8
申请日：1998-08-31
申请人： 日本电气株式会社
IPC分类号： G11C15/00
CPC分类号： G06F17/30982 , G11C15/04
摘要： 本发明涉及一种采用相联存储器并带有路由器的网络系统,特别是其中的相联存储器还具掩码功能。当一个或多个存储数据与一个检索数据(105)相匹配时,一个相联存储器对所有对应于匹配的存储信息的掩码信息进行逻辑乘运算。把该逻辑乘的结果作为最短掩码信息,在初次检索操作中,把检索数据(105)输入到该相联存储器中,以把掩码信息输入到最短掩码线。在第二次检索操作中,把该最短掩码信息作为检索数据输入到该相联存储器。
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公开(公告)号：CN1106951A
公开(公告)日：1995-08-16
申请号：CN94104365.7
申请日：1994-04-19
申请人： 国际商业机器公司
CPC分类号： G11C15/04 , G06F12/0893 , G06F12/123 , G06F2212/1028 , Y02D10/13
摘要： 一种缓存器，在主字线上直接存储TAG、变址和LRU信息，并在局部字线上存储缓存线数据。在循环的早期可获得访问信息，使得缓存禁止不需要的局部字线，通过将主和局部字线排布在使存储的数据不受上面的噪声源影响的金属层上，缓存可不影响存储的数据而实现高频互连，该缓存包括高效地更新地更新所存储的LRU信息的电路，从而支持组合的数据有效/全LRU缓存协议。
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公开(公告)号：CN1058667A
公开(公告)日：1992-02-12
申请号：CN91105268.2
申请日：1991-08-02
申请人： 卡尔斯特电子工司
发明人： 卡尔斯特·拉斯·冈纳
CPC分类号： G11C11/419 , G06F7/483 , G06F8/31 , G06F8/311 , G06F9/30014 , G11C15/04
摘要： 本发明涉及应用VLSI技术的超高速存储器位单元，许多位单元可高密度地压缩，该位单元包括：一个单元电路(T1、T2、L1、L2、D1、D2；T1、T2、I1、I2、D1、D2)，其中位值是可存储的，该值不为“真”即为“假”；一条持续施加电压的第一联线(VCC)；第二、三、四联线(acc、d、d*)，每线可在不同控制状态下设置；第二、三、四联线的每种组合使存储器位单元处于一组功能状态中的一个独立状态。
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公开(公告)号：CN106997776B
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201610993939.1
申请日：2016-11-11
申请人： 联发科技股份有限公司
IPC分类号： G11C15/04
CPC分类号： G11C15/04 , G11C7/067 , G11C2207/002
摘要： 本发明提供一种感测放大器电路，包含：单端感测放大器；以及隔离开关，耦接在偏置节点与存储器设备的第一线之间，接收单端感测放大器的输出并选择性隔离该偏置节点与该第一线，以回应该单端感测放大器的该输出，其中该第一线耦接到该存储器设备的多个存储器单元。本发明所提出的感测放大器电路能够大幅降低搜索操作时的电路功耗。
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公开(公告)号：CN109119113A
公开(公告)日：2019-01-01
申请号：CN201810552109.4
申请日：2018-05-31
申请人： 瑞萨电子株式会社
发明人： 林大悟
IPC分类号： G11C15/04
CPC分类号： G11C15/04 , G06F3/0638 , G11C5/14 , G11C11/419 , G11C15/046
摘要： 一种半导体器件包括：N个子块，每个均包括存储器单元阵列；设置寄存器，用于指定第一至第N个条目数据中用于预搜索的条目数据的数量，第一至第N个条目数据被划分且分别对应于子块；以及搜索数据改变单元，用于基于寄存器的值改变用于搜索数据输入的数据布置顺序。用于预搜索的子块响应于指令根据改变单元改变的布置顺序搜索与用于预搜索的数据相匹配的条目数据，并且输出表示匹配或不匹配的搜索结果。后搜索的子块基于用于预搜索的子块的搜索结果在与阵列的每一行相关联地存储的条目数据中搜索除与用于预搜索的数据之外的用于后搜索的数据相匹配的条目数据，并且输出表示匹配或不匹配的搜索结果。
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公开(公告)号：CN105190762B
公开(公告)日：2018-06-12
申请号：CN201380074530.4
申请日：2013-12-26
申请人： 长瀬产业株式会社
CPC分类号： G11C15/046 , G06F17/30982 , G11C8/12 , G11C15/02 , G11C15/04 , Y02D10/45
摘要： 提供一种实现低电力消耗性与高速搜寻功能的新颖半导体装置及使用该半导体装置的方法。该半导体装置具备搜寻存储垫102及连接于搜寻存储垫的控制电路105，搜寻存储垫102设有朝y轴方向分配登录位址记入用位置，朝x轴方向分配关键数据的结构。搜寻存储垫藉由将关键数据分配区域沿y轴方向分割成多个，形成有多个分割存储单元。控制电路具有：输入部1051，供关键数据的输入；分割部1052，将输入到输入部的关键数据分割成多个；及写入部1053，将分割部所分割的各个关键数据以经分割的关键数据作为位址分配到分割存储单元，并将与经分割的各个关键数据对应的登录位址写入到分割存储单元。
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公开(公告)号：CN108022622A
公开(公告)日：2018-05-11
申请号：CN201711057260.2
申请日：2017-11-01
申请人： 格芯公司
发明人： 伊戈尔·阿尔寿威士基 , 罗伯特·M·侯尔 , 麦克·T·法葛诺 , A·帕蒂尔 , V·D·布特勒
IPC分类号： G11C15/04
CPC分类号： G11C15/04 , G11C7/12 , G11C29/021 , G11C29/025 , G11C29/026 , G11C29/12 , G11C2029/1204
摘要： 本发明涉及一种用于多位差错侦检电路的三元按内容寻址存储器，其揭露预充电电路，包括接收早期预充电信号并输出反相早期预充电信号的第一反相器、接收晚期预充电信号与匹配线输出信号并输出AND输出信号的第一栅极、以及接收该反相早期预充电信号与该AND输出信号并输出有效预充电信号的第二栅极。
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公开(公告)号：CN107037983A
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201611242719.1
申请日：2016-12-29
申请人： 克劳帕斯科技有限公司
CPC分类号： G11C11/39 , G11C11/40607 , G11C15/04 , G11C16/3418 , G06F3/0619 , G06F5/10
摘要： 本文描述了用于判断位单元读取或写入速率是否需要刷新被存取的或相邻的位单元的方法和系统。刷新经历了高频页地址读取操作和写入操作的VLT存储器位单元有助于保持存储在VLT存储器位单元中的数据的完整性。该方法和系统判断在每个RAS周期期间页地址读取操作或写入操作的速率是否超过一段时间内的最大速率，并且如果该速率超过最大速率则有条件地引起刷新操作。该方法和系统输出写回信号以引起对相关联的VLT存储器位单元的刷新，以防止存储在相关联的VLT存储器位单元中的数据受损。
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