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公开(公告)号:CN118782402A
公开(公告)日:2024-10-15
申请号:CN202411140428.6
申请日:2024-08-20
Applicant: 西北有色金属研究院
Abstract: 本发明公开了一种三维多孔Ti3C2Tx膜材料的制备方法,该制备方法包括以下步骤:步骤一、Ti3C2Tx纳米片分散溶液滴入表面活性剂F127溶液中搅拌,得到混合溶液;步骤二、将混合溶液真空抽滤后干燥成膜;步骤三、将膜热解得到Ti3C2Tx膜材料;本发明还公开了Ti3C2Tx膜材料及其用途。本发明的制备方法通过将Ti3C2Tx滴入表面活性剂F127溶液中搅拌,表面活性剂F127为软模板与Ti3C2Tx纳米片自组装,通过真空抽滤及干燥形成表面活性剂F127均匀分布的膜,通过热解使膜内表面活性剂F127分解,得到Ti3C2Tx膜材料,该Ti3C2Tx膜材料具有优异的电化学性能,适用于超级电容器领域。
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公开(公告)号:CN118737717A
公开(公告)日:2024-10-01
申请号:CN202410887643.6
申请日:2024-07-03
Applicant: 山东科技大学
Abstract: 本发明提供了一种具有高电容的水泥基电极超级电容器及其制备方法,涉及超级电容器技术领域。针对负极处理如下:1)成型水泥基材料中,掺入炭黑和矿渣,养护;2)通过氯化铵溶液浸泡对其进行脱钙。针对正极处理如下:成型水泥基材料中,掺入炭黑、磷酸二氢钾、氢氧化钙,养护。本发明通过分别调控正负电极材料,实现电极材料对正负电荷吸附能力的提升,从而提高电极的电荷储存容量上限。
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公开(公告)号:CN118702152A
公开(公告)日:2024-09-27
申请号:CN202410919416.7
申请日:2024-07-10
Applicant: 华东理工大学
IPC: C01G49/06 , C01G49/08 , C01G49/12 , C01G39/06 , C01B32/15 , B82Y40/00 , B82Y30/00 , H01G11/24 , H01G11/30 , H01G11/32 , H01G11/44 , H01G11/50 , H01G11/06
Abstract: 本发明提供了一种铁基复合硫化钼纳米棒、负极材料制备方法及应用,铁基复合硫化钼纳米棒的制备方法,包括以下步骤:S1、氯化亚锡、氯化铁、水和乙醇水热反应生成纳米棒前驱体;S2、利用S1中生成的纳米棒材料前驱体、Tris缓冲液、盐酸多巴胺反应生成纳米棒材料;S3、利用S2中生成的纳米棒材料与水、钼源、碳源、硫源水热反应生成复合材料前驱体;S4、通过高温煅烧形成纳米棒复合物。采用该方法制备得到的铁基复合硫化钼纳米棒可以适应Li+嵌入/脱出过程中纳米颗粒的体积变化,并具有良好的导电性。
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公开(公告)号:CN118695566A
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202410671500.1
申请日:2024-05-28
Applicant: 安徽工程大学
Abstract: 本发明公开了碳/钴/碳化硅陶瓷复合气凝胶吸波材料及其制备方法和应用,属于功能材料技术领域,制备方法为:先制备羟乙基纤维素/聚丙烯腈纤维凝胶(缩写为HEC/PAN),并利用聚合物先驱体的分子可设计性,通过添加含钴的金属化合物进行化学改性制备含钴的单源先驱体,调控其物理和化学性质;再将含钴的单源先驱体与HEC/PAN多级结构复合,制备出碳/钴/碳化硅陶瓷复合气凝胶。本发明制备方法简单,原料便宜易得,制备温度低,制得的材料具有吸波性能优异、孔隙率较高、轻质、比表面积大等特点,可以作为电磁波吸收材料,也可应用于隔热材料或超级电容器等领域。
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公开(公告)号:CN118692836A
公开(公告)日:2024-09-24
申请号:CN202410507079.0
申请日:2023-03-29
Applicant: 重庆中科超容科技有限公司
Abstract: 本发明涉及电化学电极材料领域,公开了一种电容器用电极材料的制备方法,将导电剂、粘结剂以及电极活性材料按质量比为1:1:8进行混合,并研磨至无反光点,再量取200μL~1mL的溶剂,并与研磨的粉末混合均匀,形成的浆料均匀涂抹在集流体上,涂覆面积为1cm×1cm,并进行恒温干燥。本发明的技术方案能够提高电容器的能量密度。
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公开(公告)号:CN118658738A
公开(公告)日:2024-09-17
申请号:CN202410963090.8
申请日:2023-06-14
Applicant: 威海职业学院(威海市技术学院)
Abstract: 本发明属于锌离子混合电容器技术领域。本发明提供了一种硼氮共掺杂十二面体分层多孔碳及其制备方法和分层多孔碳电极。本发明将2‑甲基咪唑、二水醋酸锌和水混合后进行陈化,得到类沸石咪唑骨架材料ZIF‑8;ZIF‑8和四水硼酸铵混合后进行碳化,得到硼氮共掺杂十二面体分层多孔碳。本发明将类沸石咪唑骨架材料ZIF‑8作为碳源,用硼酸铵对多孔碳进行硼、氮共掺杂,经过一步碳化形成十二面体分层多孔结构,比表面积大,孔径大小适配锌离子混合电容器,利用硼、氮共掺杂效应,增加反应的活性位点,提高多孔碳材料的比容量和循环性能。本发明将分层多孔碳电极作为正极,提高了锌离子混合电容器的比容量和循环性能。
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公开(公告)号:CN118610012A
公开(公告)日:2024-09-06
申请号:CN202410675717.X
申请日:2024-05-29
Applicant: 曲阜师范大学
Abstract: 本发明属于混合电容器技术领域。公开了一种抗氧化性V2CTx材料的制备方法及其应用于混合电容器。所述方法包括:将1.0 g NaF溶于20 mL浓HCl中,再加入1.0 g V2AlC,在90℃下水热反应72 h,粉末用无水乙醇和去离子水洗后干燥得到V2CTx;将2 mmol对甲苯磺酸甲酯、2 mmol 1‑乙烯基咪唑、和2 mmol K2CO3溶于10 mL无水乙腈,在氮气保护下60℃回流24 h,滤液用去离子水萃取,杂质用乙酸乙酯萃取,取水相减压蒸馏得到离子液体RTIL;将V2CTx、1 M RTIL加入水和乙腈混合液中,H2加压至6 MPa,室温下在高压釜中搅拌48 h,水洗后冷冻干燥,得到V2CTx‑RTIL。本发明的方法具有简便易行、环境友好、适用广泛等优点。本发明所制备的材料与活性炭组装成混合电容器时,可输出与电池相媲美的高能量密度(193 Wh kg‑1)。
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公开(公告)号:CN118486551A
公开(公告)日:2024-08-13
申请号:CN202410651875.1
申请日:2024-05-24
Applicant: 国际竹藤中心
IPC: H01G11/32 , H01G11/24 , H01G11/30 , H01G11/46 , H01G11/26 , H01G11/04 , H01G11/34 , H01G11/86 , H01G11/44 , H01G11/36
Abstract: 本发明涉及一种竹薄壁细胞多孔炭氮接枝锰氧化物复合电极材料,竹薄壁细胞多孔炭的比表面积为1000‑1500m2/g,同时具有微孔和介孔,微孔率为60‑70%,介孔率20~30%,振实密度0.2‑0.3g/cm3,片状δ‑MnO2通过C‑N‑Mn键锚定在竹薄壁细胞多孔炭空腔内表面。本发明采用水热接枝的方式将MnO2以C‑N‑Mn键的方式锚定在竹薄壁细胞多孔炭表面,优化了复合界面并稳定电子传输结构。本发明的上述电化学储能复合材料结构稳定,形貌可控,比表面积大,该复合材料微观形貌呈现片状,更有利于电解质离子的传输,使得该复合材料的比容量可以达248.3mAh/g,在较高电流密度下反复充放电10000次后的电容保持率仍高达88.1%。
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公开(公告)号:CN118431437A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202410529468.3
申请日:2024-04-29
Applicant: 天津大学 , 宁波中车新能源科技有限公司
IPC: H01M4/36 , H01M4/505 , H01M4/525 , H01M4/66 , H01M4/131 , H01M10/0525 , H01G11/32 , H01G11/38 , H01G11/84 , H01G11/50
Abstract: 本发明涉及电容器领域,针对锂离子混合电容低温性能差的问题,提供锂钠双离子体系的多层复合正极、混合电容及混合电容的制备方法。多层复合正极的中间为集流体,集流体两侧涂覆有内层,内层外侧涂覆有外层,内层采用锂离子/电容碳混合电极,外层采用钠离子/电容碳混合电极,内层和外层的涂布面密度比为1:(0.25‑4);钠离子体系改善电容的低温性能,锂离子体系确保能量密度,从而在不降低混合电容能量密度的情况下提高器件的低温性能,且两层电极中均与电容炭进行混合,同时具备电化学储能和物理吸附储能方式。混合电容的正极为所述锂钠双离子体系的多层复合正极。本发明还提供所述混合电容的制备方法。
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公开(公告)号:CN118430986A
公开(公告)日:2024-08-02
申请号:CN202410874242.7
申请日:2024-07-02
Applicant: 天津师范大学
Abstract: 本发明涉及一种ZIF‑67阵列膜材料及其制备方法。所述ZIF‑67阵列膜材料的制备方法包括:将高活性钴金属层修饰的基底浸渍到2‑甲基咪唑配体水溶液中,ZIF‑67在钴金属层表面原位结晶成核,其中高活性钴金属修饰层为ZIF‑67的成核提供活性位点和金属源;向溶液中加入硝酸钴水溶液,提高液相钴离子浓度,促进ZIF‑67晶体垂直于基底表面方向的定向生长,得到均匀连续的ZIF‑67阵列膜。本发明所述制备方法简单易行、条件温和,制备得到的ZIF‑67阵列膜由垂直于基底表面生长的棒状或线状晶体组成,具有较高的电活性比表面积,在超级电容器方面显示出较高的面积比电容和良好的循环稳定性,具有良好的应用前景。
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