一种AlN陶瓷盘的制备方法
    31.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118754677A

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202410934633.3

    申请日:2024-07-12

    摘要: 本发明提供了一种AlN陶瓷盘的制备方法,所述制备方法包括如下步骤:(1)湿法混合分散剂与烧结助剂,得到初混料;(2)混合AlN粉末与步骤(1)所得初混料,得到混合料;(3)混合有机溶剂、粘结剂以及步骤(2)所得混合料,得到混合浆料;(4)对步骤(3)所得混合浆料进行真空除泡,然后放置于石膏模具中进行干燥,得到AlN生坯;(5)步骤(4)所得AlN生坯依次经脱脂与烧结,得到AlN陶瓷盘。本发明提供的制备方法将浆料注入到石膏模具中,利用石膏模具的毛细管将浆料中的水分吸收,最终得到具有一定强度的生坯,再经过烧结即可得到质量良好的AlN陶瓷盘,本发明提供的制备方法工艺简单、制备成本低,易于大批量生产。

    一种具有高导热的氮化铝陶瓷件
    32.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118754676A

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202410916870.7

    申请日:2024-07-09

    发明人: 刘维华 刘庆锋

    摘要: 本发明公开了一种具有高导热的氮化铝陶瓷件,涉及眼科手术培训,包括配料、混拌球磨、除泡、脱脂、固化干燥、烧结及以下原料:焊条、合金粉、AIN粉、分散剂、烧结助剂、环氧树脂、消泡剂、固化剂等原料,配料包括有机溶剂及选用乙醇、丙醇、丁醇和乙二醇中的一种或几种做溶剂,加入分散剂和低黏度环氧树脂,搅拌均匀形成预混液。本发明一种具有高导热的氮化铝陶瓷件,减少气泡的存在率,在保证氮化铝陶瓷高导热的同时能够提高氮化铝陶瓷的除泡效率,防止氮化铝陶瓷件加工时出现崩边、碎裂等情况,提高氮化铝陶瓷的生产效率,使氮化铝陶瓷件的耐磨、耐蚀及耐热性能进一步增强,提高氮化铝陶瓷件的抗熔融金属侵蚀性强度。

    一种低温共烧陶瓷用浆料及其制备方法

    公开(公告)号:CN118754625A

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202410943363.2

    申请日:2024-07-15

    发明人: 贾子康 陈立桥

    摘要: 本发明提供了一种低温共烧陶瓷用浆料及其制备方法,所述低温共烧陶瓷用浆料包括以下重量百分比的各组分:无机粉体62%~75%、溶剂20%~30%、树脂2%~14%、增塑剂0.5%~6.5%、分散剂0.2%~1.5%,所述无机粉体包括D50为1~3μm的主体粉体及D50为0.5~1μm的填充粉体,所述填充粉体的重量占所述无机粉体重量的5%~20%。本发明通过增加浆料中无机粉体所占比例,减小了流涎成型过程中X方向上粉体密度减小的幅度;另外,通过设置主体粉体及填充粉体的比例,可有效填充主体粉体及树脂间缝隙,提高生带密度,降低XY方向密度差异,进一步减小两个方向的收缩率差异。

    氧化铝基陶瓷多面体研磨介质及其制备方法

    公开(公告)号:CN118439850B

    公开(公告)日:2024-10-11

    申请号:CN202410896024.3

    申请日:2024-07-05

    摘要: 本发明涉及氧化铝基陶瓷研磨介质领域,尤其涉及氧化铝基陶瓷多面体研磨介质及其制备方法。由以下步骤制得:将氧化铝、氧化锆、板状晶诱发剂和烧结助剂球磨后得混合粉料;将混合粉料、分散剂、粘结剂和水在真空中充分混合,得到粉体料浆,静置;将粉体料浆雾化造粒得到球形造粒粉体,然后进行干燥;将干燥后的造粒粉体压制成型,得到多面体陶瓷坯体;将陶瓷坯体进行排胶;将陶瓷坯体高温烧结分段降温至室温,即得氧化铝基陶瓷多面体陶瓷研磨介质;所述雾化造粒中,粉体料浆在流道内进行预热,预热温度40~80℃。控制雾化造粒的工艺,得到的球形造粒粉体粒径分布均匀,且造粒粉体粒径尺寸分布窄、组分均匀,解决了后续成型、烧结的技术瓶颈。

    一种高功率密度高电阻率低功耗锰锌铁氧体的制备方法

    公开(公告)号:CN118724579A

    公开(公告)日:2024-10-01

    申请号:CN202411224026.4

    申请日:2024-09-03

    摘要: 本发明属于磁性材料技术领域,涉及一种高功率密度高电阻率低功耗锰锌铁氧体的制备方法。锰锌铁氧体包含主成分和辅助成分,主成分包含Fe2O3、ZnO和Mn3O4,辅助成分中掺杂有纳米SiO2和纳米CaCO3,可反应生成CaSiO3,该玻璃相物质有助于大幅增加晶界电阻率,降低材料涡流损耗;CaSiO3玻璃相的生成温度范围大致在750~1000℃,为进一步提高材料电阻率,故在该降温段降低降温速率,延长降温时间,使液相可以更均匀的分布在晶界,防止液相富集于晶界,造成性能恶化;通过控制降温速率和氧含量,调控铁和锰变价元素离子价态,改善材料损耗。通过以上掺杂并配合烧结工艺,成功制作出在1.5~2.0MHz,100mT下具有高电阻率低功耗的锰锌软磁铁氧体材料。

    一种电瓷绝缘子及其制备方法

    公开(公告)号:CN118580063B

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202411075466.8

    申请日:2024-08-07

    发明人: 邓理平 易鹏 易磊

    摘要: 本发明涉及电瓷绝缘子技术领域,公开了一种电瓷绝缘子及其制备方法,该电瓷绝缘子包括以下重量份的原料:陶瓷粉30‑40份、改性莫来石15‑25份、六钛酸钾晶须7‑13份、膨润土3‑10份、分散剂3‑5份、矿化剂2‑5份;改性莫来石制备过程如下:(1)将莫来石晶须、氯化镁、氯化铝和氧化海藻酸钠、氢氧化钠和水混合,超声分散均匀;(2)将步骤(1)的混合溶液转移至水热合成釜中,氮气保护下加热反应一段时间,过滤收集产物;(3)将步骤(2)的产物洗涤后浸入至羧甲基纤维素钠的水溶液中,搅拌反应后过滤、干燥至恒重即得。本发明制备得到的电瓷绝缘子具有良好的机械性能和稳定性。

    氮化铝陶瓷及其制备方法
    40.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118684500A

    公开(公告)日:2024-09-24

    申请号:CN202411158462.6

    申请日:2024-08-22

    摘要: 本公开涉及陶瓷材料领域,具体涉及一种氮化铝陶瓷及其制备方法。该氮化铝陶瓷制备方法包括:将氮化铝粉体与烧结助剂混合得到混合粉料,并对所述混合粉料进行压制成型,得到氮化铝陶瓷生坯;所述氮化铝粉体的含碳量为0.05~0.1wt%,含氧量为0.6~1.2wt%;对所述氮化铝陶瓷生坯进行烧结,得到氮化铝陶瓷。本公开提供的氮化铝陶瓷制备方法能够降低氮化铝陶瓷制备的制备成本。