公开(公告)号：CN117438419A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202210808454.6

申请日：2022-07-11

申请人： 上海曦智科技有限公司

发明人： 孟怀宇 ,  沈亦晨

IPC分类号： H01L25/16 ,  H01L23/538 ,  G02B6/42

摘要： 本发明实施例涉及半导体领域，提供了一种半导体封装以及半导体封装的数据传输方法，半导体封装包括：光子集成电路芯片；多个存储器芯片；第一芯片，其电连接至所述光子集成电路芯片，从而与所述光子集成电路通过电信号传输数据；以及，所述第一芯片电连接至所述多个存储器芯片中的每一个，从而与所述多个存储器芯片中的每一个分别通过电信号传输数据。

公开(公告)号：CN114639639B

公开(公告)日：2023-10-17

申请号：CN202210272339.1

申请日：2022-03-18

申请人： 上海曦智科技有限公司

发明人： 孟怀宇 ,  沈亦晨 ,  王宏杰

IPC分类号： H01L21/98 ,  H01L25/18 ,  G02B6/122 ,  G02B6/42

摘要： 本发明提供了一种封装结构的制作方法及封装结构，其中，所述方法包括：提供半导体晶片，所述半导体晶片包括多个第一半导体芯片，该半导体晶片上的多个第一半导体芯片构成一个整体结构，针对每个所述第一半导体芯片，提供与该第一半导体芯片对应的至少一个第二半导体芯片以及至少一个裸硅片，并将所述至少一个第二半导体芯片以及所述至少一个裸硅片分别固定在该第一半导体芯片的第一表面的非光耦合区上，所述至少一个裸硅片环绕光耦合区，实现了无塑封的3D芯片堆叠封装，在防止所述第一半导体芯片发生翘曲的同时，还对光耦合接口界面形成了保护。

公开(公告)号：CN116667936A

公开(公告)日：2023-08-29

申请号：CN202210148039.2

申请日：2022-02-17

申请人： 上海曦智科技有限公司

发明人： 安德鲁·克尼亚泽夫 ,  孟怀宇 ,  沈亦晨

IPC分类号： H04B10/54 ,  G06F17/16 ,  G06F17/17

摘要： 本发明涉及计算机技术领域，其提供了一种确定引导随机数据采样方法及其系统。所述确定引导随机数据采样方法包括：S1，通过第一转换模块将输入数据转换为光信号，光信号的平均强度是可变的；S2，通过光子计算模块，根据引导数据将所述光信号转换为引导光信号，引导光信号的平均强度随光信号的平均强度变化而变化；S3，通过第二转换模块将所述引导光信号转换为输出数据并输出；其中，所述第一转换模块、光子计算模块、第二转换模块中的至少一者产生的噪声被加入到输出数据中，以向输出数据添加扰动。本发明在光域和模拟域中产生扰动，不仅可以使输出数据在组合优化问题求解运算中快速收敛到期望的解，并且相对于数字域的扰动可以大大提高速度。

公开(公告)号：CN116360045A

公开(公告)日：2023-06-30

申请号：CN202310315274.9

申请日：2023-03-28

申请人： 上海曦智科技有限公司

发明人： 陈俊杰 ,  薛志全 ,  孟怀宇 ,  沈亦晨

IPC分类号： G02B6/42 ,  G06E3/00

摘要： 本发明涉及一种封装及其制造方法、光纤组件的制造方法、光子计算设备。光子计算设备包括封装，以及光子集成电路芯片；其中，所述封装中的所述光纤包括第一端以及第二端，所述第一端被配置为接收来自所述封装中的所述光源的光，所述第二端被配置为耦合至所述光子集成电路芯片。

公开(公告)号：CN116263518A

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202111516863.0

申请日：2021-12-13

申请人： 上海曦智科技有限公司

发明人： 苏湛 ,  达迪·塞蒂亚迪 ,  徐叶龙 ,  吴建华 ,  柏艳飞 ,  朱云鹏 ,  邹静慧 ,  孟怀宇 ,  沈亦晨

IPC分类号： G02B6/12 ,  G02B6/122 ,  G02B6/136

摘要： 本发明涉及光子集成电路领域，其提供了一种波导结构的制造方法，包括：形成第一材料层；基于所述第一材料层形成第一波导、第二波导，所述第一波导与所述第二波导具有间隔；形成第二材料层；基于所述第二材料层形成波导耦合结构，所述波导耦合结构分别与第一波导、第二波导光学耦合，以使得第一波导与第二波导实现光连接。可以使得波导连接范围不仅局限于一次曝光所限定的区域，将不同曝光区域的波导实现互连，减少波导互连时对准的精度要求，还能够有效避免波导连接时的接合缺陷。

公开(公告)号：CN114063229B

公开(公告)日：2023-06-16

申请号：CN202111162695.X

申请日：2021-09-30

申请人： 上海曦智科技有限公司

发明人： 吴建华 ,  卢正观 ,  孟怀宇 ,  沈亦晨

IPC分类号： G02B6/42

摘要： 本发明涉及光子集成电路领域，其提供了一种半导体装置。在一些实施方式中，所述半导体装置包括：PIC芯片，其包括孔中导电结构；第一电子集成电路芯片即第一EIC芯片，所述第一EIC芯片设置在所述PIC芯片的第一表面；第二电子集成电路芯片即第二EIC芯片，所述第二EIC芯片设置在所述PIC芯片的第二表面；其中，所述第一EIC芯片通过所述PIC芯片的所述孔中导电结构电连接至所述第二EIC芯片本发明的半导体装置优化了PIC芯片的布线并能够抑制因布线过长导致的电压压降，优化了封装结构。

公开(公告)号：CN116184566A

公开(公告)日：2023-05-30

申请号：CN202111421942.3

申请日：2021-11-26

申请人： 上海曦智科技有限公司

发明人： 徐叶龙 ,  孟怀宇 ,  沈亦晨

IPC分类号： G02B6/12 ,  G02B6/42

摘要： 本申请实施例提供一种半导体封装结构、信息传输方法、制造方法及光互联设备。其中，半导体封装结构，包括：光互连基板；光互连基板包括：第一导电布线单元、第二导电布线单元、光波导单元以及用于实现光信号与电信号之间的转换的第一转换单元和第二转换单元；第一转换单元和第二转换单元分别耦合至光波导单元；第一导电布线单元与第一转换单元电连接；第二导电布线单元与第二转换单元电连接；安装在光互连基板上的第一芯片和第二芯片；第一芯片与第一导电布线单元电连接，第二芯片与第二导电布线单元电连接，通过光互连基板实现第一芯片和第二芯片之间的通信。该技术方案可降低能量损耗，减少延迟、降低串扰程度，有助于提高芯片之间的互连性能。

公开(公告)号：CN115903278A

公开(公告)日：2023-04-04

申请号：CN202211143597.6

申请日：2022-09-20

申请人： 上海曦智科技有限公司

发明人： 苏湛 ,  孟怀宇 ,  沈亦晨

IPC分类号： G02F1/01 ,  G02F1/21 ,  G02F1/225 ,  G02B6/12 ,  G02B6/134

摘要： 一种用于调制光波的装置，包括：缝隙波导结构，其包括：被掺杂以包括具有第一导电类型的区域的第一较高折射率结构，被掺杂以包括具有第一导电类型的区域的第二较高折射率结构，以及第一和第二较高折射率结构之间的一个或多个缝隙区域。该一个或多个缝隙区域具有比第一和第二较高折射率结构更低的折射率。该装置包括第一支撑结构，使第一较高折射率结构能够移动以改变一个或多个缝隙区域中的至少一个的尺寸。第一支撑结构被掺杂以包括具有不同于第一导电类型的第二导电类型的区域。该装置包括第二支撑结构，使第二较高折射率结构能够移动以改变一个或多个缝隙区域中的至少一个的尺寸。第二支撑结构被掺杂以包括具有第二导电类型的区域。

公开(公告)号：CN115877628A

公开(公告)日：2023-03-31

申请号：CN202211136537.1

申请日：2022-09-19

申请人： 上海曦智科技有限公司

发明人： 苏湛 ,  孟怀宇 ,  沈亦晨

IPC分类号： G02F1/21 ,  G02F1/225 ,  G02F1/015 ,  G02F1/025 ,  G02B6/12

摘要： 一种装置，包括双波导光学相位调制器，该双波导光学相位调制器包括第一波导和第二波导，其中第一波导和第二波导中的每一个包括第一波导芯结构和第二波导芯结构。第一波导芯结构或第二波导芯结构中的至少一个包括脊。

公开(公告)号：CN114823358A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210272769.3

申请日：2022-03-18

申请人： 上海曦智科技有限公司

发明人： 王宏杰 ,  孟怀宇 ,  沈亦晨

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  H01L23/31 ,  H01L25/18

摘要： 本发明提供了一种封装结构的制作方法及封装结构，其中，所述方法包括：提供半导体晶片，所述半导体晶片包括多个第一半导体芯片，该半导体晶片上的多个第一半导体芯片构成一个整体结构，针对每个所述第一半导体芯片，在第一半导体芯片的非光耦合区上制作环绕光耦合区的光耦合区保护环，使得在第一半导体芯片的非光耦合区上制作塑封层时，令光耦合区的上表面不被塑封层覆盖，保护光耦合区内光耦合接口不被塑封层中的有机物污染的同时，还保证了光耦合区的表面纯净，有利于后续光耦合接口能够与光纤阵列维持较高的耦合效率。