一种具有空穴注入结构电子阻挡层的发光二极管

    公开(公告)号:CN111599902B

    公开(公告)日:2022-02-11

    申请号:CN202010578531.4

    申请日:2020-06-23

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有空穴注入结构电子阻挡层的发光二极管,包括:由下向上依次设置的衬底、氮化物缓冲层、n型氮化物层、多量子阱有源区、空穴注入结构电子阻挡层、p型氮化物层、透明导电层,还包括设置在所述n型氮化物层上的n型电极,以及设置在所述透明导电层上的p型电极。本发明空穴注入结构电子阻挡层的发光二极管实现有源区与电子阻挡层之间的应力匹配,有效抑制电子的泄露,同时降低Mg扩散进入有源区的概率,进而提升LED的发光效率;提高空穴的纵向迁移能力,从而显著提升空穴注入效率;异质结界面处的极化电场在空穴注入层一侧形成的二维空穴气,改善电流的拥堵效应。

    硅基偏振旋转器转换光信号偏振态的方法

    公开(公告)号:CN112630995A

    公开(公告)日:2021-04-09

    申请号:CN202110029699.4

    申请日:2021-01-11

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明提出了硅基偏振旋转器转换光信号偏振态的方法,该硅基偏振旋转器包括依次级联的模式转换器和非对称多模波导光栅,所述的模式转换器由三级锥形波导级联而成;所述模式转换器,将输入光信号的磁场方向与传播方向垂直的横磁模基模即TM0模式转换为电场方向与传播方向垂直的一阶横电模即TE1模式输出到非对称多模波导光栅,以及将从非对称多模波导光栅反射回来的TE1模式转换为TM0模式,而输入光信号的电场方向与传播方向垂直的横电模基模即TE0模式的传输不改变偏振态;所述非对称多模波导光栅,将从模式转换器输出的TE0模式反射为TE1模式输入回模式转换器,转换为TM0模式,并将从模式转换器输出的TE1模式反射为TE0模式,输入回模式转换器,偏振态不变。

    一种基于LNOI材料制备的小型化宽带偏振分束器

    公开(公告)号:CN112612080A

    公开(公告)日:2021-04-06

    申请号:CN202011535391.9

    申请日:2020-12-23

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于LNOI材料制备的小型化宽带偏振分束器,包括二氧化硅基底、LiNO3波导和二氧化硅包层;其中LiNO3波导包括输入波导、第一亚波长光栅、第二亚波长光栅、第一拉锥、第二拉锥、S型弯曲波导、连接波导、第一输出波导和第二输出波导且依次相连接,光由输入波导输入并从第一输出波导或第二输出波导输出;第二亚波长光栅通过连接波导与第二输出波导相连接,且第一亚波长光栅内TM模式有效折射率与第二亚波长光栅内TM模式有效折射率一致,TE模式有效折射率不一致。本发明实现对不同偏振态的入射光进行分束的功能,应用于偏振复用系统、偏振滤波、相干光通信等具有带宽大、偏振消光比高、插入损耗小、尺寸小优点。

    一种具有横向耗尽区的高电子迁移率晶体管

    公开(公告)号:CN111682067A

    公开(公告)日:2020-09-18

    申请号:CN202010577585.9

    申请日:2020-06-23

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种具有横向耗尽区的高电子迁移率晶体管,芯片层结构包括由下至上依次设置的衬底、GaN缓冲层、第一电流阻挡层、N-GaN横向耗尽区、第二电流阻挡层、GaN沟道层,AlxGa1-xN势垒层,以及设置在所述N-GaN横向耗尽区右侧和所述GaN沟道层右侧的绝缘层,其中0

    一种基于掩埋型硅波导的石墨烯混合等离子调制器

    公开(公告)号:CN108873391A

    公开(公告)日:2018-11-23

    申请号:CN201810763703.8

    申请日:2018-07-12

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于掩埋型硅波导的石墨烯混合等离子调制器,包括混合等离子波导和石墨烯三明治结构,其中混合等离子波导由两个银波导和一个掩埋型硅波导组成。调制器由6层结构构成,从上至下依次为两个银等离子波导,氧化铝隔离层,石墨烯三明治结构,氧化铝隔离层,掩埋型硅波导,二氧化硅衬底。所述石墨烯三明治结构由上单层石墨烯、中间氧化铝隔离介质和下单层石墨烯组成。以及,所述的上下单层石墨烯分别与左右金属电极接触,所述上下单层石墨烯在左右金属电极的电信号作用下实现光调制器的开启和关闭。本发明可以实现高调制深度、低传输损耗、高调制带宽的光调制,可以在集成高速全光网络中获得应用。

    一种功能型表面增强拉曼散射探针的制备方法

    公开(公告)号:CN101089614A

    公开(公告)日:2007-12-19

    申请号:CN200710024581.2

    申请日:2007-06-22

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 一种功能型表面增强拉曼散射探针的制备方法涉及激光拉曼光谱检测领域,具体涉及一种功能型表面增强拉曼散射探针的制备方法及其应用于细胞内pH传感和细胞内多组分探测。该制备方法是将10-5M敏感材料与银胶或金胶溶液按体积比3∶1000~300∶1000混和均匀,再以体积比3∶1~10∶1加入0.1M的氯化钠溶液,得到功能型表面增强拉曼散射探针;该探针尺寸在20~50nm范围,是水溶性的。所述的敏感材料以氨基(-NH2)作为pH敏感基团并含有易于与金属表面结合的基团。本发明的功能型SERS探针具有超高的灵敏度,适用的激发波长范围广,提高了测量的可靠性。实现对细胞的多方位实时、在线探测。

    基于SOI材料的光栅辅助反向耦合器型粗波分复用器

    公开(公告)号:CN115032740B

    公开(公告)日:2024-05-24

    申请号:CN202210711967.5

    申请日:2022-06-22

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于SOI材料的光栅辅助反向耦合器型粗波分复用器,包括SiO2包层和内部基于硅材料制备的粗波分复用器结构。所述粗波分复用器结构是由光栅辅助反向耦合器串联而成,包括中心波导、单侧壁布拉格光栅辅助的耦合波导、螺旋损耗线、弯曲波导和输出端直波导。第一级反向耦合器的输入端连接输入端口直波导,最后一级反向耦合器的透射端连接透射端口的直波导;每级光栅辅助反向耦合器中,中心波导的输入端(左端)与上一级反向耦合器的透射端通过直波导相连接,耦合波导的反射端(左端)分别连接输出端口,耦合波导的右端连接螺旋损耗线。本发明可实现多种波段光信号的粗波分复用,具有低插损、低串扰和显著平顶响应的特点。

    一种基于SOI材料制备的双注入微环型可重构多频谱响应单元

    公开(公告)号:CN115128880A

    公开(公告)日:2022-09-30

    申请号:CN202210454239.0

    申请日:2022-04-27

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于SOI材料制备的双注入微环型可重构多频谱响应单元,包括基于SOI材料制备的三个对称马赫泽德干涉仪、两组各自等长的连接波导,其中,每个马赫泽德干涉仪包括两个2×2多模干涉仪及其连接波导,另外还包括多个波导正上方的热电极。首先,输入光信号经可调谐MZI分束器按所需功率比分为两束光;再通过一组等长波导后进入由两个可调谐MZI组成的可调谐微环谐振器,在该过程中,两束光的相位关系由热调谐器控制;两束光分别进入可调谐微环谐振器的异侧端口,并分别利用可调谐MZI控制两束光进入微环的耦合系数。通过对光功率比、相位关系以及耦合系数的控制,可以实现该单元器件多种频谱响应且频谱可重构。

    基于SOI材料的光栅辅助反向耦合器型粗波分复用器

    公开(公告)号:CN115032740A

    公开(公告)日:2022-09-09

    申请号:CN202210711967.5

    申请日:2022-06-22

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于SOI材料的光栅辅助反向耦合器型粗波分复用器,包括SiO2包层和内部基于硅材料制备的粗波分复用器结构。所述粗波分复用器结构是由光栅辅助反向耦合器串联而成,包括中心波导、单侧壁布拉格光栅辅助的耦合波导、螺旋损耗线、弯曲波导和输出端直波导。第一级反向耦合器的输入端连接输入端口直波导,最后一级反向耦合器的透射端连接透射端口的直波导;每级光栅辅助反向耦合器中,中心波导的输入端(左端)与上一级反向耦合器的透射端通过直波导相连接,耦合波导的反射端(左端)分别连接输出端口,耦合波导的右端连接螺旋损耗线。本发明可实现多种波段光信号的粗波分复用,具有低插损、低串扰和显著平顶响应的特点。

    一种基于光开关切换网络的重频大范围可调氮化硅微光梳阵列

    公开(公告)号:CN114895502A

    公开(公告)日:2022-08-12

    申请号:CN202210443722.9

    申请日:2022-04-26

    Applicant: 东南大学

    Abstract: 本发明涉及一种基于光开关切换网络的重频大范围可调氮化硅微光梳阵列,包括基于厚Si3N4波导的对称马氏干涉仪光开关阵列、包括基于厚Si3N4波导经色散工程的具有不同尺寸的微环谐振腔。通过二叉树型与级联型两种光开关切换网络改变入射光的路径,使得入射光耦合到不同尺寸的微环谐振腔里。通过热电极快速改变干涉仪两臂相位差实现光路切换,切换时间小于60μs;通过热电极快速调谐微环的谐振峰,控制光源频率与谐振峰的失谐量,进而激发出不同重频的单孤子微光梳。本发明适用于高频微波与毫米波信号产生、微波光子滤波、多光梳测量技术、光通讯收发模块、光计算等氮化硅集成光路光学器件系统中,具有重频调节范围大、光开关切换速度快、尺寸紧凑等优点。

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