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公开(公告)号：CN114964969A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210595584.6
申请日：2022-05-26
申请人： 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
IPC分类号： G01N1/28 , G01N23/20008
摘要： 本发明提出了一种百微米级透射电镜样品的制备方法。该具体如下：(1)沉积碳化物保护层，切割百微米级的薄片样品；(2)在样品转移针和薄片样品顶部间隙中沉积铂碳化物完成薄片样品的粘接；(3)将薄片样品移动至微柱顶部，在薄片样品与微柱之间沉积铂碳化物完成薄片样品的固定；(4)对薄片样品前后侧部分区域进行减薄，保留薄片样品左侧、右侧和底部一定宽度范围为未减薄区域，即得百微米级透射电镜样品。该方法不仅克服了大尺寸透射电镜样品易弯曲、卷曲或破损的缺点，还实现百微米级透射电镜样品的制备，其观测范围宽广，满足对材料显微组织结构的统计性认识，提高分析结果的可靠性，在材料的透射电子显微分析领域具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN114964590A
公开(公告)日：2022-08-30
申请号：CN202210597532.2
申请日：2022-05-26
申请人： 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
IPC分类号： G01L5/00
摘要： 本发明公开了一种氚化物纳米级微区应力分布的电子显微分析方法。该方法包括以下步骤：(1)聚焦离子束法制备厚度小于100纳米的氚化物透射电镜样品；(2)纳米尺度上确定待分析显微区域并使其处于正带轴状态；(3)设置透射电镜光路旨在获得显微区域内某点的纳米衍射谱；(4)设置纳米衍射谱面扫描分辨率和采集时间并开始采集待分析区域的纳米衍射面扫描；(5)以起始点纳米衍射谱中低指数晶面衍射斑为基准，计算面扫描中各相同衍射斑的矢量偏移情况，得出氚化物的微区应力分布。该方法分析得出了氚化物中纳米尺度氦泡区域微区残余应力分布，不仅对揭示氚化物中氦泡演化机理有重要意义，还在材料微区残余应力显微分析领域具有重要的应用前景。
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公开(公告)号：CN109822257B
公开(公告)日：2021-12-03
申请号：CN201910273944.9
申请日：2019-04-08
申请人： 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
IPC分类号： B23K35/26
摘要： 本发明公开了一种石英玻璃封接用无铅焊料。该无铅焊料的基体为锡，引入的Ti和O的原子百分比组分为Ti：0.2%～6%、O：0.05%～5.9%，其中，Ti和O的原子比大于1，无铅焊料中的杂质质量百分比小于等于0.1%。该无铅焊料的焊接温度范围为600℃～800℃，焊接真空度小于等于5×10‑3Pa。本发明的石英玻璃封接用无铅焊料在石英玻璃封接过程中不需要助焊剂，简化了石英玻璃封接工艺，提高了石英玻璃封接的真空密封可靠性。该无铅焊料可广泛应用于石英玻璃封接，也可应用于石英玻璃、软化温度不低于800℃的以SiO2为主要成分的玻璃、钛材和表面有钛镀层的金属等的相互焊接。尤其适用于制备脉冲氙灯，可使脉冲氙灯的使用寿命和工作可靠性显著提高。
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公开(公告)号：CN108479393B
公开(公告)日：2020-07-31
申请号：CN201810348846.2
申请日：2018-04-18
申请人： 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
IPC分类号： B01D59/26
摘要： 本发明公开了一种含氚氢同位素气体中氕的去除方法，所述的去除方法包括以下步骤：将钯硅藻土色谱柱冷却至零摄氏度以下，从钯硅藻土色谱柱前端通入含氚氢同位素原料气体，直至小于等于钯硅藻土色谱柱容量的70%后停止；加热钯硅藻土色谱柱，温度小于等于150℃，收集从钯硅藻土色谱柱后端释放的含氚氢同位素产品气，同时收集从钯硅藻土色谱柱前端释放的含氚氢同位素回流气，直至剩余的含氚氢同位素原料气体达到钯硅藻土色谱柱容量的30%后停止；该去除方法利用钯硅藻土色谱柱在负压、常温下实现了氚中少量氕的高效去除，获得了氕含量低于0.3%的氘氚产品气，氘氚提取率高于90%。
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公开(公告)号：CN108557891B
公开(公告)日：2020-05-08
申请号：CN201810187711.2
申请日：2018-03-07
申请人： 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
IPC分类号： C01G43/025 , C01G43/01 , B82Y40/00
摘要： 本发明公开了一种氧化铀微/纳米晶的控制合成方法，该控制合成方法利用水热合成法法，制备出氧化铀微/纳米晶的纯净物，其氧化铀微/纳米晶成分包括但不限于UO3·xH2O，U3O8，U4O9，UO2，UO2.34。该控制合成方法制备的微/纳米晶产率高（＞98%），结晶性好（>95%），可控性好。该控制合成方法简单高效，能够同时实现成分、形貌和尺寸的调控，具有重要的意义。氧化铀具有广泛的应用价值，UO2微/纳米晶，能够应用于未来先进的核燃料系统中。同时，U3O8、UO3·xH2O、U4O9、UO2、UO2.34等，可以扩展应用到催化领域和半导体器件领域。
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公开(公告)号：CN109879322A
公开(公告)日：2019-06-14
申请号：CN201910101965.2
申请日：2019-02-01
申请人： 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
IPC分类号： C01G43/025 , G21C3/62
摘要： 本发明公开了一种UO2微球合成方法。利用水热法，将醋酸铀酰溶解到去离子水、丙酮和乙酰丙酮的混合溶液中，在200℃反应7-20小时，可以获得UO2微球。该方法可制备出具有纳米晶和封闭孔的UO2微球，UO2微球结晶性好、形貌可调，直径范围为1μm~3μm，表面的纳米晶尺寸范围为50nm-300nm，内部有封闭孔，这种结构与高燃耗结构极其接近，可应用于未来的核燃料中。高燃耗结构是核燃料在达到很高燃耗下形成的，由200nm-300nm的UO2晶粒和封闭孔组成，纳米晶有利于提高核燃料的抗辐照损伤能力，封闭孔可以增强保留裂变气体的能力，提高核燃料的安全性，延长核燃料的服役时间，从而提高经济性。通过调节实验条件，该方法还可获得其他形貌的UO2微球应用于催化剂和半导体等领域。
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公开(公告)号：CN106498470B
公开(公告)日：2018-10-09
申请号：CN201610924045.7
申请日：2016-10-24
申请人： 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
摘要： 本发明提供的B4C‑Al中子吸收材料表面保护膜生成方法采用恒定电压的方式在B4C‑Al中子吸收材料表面生成保护膜，将B4C‑Al中子吸收材料去除表面的杂质和氧化层，再依次放入氢氧化钠溶液、硝酸和氢氟酸混合溶液中浸泡，然后将材料作为阳极，石墨板或铅板作为阴极，浸入硫酸溶液，保持恒定电压，在材料表面生长保护膜，最后放入高温去离子水中进行封孔。该方法控制参数简便，生成的保护膜能够消除材料表面的微观缺陷，覆盖碳化硼颗粒。材料表面形成的均匀、致密、暗灰色的保护膜，可有效提高B4C‑Al中子吸收材料在水热、水气环境中的抗腐蚀性能。该方法可应用到核电站新燃料运输、乏燃料转运、湿法贮存及干法贮存的中子吸收材料、反应堆中子屏蔽等领域。
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公开(公告)号：CN106898539A
公开(公告)日：2017-06-27
申请号：CN201710204365.X
申请日：2017-03-31
申请人： 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
发明人： 马永波 , 郝万立 , 宋虎 , 彭述明 , 龙兴贵 , 梁建华 , 张伟光 , 周晓松 , 颜登云 , 曹清薇 , 王宏波 , 符雪梅 , 张慧君 , 姚冰 , 张涛 , 黄海禹 , 杨本福
CPC分类号： H01J61/366 , H01J9/323
摘要： 本发明公开了一种脉冲氙灯及其封接方法。氙灯中的石英管内两端沿横向中轴线分别设置有电极Ⅰ、电极Ⅱ。电极Ⅰ与电极Ⅱ沿石英管的纵向中轴线左右对称设置。石英管纵向中轴线右端的电极Ⅰ尾部与电极帽、转接头、电缆线沿横向中轴线依次固定连接。石英管纵向中轴线左端与石英管纵向中轴线右端的结构相同。电极帽套在石英管端口外面，两者中间填充活性焊料，并在低于5×10－3Pa真空环境中加热至600℃以上，当活性焊料熔融并与石英玻璃充分反应后，完成电极帽与石英管的直接非匹配封接。本发明易于实现氙灯封接的自动化和规模化生产，封接工艺简单稳定，封接区真空密封性能好，结构强度高，氙灯可承受大电流，使用寿命和工作可靠性显著提高。
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公开(公告)号：CN106498470A
公开(公告)日：2017-03-15
申请号：CN201610924045.7
申请日：2016-10-24
申请人： 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
摘要： 本发明提供的B4C-Al中子吸收材料表面保护膜生成方法采用恒定电压的方式在B4C-Al中子吸收材料表面生成保护膜，将B4C-Al中子吸收材料去除表面的杂质和氧化层，再依次放入氢氧化钠溶液、硝酸和氢氟酸混合溶液中浸泡，然后将材料作为阳极，石墨板或铅板作为阴极，浸入硫酸溶液，保持恒定电压，在材料表面生长保护膜，最后放入高温去离子水中进行封孔。该方法控制参数简便，生成的保护膜能够消除材料表面的微观缺陷，覆盖碳化硼颗粒。材料表面形成的均匀、致密、暗灰色的保护膜，可有效提高B4C-Al中子吸收材料在水热、水气环境中的抗腐蚀性能。该方法可应用到核电站新燃料运输、乏燃料转运、湿法贮存及干法贮存的中子吸收材料、反应堆中子屏蔽等领域。
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公开(公告)号：CN103668382A
公开(公告)日：2014-03-26
申请号：CN201210323389.4
申请日：2012-09-05
申请人： 中国工程物理研究院核物理与化学研究所
摘要： 本发明提供了一种B4C-Al复合材料表面处理方法。该方法包括以下内容：（1）机械抛光去除表面杂质，去离子水中超声清洗；（2）将步骤（1）中材料在丙酮中超声清洗；（3）将步骤（2）中材料在氢氧化钠溶液中碱洗，去离子水中超声清洗；（4）将步骤（3）中材料在硝酸和氢氟酸混合溶液中酸洗，去离子水中超声清洗；（5）将步骤（4）中材料作阳极，在硫酸溶液中阳极氧化，去离子水中超声清洗；（6）将步骤（5）中材料在去离子水中沸水温度封孔处理。采用本发明的表面处理方法，在材料表面生成均匀致密的保护膜能将表面裸露的B4C颗粒包裹覆盖，在核电站乏燃料湿法贮存环境下耐腐蚀性显著提高，有可能应用为核电站乏燃料贮存格架的中子吸收体材料。
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