一种改变磷酸钛氧钾晶体材料反转畴宽度的方法

    公开(公告)号:CN114836837A

    公开(公告)日:2022-08-02

    申请号:CN202210593140.9

    申请日:2022-05-27

    摘要: 本发明公开了一种改变磷酸钛氧钾晶体材料反转畴宽度的方法,包括以下步骤:(1)在磷酸钛氧钾晶体基材的‑Z面和+Z面分别制作第一电极和第二电极;(2)通过外加脉冲电压的方式对上述已经制作电极的磷酸钛氧钾晶体进行周期极化,并根据第一电极的尺寸设置电极线组的极化参数;(3)测试已经完成极化的磷酸钛氧钾晶体畴壁横向展宽的实际宽度;(4)将已经完成极化的磷酸钛氧钾晶体放入烘箱,并根据测试所得畴壁横向展宽的实际宽度设置烘箱的恒温温度以及时间。该方法通过高温退火使铁电畴在反转过程中的横向扩展回退,畴壁宽度接近理论值,从而实现对磷酸钛氧钾晶体反转畴的有效调控,提高晶片的转换效率,具有较好的应用前景。

    一种二氧化碲单晶的制备方法
    42.
    发明公开

    公开(公告)号:CN112725877A

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN202011502352.9

    申请日:2020-12-18

    IPC分类号: C30B7/10 C30B29/46

    摘要: 本发明公开了一种二氧化碲单晶的制备方法,属于单晶生长技术领域。所述二氧化碲单晶的制备方法,包括如下步骤:将水热反应物置于石英衬套管的底部,再加入水,将所述石英衬套管密封后,加热混匀,然后将加热后的所述石英衬套管置于高压釜的釜体中;在所述石英衬套管和所述釜体的夹层中加入水,将所述高压釜密封,再将密封后的所述高压釜置于电阻炉中,设置溶解区和生长区的温度,进行程序降温,即得到二氧化碲单晶。本发明采用石英衬套管水热法来制备二氧化碲单晶,可以使二氧化碲晶体在温度为300℃‑400℃、压力

    一种改变磷酸钛氧钾晶体材料反转畴宽度的方法

    公开(公告)号:CN114836837B

    公开(公告)日:2024-06-04

    申请号:CN202210593140.9

    申请日:2022-05-27

    摘要: 本发明公开了一种改变磷酸钛氧钾晶体材料反转畴宽度的方法,包括以下步骤:(1)在磷酸钛氧钾晶体基材的‑Z面和+Z面分别制作第一电极和第二电极;(2)通过外加脉冲电压的方式对上述已经制作电极的磷酸钛氧钾晶体进行周期极化,并根据第一电极的尺寸设置电极线组的极化参数;(3)测试已经完成极化的磷酸钛氧钾晶体畴壁横向展宽的实际宽度;(4)将已经完成极化的磷酸钛氧钾晶体放入烘箱,并根据测试所得畴壁横向展宽的实际宽度设置烘箱的恒温温度以及时间。该方法通过高温退火使铁电畴在反转过程中的横向扩展回退,畴壁宽度接近理论值,从而实现对磷酸钛氧钾晶体反转畴的有效调控,提高晶片的转换效率,具有较好的应用前景。

    一种双轴晶体主轴方向光学均匀性的测试装置及测试方法

    公开(公告)号:CN110596042A

    公开(公告)日:2019-12-20

    申请号:CN201910987283.6

    申请日:2019-10-17

    IPC分类号: G01N21/45 G01B11/24

    摘要: 本发明公开了一种双轴晶体主轴方向光学均匀性的测试装置及测试方法。所述的测试装置包括沿光轴方向依次设置的光源、聚光透镜、准直透镜、起偏器、相位补偿器、检偏器、成像镜头和相机,待测晶体置于相位补偿器和检偏器之间,所述的相位补偿器由两块光楔构成,通过调节两块光楔的相对位置来调节相位延迟量,其中所述光楔的材质为成分与待测晶体相同且光学均匀性好的晶体。本发明所述装置结构简单、成本低廉且便于维护。与传统测试方法相比,本发明所述方法无需反复测试背景干扰及不同偏振态激光通过晶体形成干涉图,受环境影响小,测试效率高、适合批量化的生产检测;而且本发明所述方法操作简单、对测试晶体的加工要求不高,易于推广使用。

    一种用于辅助测量高压釜反应腔填充体积的装置

    公开(公告)号:CN213397248U

    公开(公告)日:2021-06-08

    申请号:CN202022787626.5

    申请日:2020-11-26

    IPC分类号: G01F17/00

    摘要: 本实用新型涉及一种用于辅助测量高压釜反应腔填充体积的装置,包括基座、导电机构和提示装置;所述基座放置在高压釜的上端面;所述导电机构安装在所述基座上且电连接所述提示装置的两极,并在高压釜反应腔加入与高压釜反应腔填充体积等量的水后使所述提示装置的两极导通发声或发光。该装置不仅结构比较简单,制作比较容易,而且使用也比较方便,测量高压釜反应腔填充体积也比较准确。实测结果表明,当采用该装置测量ф42×750型高压釜反应腔的填充体积时,同一个人重复测量以及不同人测量的结果都非常近似,其最大的绝对误差也只有0.2ml。

    一种用于氨热法高压釜内液氨填充的系统

    公开(公告)号:CN219571619U

    公开(公告)日:2023-08-22

    申请号:CN202320439124.4

    申请日:2023-03-10

    摘要: 本实用新型提供了一种用于氨热法高压釜内液氨填充的系统,包括液氨/氨气瓶、氮气瓶、真空泵、除氨塔、高压釜和冷阱;高压釜的釜体放置于冷阱中;液氨/氨气瓶的输出端通过管路连通有氨气流量计一,形成第一并联支路;氮气瓶的输出端通过管路连通有氮气流量计,形成第二并联支路;真空泵的输入端与除氨塔的输入端通过管路均连通至氨气流量计二,形成第三并联支路;第一并联支路、第二并联支路、第三并联支路均通过管路连通至釜体。本实用新型结构简单、制作容易,并且成本低廉、使用方便。本实用新型可以在安全的前提下高效地向高压釜反应腔内填入规定体积的液氨。

    一种替代布儒斯特角切割的LN晶体的电光调Q开关

    公开(公告)号:CN213093554U

    公开(公告)日:2021-04-30

    申请号:CN202022450850.5

    申请日:2020-10-29

    IPC分类号: H01S3/115

    摘要: 本实用新型公开了一种替代布儒斯特角切割的LN晶体的电光调Q开关,包括棱镜、第一电光晶体和第二电光晶体,棱镜、第一电光晶体、第二电光晶体沿通光方向依次排列;棱镜的工作面包括两通光面和两反射面,两通光面均镀设有增透膜,两反射面依据光线在界面是否会发生全反射决定镀设增反膜;第一电光晶体和第二电光晶体采用横向电光效应,沿X轴或Y轴方向通光,沿Z轴施加电场;第一电光晶体和第二电光晶体的主轴绕通光方向相互旋转90°第一电光晶体和第二电光晶体的Z轴与入射面法线方向成45°角。本实用新型既满足了激光腔内光线产生特定平移的需求,又有效解决了传统布儒斯特角切割的LN电光Q开关温度稳定性差的问题。

    一种双轴晶体主轴方向光学均匀性的测试装置

    公开(公告)号:CN211086081U

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN201921741892.5

    申请日:2019-10-17

    IPC分类号: G01N21/45 G01B11/24

    摘要: 本实用新型公开了一种双轴晶体主轴方向光学均匀性的测试装置。所述的测试装置包括沿光轴方向依次设置的光源、聚光透镜、准直透镜、起偏器、相位补偿器、检偏器、成像镜头和相机,待测晶体置于相位补偿器和检偏器之间,所述的相位补偿器由两块光楔构成,通过调节两块光楔的相对位置来调节相位延迟量,其中所述光楔的材质为成分与待测晶体相同且光学均匀性好的晶体。本实用新型所述装置结构简单、成本低廉、便于维护且适合推广使用;采用本实用新型所述装置对晶体光学均匀进行测试时,无需反复测试背景干扰及不同偏振态激光通过晶体形成干涉图,受环境影响小,测试效率高、适合批量化的生产检测。(ESM)同样的发明创造已同日申请发明专利