一种合成多铁半导体用LBMO磁性粉体的方法

    公开(公告)号:CN115818720A

    公开(公告)日:2023-03-21

    申请号:CN202211679893.8

    申请日:2022-12-27

    Abstract: 本发明公开了一种合成多铁半导体用LBMO磁性粉体的方法,包括如下步骤:首先,通过溶胶‑凝胶方法制备LBMO凝胶,将凝胶烘干后得到LBMO干粉前驱体;其次,将研磨后的干粉前驱体填入氧化锆模具后,装入真空气氛结炉中;最后,将真空气氛结炉进气阀口连接空气鼓风机,开启鼓风并进行煅烧;煅烧完毕后,取出炉中的产物,研磨后得到LBMO粉体。本发明克服了现有LBMO磁性粉体制备方法存在的成分偏离、引入杂质、粉体团聚、产物不纯、结晶程度低、煅烧温度高、保温时间长等问题,具有混料充分均匀、组分控制精确、合成粉体纯度高、合成粉体单分散、提高产物结晶程度、降低煅烧温度、缩短保温时间等优势。

    一种管道焊缝缺陷漏磁信号的剥离方法

    公开(公告)号:CN115047060A

    公开(公告)日:2022-09-13

    申请号:CN202210561462.5

    申请日:2022-05-23

    Abstract: 本发明提供一种管道焊缝缺陷漏磁信号的剥离方法,通过建立管道的壁厚、焊缝余高以及缺陷深度三者之间的管道焊缝缺陷模型;采用周向励磁漏磁检测方法或轴向励磁检测方法对管道磁化后产生的漏磁场进行检测,确定管道中的含焊缝缺陷管道和无焊缝缺陷管道;根据管道焊缝缺陷模型,采集含焊缝缺陷管道和无焊缝缺陷管道的漏磁信号;根据含焊缝缺陷管道的漏磁信号和无焊缝缺陷管道的漏磁信号的个数,判断对含焊缝缺陷管道的漏磁信号或无焊缝缺陷管道的漏磁信号进行数据点插值和作差运算,以得到剥离后的管道焊缝缺陷处的漏磁信号,从而实现了对管道焊缝缺陷的漏磁信号的剥离,进而提高了管道焊缝缺陷的识别准确度以及后续管道缺陷的量化分析。

    一种MoFeB金属陶瓷螺纹元件的制备方法

    公开(公告)号:CN112893848B

    公开(公告)日:2022-08-30

    申请号:CN202110055200.7

    申请日:2021-01-15

    Abstract: 本发明公开了一种MoFeB金属陶瓷螺纹元件的制备方法,包括以下步骤:将中碳合金调质钢机械加工成空心圆棒;制备Mo‑Fe‑B金属混合粉末;制备金属模具;将空心圆棒置于金属模具内,将Mo‑Fe‑B金属混合粉末罐装于外模、芯模和下模之间空间内;将罐装有粉末的金属模具放入压力机设备压室,进行静压成型,然后脱模,形成复合成型体;将复合成型体进行真空烧结,形成内部为钢芯、外层为MoFeB金属陶瓷的复合空心圆棒;对复合空心圆棒进行机械加工,形成内部带花键、外部呈螺纹的挤塑机用螺纹元件。本发明制备的MoFeB金属陶瓷螺纹元件同时具有超高的耐腐蚀性能和耐磨损性能,可以广泛应用于无卤增强塑料的混炼、挤塑螺杆。

    一种MoFeB金属陶瓷螺纹元件的制备方法

    公开(公告)号:CN112893848A

    公开(公告)日:2021-06-04

    申请号:CN202110055200.7

    申请日:2021-01-15

    Abstract: 本发明公开了一种MoFeB金属陶瓷螺纹元件的制备方法,包括以下步骤:将中碳合金调质钢机械加工成空心圆棒;制备Mo‑Fe‑B金属混合粉末;制备金属模具;将空心圆棒置于金属模具内,将Mo‑Fe‑B金属混合粉末罐装于外模、芯模和下模之间空间内;将罐装有粉末的金属模具放入压力机设备压室,进行静压成型,然后脱模,形成复合成型体;将复合成型体进行真空烧结,形成内部为钢芯、外层为MoFeB金属陶瓷的复合空心圆棒;对复合空心圆棒进行机械加工,形成内部带花键、外部呈螺纹的挤塑机用螺纹元件。本发明制备的MoFeB金属陶瓷螺纹元件同时具有超高的耐腐蚀性能和耐磨损性能,可以广泛应用于无卤增强塑料的混炼、挤塑螺杆。

    一种纳米花状NiCoP超级电容器电极材料及其制备方法和应用

    公开(公告)号:CN111446087A

    公开(公告)日:2020-07-24

    申请号:CN202010287317.3

    申请日:2020-04-10

    Abstract: 本发明公开了一种纳米花状NiCoP超级电容器电极材料及其制备方法和应用,以金属有机骨架(MOFs)作为前驱体,通过低温磷化后,得到由MOFs衍生的金属磷化物电极活性材料。本发明制备的纳米花状Ni-Co双金属磷化物(NiCoP)用作超级电容器的电极材料具有高的比电容(1174F g-1at 1A g-1)和优异的循环稳定性(经循环5000圈后比电容仅衰减22.7%);本发明所制备的纳米花状NiCoP电极材料和还原氧化石墨烯(RGO)分别作为正、负极活性材料组装而成的非对称超级电容器在800W kg-1的功率密度下具有38.01Wh kg-1的能量密度,同时,该器件具有长的循环寿命。

    用于三维封装的扩散阻挡层的制备方法

    公开(公告)号:CN119446926B

    公开(公告)日:2025-03-21

    申请号:CN202510031670.8

    申请日:2025-01-09

    Abstract: 本发明涉及半导体三维封装技术领域,具体而言,涉及用于三维封装的扩散阻挡层的制备方法,其包括:熔炼高熵合金,高熵合金具有面心立方结构;轧制高熵合金,总压下量为80‑90%,轧制后在高熵合金的再结晶温度退火,空冷;切割得到厚度为1‑3μm的高熵合金贴片;通过植球回流的方法使锡球熔化、并与铜柱熔接成焊球;将高熵合金贴片和焊球在热压条件下进行热压键合,热压键合的温度为250~270℃,压力为200‑300gf,时间为20~30min。该制备方法得到的扩散阻挡层具有良好的阻挡效果。

    用于三维封装的扩散阻挡层的制备方法

    公开(公告)号:CN119446926A

    公开(公告)日:2025-02-14

    申请号:CN202510031670.8

    申请日:2025-01-09

    Abstract: 本发明涉及半导体三维封装技术领域,具体而言,涉及用于三维封装的扩散阻挡层的制备方法,其包括:熔炼高熵合金,高熵合金具有面心立方结构;轧制高熵合金,总压下量为80‑90%,轧制后在高熵合金的再结晶温度退火,空冷;切割得到厚度为1‑3μm的高熵合金贴片;通过植球回流的方法使锡球熔化、并与铜柱熔接成焊球;将高熵合金贴片和焊球在热压条件下进行热压键合,热压键合的温度为250~270℃,压力为200‑300gf,时间为20~30min。该制备方法得到的扩散阻挡层具有良好的阻挡效果。

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