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公开(公告)号：CN116339478A
公开(公告)日：2023-06-27
申请号：CN202211592473.6
申请日：2022-12-13
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: G06F1/26 , G06F1/24 , H03K17/687
Abstract: 本发明涉及一种双电源优先级选择电路，包括：双电源上电复位合成电路，用于监测双电源的状况，并根据所述双电源的状况产生上电复位信号和合成输出信号，包括两个输入端和两个输出端，两个输入端分别与双电源的两个电源端相连，两个输出端用于输出产生的上电复位信号；两相非交叠RS触发器电路，用于以所述合成输出信号为电源，根据所述上电复位信号生成对应的电平信号；电平转换器，用于将所述电平信号转换为电源控制信号。本发明让系统在不同的输入电源之间进行自动选择、以避免电源冲突。
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公开(公告)号：CN111463345B
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202010225608.X
申请日：2020-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本申请提供一种Ta‑Ge‑Sb‑Te相变材料及其制备方法和相变存储器单元，该Ta‑Ge‑Sb‑Te相变材料包括钽(Ta)元素、锗(Ge)元素、锑(Sb)元素和碲(Te)元素，所述Ta‑Ge‑Sb‑Te相变材料的化学式为TaxGeySbzTe100‑x‑y‑z，其中，2≤x≤15，5≤y≤50，5≤z≤70。本申请提供的Ta‑Ge‑Sb‑Te相变材料可以通过调节钽(Ta)元素、锗(Ge)元素、锑(Sb)元素和碲(Te)元素的含量以及薄膜的厚度得到不同结晶温度、电阻率和结晶激活能的存储材料，本申请提供的Ta‑Ge‑Sb‑Te相变材料，与传统的Ge2Sb2Te5相比，具有更高的热稳定性，更强的数据保持力，更快的结晶速度。
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公开(公告)号：CN111463346A
公开(公告)日：2020-07-28
申请号：CN202010225621.5
申请日：2020-03-26
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及微纳电子技术领域，特别涉及一种OTS选通材料、OTS选通单元及其制备方法和存储器，所述OTS选通材料包括GeSe组分、As3Se4组分及掺杂元素(M)，所述OTS选通材料的化学通式为(GeSe)x(As3Se4)yMz，其中M为Ta、Si、Ge、Te、C、W、N、O、P中的一种或多种，x、y、z满足4
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公开(公告)号：CN108899417A
公开(公告)日：2018-11-27
申请号：CN201810704531.7
申请日：2018-07-02
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/144 , H01L45/04 , H01L45/16
Abstract: 本发明提供一种Ta-Sb-Te相变材料、相变存储器单元及其制备方法，所述Ta-Sb-Te相变材料包括钽、锑、碲三种元素，所述Ta-Sb-Te相变材料的化学式为TaxSbyTez，其中，3≤x≤15，50≤y≤70，25≤z≤35，且x+y+z＝100。该相变材料可通过磁控溅射的方法进行制备，通过调节溅射靶材的电流功率来调节Ta-Sb-Te系列体系中的三种元素的含量，得到具有不同结晶温度、熔点和结晶激活能的存储材料。本发明所述的Ta-Sb-Te相变薄膜材料，与传统的Ge2Sb2Te5相比，具有更好的热稳定性，更强的数据保持力以及更快的结晶速度；本发明提供的相变存储材料的制备方法，工艺简单，便于精确控制材料成分；本发明提供相变存储材料应用到相变存储器中，使得相变存储器具有数据保持力强、擦写速度快，电学性能稳定等优点。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN105632551B
公开(公告)日：2018-09-25
申请号：CN201510960374.2
申请日：2015-12-18
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
Abstract: 本发明提供一种存储阵列、存储对象逻辑关系的存储芯片及方法，存储阵列包括：第一引出线和第二引出线，不同编号的第一引出线和第二引出线之间分别连接一存储单元，相同编号的第一引出线和第二引出线之间分别连接一可控开关。存储芯片包括：接口模块；产生控制信号的控制模块；产生写电流、擦电流或读电流的驱动模块；选通第一、第二引出线的第一、第二译码器；以及存储逻辑关系值的存储阵列。存储方法包括：写入和读出操作。本发明通过全新的存储阵列实现对象间的逻辑关系的存储；同时在读出时，通过可控开关在相同编号的引出线间传递，将结果转换为条件，以此综合间接关系因素，可用于仿脑智能应用场景，提高存储阵列中的信息量。
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公开(公告)号：CN103346258B
公开(公告)日：2015-08-26
申请号：CN201310306025.X
申请日：2013-07-19
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L45/00
CPC classification number: H01L45/06 , H01L45/1226 , H01L45/124 , H01L45/144 , H01L45/1616 , H01L45/1675
Abstract: 本发明提供相变存储单元及其制备方法，采用厚度与单个晶胞或者多个晶胞尺度相当的相变材料层，使相变材料基本上体现出界面特性，而弱化体材料特性，以制备利用界面电阻变化来存储信息的高密度、低功耗、高速二维相变存储单元。本发明的相变材料层厚度薄及相变材料层界面上存在少量的缺陷，促使相变存储单元操作功耗的降低和操作时间的缩短，减少了每次操作过程对相变材料的损害，使每次操作对材料的元素偏析效果降低，增加了相变存储单元的最大可操作次数，从而有利于提高器件循环操作次数的能力；进一步，本发明中采用的石墨烯电极对还具有信号响应快、机械强度大、能量损耗少等特点；同时，本发明还可实现与新型CMOS的兼容。
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公开(公告)号：CN104409333A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410768142.2
申请日：2014-12-12
Applicant: 中国科学院上海微系统与信息技术研究所
IPC: H01L21/027
CPC classification number: H01L21/0279
Abstract: 本发明提供一种相变材料GeTe的耦合等离子体刻蚀方法，包括步骤：1）于衬底上制备GeTe材料薄膜层；2）于所述GeTe材料薄膜层上形成刻蚀阻挡层，并图形化所述刻蚀阻挡层；3）将GeTe材料薄膜层送入具有BCl3和Ar的气体刻蚀腔中；4）在气体刻蚀腔中，通过施加电压，使得BCl3和Ar激发成等离子体体，BCl3主要起化学腐蚀作用，Ar+离子对材料表面进行轰击，两者协同作用，将暴露出来的GeTe材料去除，被刻蚀阻挡层保护的GeTe材料集成到器件或者电路当中。本发明选取了BCl3作为主要的化学反应气体，选取Ar气进行物理轰击，形成了表面光滑，侧壁垂直，侧壁损伤低的GeTe薄膜图形。本发明刻蚀速度很高，且能够很好的控制，具有较广泛的适用范围。
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