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公开(公告)号：CN112992635A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911283373.3
申请日：2019-12-13
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/683
摘要： 本发明提供一种晶圆固定装置及其形成方法、等离子体处理设备，其中晶圆固定装置可以包括承载晶圆的静电吸盘，以及承载静电吸盘的基座，以及承载基座和静电吸盘的设备板，基座和设备板均为金属材质，设备板和基座可以直接接触，设备板和基座之间也可以填充有柔性导电层，柔性导电层可以提高基座和设备板之间的电接触，增大设备板和基座之间的电容，这样设备板和基座之间可以较大且更稳定的电容，利于设备板和基座之间的射频信号的通过，相应减少其他路径中的射频信号的通过，减少射频信号的功率损失。
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公开(公告)号：CN112863983A
公开(公告)日：2021-05-28
申请号：CN201911191612.2
申请日：2019-11-28
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 一种用于等离子体处理设备的下电极组件和等离子体处理设备，在下电极组件的射频高压导体部件和地之间串联一个射频电阻结构，其一端与射频高压导体部件连接，另一端接地，射频电阻结构的直流电阻小于等于100MΩ，射频阻抗大于等于100KΩ。本发明通过在射频高压部件和接地之间增加射频电阻结构，尽管所述绝缘液体在流动过程中产生静电，但是所述射频电阻结构的射频阻抗较大，使得射频难以通过射频电阻结构接地，同时，所述射频电阻结构的直流电阻较小，使得所产生的静电能够通过射频电阻导入地，因此，有利于防止所述静电累积造成的高压击穿损伤。
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公开(公告)号：CN108206143B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201611165614.0
申请日：2016-12-16
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种刻蚀均匀性调节系统，包含若干反馈调节装置以及一连接反馈调节装置的计算控制单元；每个反馈调节装置分别包含：电流监视器，安装在等离子体反应腔的限制环与接地环之间，并连接所述的计算控制单元；主动升降机，安装在等离子体反应腔的限制环与接地环之间并位于上述电流监视器的对应位置；计算控制单元通过若干电流监视器获取限制环与接地环之间各区域的电流分布大小控制主动升降机调节限制环与接地环之间的间隙。其优点是：通过主动升降机和电流监视器的共同作用，实现对等离子体分均匀性的实时主动反馈控制。
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公开(公告)号：CN111524775A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201910104406.7
申请日：2019-02-01
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要： 本发明提供一种用于等离子处理器的上电极组件，包括：安装板和上电极板，所述安装板和上电极板通过机械紧固装置互相连接固定，所述安装板和上电极板之间的间隙中包括多个弹性导热垫片，从内到外依次为第一弹性导热垫片和第二弹性导热垫片。其中第一弹性导热垫片的初始高度低于所述第二弹性垫片的初始高度；在被所述机械紧固装置安装到所述安装板和上电极之间的间隙之后，所述上电极组件升温到等离子处理温度时，所述多个弹性导热垫片各自具有一高温压缩高度，其中第一弹性导热垫片的高温压缩高度低于所述第二弹性导热垫片的高温压缩高度。
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公开(公告)号：CN106920731B
公开(公告)日：2019-11-08
申请号：CN201510995068.2
申请日：2015-12-28
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种限制等离子体泄露的接地环，其设置在一反应腔内，该反应腔内包含一限制环；所述接地环位于所述限制环下方，其包含多个半径逐渐增大的同心接地圆环，每相邻两个同心接地圆环间的间距相等，并且间距为所述限制环上相邻两个同心圆环之间间距的两倍，各个同心接地圆环分别位于所述限制环上相应同心圆环的正下方。其优点是：接地环的相邻环缝间距为限制环的2倍，确保了气流量；另一方面，其径向界面类似于限制环向下延伸，这样可以增加地电位的纵向距离，增强了限制效果。
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公开(公告)号：CN109994360A
公开(公告)日：2019-07-09
申请号：CN201711497750.4
申请日：2017-12-29
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种等离子体射频调节方法，所述调节方法通过一射频功率发生器进行，所述射频功率发生器包括一自动调频装置，所述射频功率发生器输出一脉冲射频周期信号，一控制器设置若干个连续射频调节区间，每个射频调节区间包括至少一个脉冲射频周期，所述自动调频装置在每个所述射频调节区间内进行至少一次自动调频，每个所述射频调节区间包括一开始频率和一结束频率，每一射频调节区间的开始频率为前一射频调节区间的结束频率，所述第一射频调节区间的开始频率为预设频率。本发明所述的方法可以快速调节频率，对于脉冲射频周期可以迅速找到最小反射功率对应的射频功率。
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公开(公告)号：CN118263080A
公开(公告)日：2024-06-28
申请号：CN202211700090.6
申请日：2022-12-28
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要： 本发明公开了一种等离子体边缘刻蚀设备，该装置包含：真空反应腔，所述真空反应腔内具有可移动的上电极组件或下电极组件，两者分别包含相对设置的上电极环和下电极环，所述下电极组件用以支撑基片；设置于所述基片径向外围的环形等离子体约束单元，用以约束所述基片周围形成的等离子体；以及连通所述等离子体约束单元内侧及外侧的抽气通道。其优点是：该装置中设置的等离子体约束单元对基片周围的等离子体进行限制，使等离子体均匀分布在基片周围，提高清洁的效果；此外，该装置还设置有抽气通道，以对抽气进行控制，同时，该抽气通道还增加了等离子体在抽气通道中熄灭的概率，减少等离子体对非反应区域的零部件造成损伤，增加设备使用寿命。
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公开(公告)号：CN113053775B
公开(公告)日：2024-04-09
申请号：CN201911377075.0
申请日：2019-12-27
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67 , H01L21/683 , H01J37/32
摘要： 本发明适用于半导体技术领域，公开了晶圆温度控制器、晶圆温度控制系统、晶圆温度控制方法和等离子体处理装置。其中，晶圆温度控制系统包括：基座，用于承载一静电卡盘，所述基座内部设置至少两个可独立控温的第一冷却区域；静电卡盘，包括用于承载晶圆的承载面，所述承载面上设置至少两个可独立控温的第二气体冷却区域；所述第一冷却区域和所述第二气体冷却区域在垂直于静电卡盘表面的方向上不完全重合。本发明能够实现晶圆温度分布均匀的效果。
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公开(公告)号：CN117637572A
公开(公告)日：2024-03-01
申请号：CN202210969805.1
申请日：2022-08-12
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种电压正负连续可调的静电夹盘及其装置和方法，该静电夹盘包含：基座；电压控制模块；设置于基座上的介电层，其用于承载晶圆，介电层内在竖直方向层叠布置有第一电极和第二电极，其中，电压控制模块控制第一电极与第二电极的极性相反，随着等离子体状态的变化，电压控制模块调整施加至第一电极的电压和/或第二电极的电压，使静电夹盘对晶圆的吸附电压保持不变。其优点是：其通过层叠设置的多个电极之间的协同作用，使静电夹盘对晶圆的吸附电压可以平稳连续地在正负极性之间调节，以应对各种晶圆直流偏压的补偿场景和工艺制程需求，避免了施加到单个电极的电压从零到输出时开关闭合产生的过冲，保证了晶圆在真空反应腔内的稳定性。
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公开(公告)号：CN117558674A
公开(公告)日：2024-02-13
申请号：CN202210939078.4
申请日：2022-08-05
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01L21/683 , H01L21/67 , H01J37/32
摘要： 本发明提供一种静电吸盘，包含：基座，其内部设有至少两路冷却流体通道，至少两路冷却流体通道之间互不连通且分别连通不同的冷却流体源，且相邻的冷却流体通道之间进行热传递；介电层，设置在所述基座上，所述介电层内部设有用于产生吸附力的电极，以吸附承载于介电层上方的晶圆。本发明还提供一种等离子体处理装置和一种静电吸盘的温度调节方法。通过本发明无需在反应腔和冷却流体源之间额外设置温度切换装置或冷却液混合箱，即可实现按区域对静电吸盘进行变温控制。
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