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公开(公告)号：CN111383893B
公开(公告)日：2023-03-24
申请号：CN201811633561.X
申请日：2018-12-29
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/3065
摘要： 本发明公开了一种等离子体处理器及控制等离子体泄漏和放电的方法，本发明在等离子体约束装置上设置一驱动单元，用以调节约束环与接地环之间的距离。设置一控制器与所述驱动单元连接，所述控制器包括一存储单元，一测量单元和一数据调取单元。所述测量单元用于测量不同频率和功率的射频信号对应的等离子体约束装置的约束环和接地环之间的安全距离并存储在存储单元中，数据调取单元根据射频信号的频率和功率查找所述存储单元中的该频率和功率射频信号对应的安全距离临界值并控制驱动单元将约束环与接地环之间的距离调节到安全距离范围内，以避免非处理区域发生等离子体泄漏或放电现象。
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公开(公告)号：CN111383884B
公开(公告)日：2023-03-10
申请号：CN201811611211.3
申请日：2018-12-27
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供一种等离子体约束系统及方法，等离子体约束系统设有上部环体和下部环体，各自包含多个倾斜的通道，沿径向从所在环体的内侧到外侧分布，且所述上部环体的通道与下部环体的通道具有相反的倾斜方向，使反应腔内处理区域产生的废气在经过上部环体的通道、下部环体的通道送到排气区域的过程中，带点粒子被中和，实现等离子体约束；本发明根据等离子体的分布密度来独立调整所述上部环体、下部环体各自的通道分布密度。从而在不损失气导率的前提下，有效地提升等离子体的约束性能。
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公开(公告)号：CN111326391B
公开(公告)日：2023-01-24
申请号：CN201911050563.0
申请日：2019-10-31
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 一种等离子体处理装置包括：处理腔，用于对基片进行等离子体处理，处理腔的侧壁设有允许基片进出的开口；基座，位于处理腔内底部，具有支撑基片的承载面；气体喷淋头，用于向处理腔内输送反应气体，与承载面相对设置，与承载面间为等离子体环境；下接地环，环绕设置在基座的外围；可移动组件，环绕设置在所述气体喷淋头的外围，可沿垂直于承载面方向在高位和低位间移动，可移动组件包括第一射频传输面和第二射频传输面，当可移动组件位于所述低位时，第一射频传输面遮挡所述开口，第二射频传输面至少部分与所述下接地环相对，所述第一射频传输面、第二射频传输面与下接地环形成射频通路。所述等离子体处理装置能够提高对基片处理的均匀性。
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公开(公告)号：CN112992635A
公开(公告)日：2021-06-18
申请号：CN201911283373.3
申请日：2019-12-13
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32 , H01L21/683
摘要： 本发明提供一种晶圆固定装置及其形成方法、等离子体处理设备，其中晶圆固定装置可以包括承载晶圆的静电吸盘，以及承载静电吸盘的基座，以及承载基座和静电吸盘的设备板，基座和设备板均为金属材质，设备板和基座可以直接接触，设备板和基座之间也可以填充有柔性导电层，柔性导电层可以提高基座和设备板之间的电接触，增大设备板和基座之间的电容，这样设备板和基座之间可以较大且更稳定的电容，利于设备板和基座之间的射频信号的通过，相应减少其他路径中的射频信号的通过，减少射频信号的功率损失。
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公开(公告)号：CN112530775A
公开(公告)日：2021-03-19
申请号：CN201910880951.5
申请日：2019-09-18
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明公开了一种等离子体处理装置，位于所述等离子体处理装置的反应腔内包括：相对设置的气体喷淋头和静电吸盘；以及，环绕所述气体喷淋头设置的上接地环，所述上接地环沿环形方向分割为多个子接地区；其中，每一所述子接地区各自电连接一位于所述反应腔外的阻抗可调装置。由上述内容可知，本发明提供的技术方案，将上接地环沿环形方向分割为多个子接地区，且将每一子接地区各自电连接一阻抗可调装置，通过对阻抗调节装置的阻抗进行调节，以达到调节子接地区的接地阻抗的目的；进而，通过优化不同子接地区的接地阻抗实现刻蚀工艺不对称性的补偿，最终使得等离子体处理装置达到刻蚀均匀性高的目的。
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公开(公告)号：CN108206143B
公开(公告)日：2020-09-25
申请号：CN201611165614.0
申请日：2016-12-16
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01L21/67
摘要： 本发明公开了一种刻蚀均匀性调节系统，包含若干反馈调节装置以及一连接反馈调节装置的计算控制单元；每个反馈调节装置分别包含：电流监视器，安装在等离子体反应腔的限制环与接地环之间，并连接所述的计算控制单元；主动升降机，安装在等离子体反应腔的限制环与接地环之间并位于上述电流监视器的对应位置；计算控制单元通过若干电流监视器获取限制环与接地环之间各区域的电流分布大小控制主动升降机调节限制环与接地环之间的间隙。其优点是：通过主动升降机和电流监视器的共同作用，实现对等离子体分均匀性的实时主动反馈控制。
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公开(公告)号：CN108010838B
公开(公告)日：2020-09-04
申请号：CN201610956544.4
申请日：2016-10-27
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01L21/3065 , H01J37/32 , G01N25/00 , G01N25/16
摘要： 本发明公开了一种等离子体处理装置，包含：处理腔体；所述处理腔体内的底部设有基座；所述基座的上方设有静电夹盘，所述静电夹盘用于承载硅片；硅片顶针，竖向穿过所述基座与所述静电夹盘，并与基座及静电夹盘分别留有间隙，所述间隙作为硅片顶针的通道，在等离子体刻蚀工艺过程中，所述的硅片顶针的顶端始终接触硅片的下表面，以保证在硅片的表面形成划痕；所述静电夹盘内部埋设有夹持电极。本发明还公开了一种在高功率射频下的硅片温度测量方法。本发明利用热膨胀原理，间接测量硅片的温度，适应于高射频功率高温环境，并不受射频等电学因素的干扰。
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公开(公告)号：CN111524775A
公开(公告)日：2020-08-11
申请号：CN201910104406.7
申请日：2019-02-01
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要： 本发明提供一种用于等离子处理器的上电极组件，包括：安装板和上电极板，所述安装板和上电极板通过机械紧固装置互相连接固定，所述安装板和上电极板之间的间隙中包括多个弹性导热垫片，从内到外依次为第一弹性导热垫片和第二弹性导热垫片。其中第一弹性导热垫片的初始高度低于所述第二弹性垫片的初始高度；在被所述机械紧固装置安装到所述安装板和上电极之间的间隙之后，所述上电极组件升温到等离子处理温度时，所述多个弹性导热垫片各自具有一高温压缩高度，其中第一弹性导热垫片的高温压缩高度低于所述第二弹性导热垫片的高温压缩高度。
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公开(公告)号：CN110310878B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910799287.1
申请日：2019-08-28
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
IPC分类号： H01J37/32
摘要： 本发明提供一种等离子体处理器，包括：反应腔，反应腔内设置一个基座，基座上放置有晶圆；源射频电源，用于输出高频射频信号到反应腔内，以点燃并维持等离子体；第一偏置射频电源和第二偏置射频电源，第一偏置射频电源输出第一频率射频信号，第二偏置射频电源输出第二频率射频信号，第一频率小于第二频率，第一频率射频信号和第二频率射频信号叠加后形成周期性的第一叠加信号，并被施加到基座；控制器，用于调节第一频率射频信号和第二频率射频信号的幅值、频率、平均电势或相位中的至少一项，使得第一叠加信号在每个周期中具有三个相继的阶段：下降阶段、平坦阶段和上升阶段。
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公开(公告)号：CN110299279B
公开(公告)日：2019-11-12
申请号：CN201910779524.8
申请日：2019-08-22
申请人： 中微半导体设备(上海)股份有限公司
摘要： 本发明提供一种射频电源系统，一种等离子体处理器及其调频匹配方法，应用于具有超低频率的偏置射频功率源的等离子体处理器。包括阻抗分段频率匹配获取步骤，将低频射频功率输出周期分为多个阻抗匹配段，在每个阻抗匹配段内，调整高频射频源的输出频率，并检测高频射频电源的反射功率，在经历一个或多个低频射频功率输出周期后获得每个阻抗匹配段的区段匹配频率并存储。随后在变频匹配步骤中，设定高频射频电源的输出频率在上述存储的多个区段匹配频率周期性的变化，以匹配各个阻抗匹配段中的特征阻抗。
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