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公开(公告)号：CN115425965B
公开(公告)日：2023-02-17
申请号：CN202211366929.7
申请日：2022-11-03
Applicant: 之江实验室
IPC: H03K19/20 , G06F30/34 , G06F30/343
Abstract: 本说明书公开了一种可重构逻辑门电路及电路的控制方法，可以通过更改第一脉冲的频率、第二脉冲的方向，以及直流电压的大小等电学操作，使得可重构逻辑电路的逻辑状态在第一逻辑状态和第二逻辑状态之间进行切换，从而使得一个逻辑电路可以作为两种不同的逻辑电路使用，进而可以提高硬件资源的利用率，并降低了硬件设备的成本。
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公开(公告)号：CN115411483B
公开(公告)日：2023-01-31
申请号：CN202211360726.7
申请日：2022-11-02
Applicant: 之江实验室
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明公开了一种基于集成无源器件技术的双模正交功率合成器，包括正交耦合器和平衡功率合成器，用于高效率，高线性的高频功率放大器的功率合成。本发明基于集成无源器件技术片上集成正交耦合器和平衡功率合成器，利用硅基工艺多层金属结构，实现正交信号的合成、移相和阻抗变换，具有尺寸小，插损低的特征。采用本发明可以使功率放大器具有高功率，高PAE输出的同时，还可以有效保障功率放大器的线性。功率合成器隐含移相和功率合成结构，具有各自独立的阻抗匹配网络和相移路径，可以在不牺牲线性的情况下，显著改善功率附加效率。
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公开(公告)号：CN115113846B
公开(公告)日：2022-12-06
申请号：CN202211053864.0
申请日：2022-08-31
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种全加器电路和多位全加器，在该全加器电路中，存内计算场效应晶体管存储数据并根据不同的输入信号对晶体管内数据及被加载数据执行逻辑运算，通过存内计算场效应晶体管特性及其读写方式，以极少的晶体管实现了低面积全加器电路。所述全加器电路结构简单，极大降低了全加器电路面积和复杂度，相较于传统CMOS实现的全加器电路节省了19个晶体管。
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公开(公告)号：CN115411483A
公开(公告)日：2022-11-29
申请号：CN202211360726.7
申请日：2022-11-02
Applicant: 之江实验室
IPC: H01P5/12
Abstract: 本发明公开了一种基于集成无源器件技术的双模正交功率合成器，包括正交耦合器和平衡功率合成器，用于高效率，高线性的高频功率放大器的功率合成。本发明基于集成无源器件技术片上集成正交耦合器和平衡功率合成器，利用硅基工艺多层金属结构，实现正交信号的合成、移相和阻抗变换，具有尺寸小，插损低的特征。采用本发明可以使功率放大器具有高功率，高PAE输出的同时，还可以有效保障功率放大器的线性。功率合成器隐含移相和功率合成结构，具有各自独立的阻抗匹配网络和相移路径，可以在不牺牲线性的情况下，显著改善功率附加效率。
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公开(公告)号：CN115101103A
公开(公告)日：2022-09-23
申请号：CN202210555968.5
申请日：2022-05-19
Applicant: 之江实验室
IPC: G11C11/22 , G11C11/4072
Abstract: 本发明公开了一种基于铁电晶体管阵列的编程和擦除方法，该方法在晶体管底部引出电极，通过控制底电极电位对晶体管进行信息存储。以n型铁电晶体管为例，存储信息0时，栅极施加大的正电压，源端，漏端和底电极电压为0V，铁电极化正向翻转。存储信息1时，栅极，源端和漏端电压设为0V，底电极施加大的正电压，铁电极化负向翻转。由于共用底电极，可实现信息的片擦除。该方法可使铁电极化有效翻转，增大晶体管的存储窗口。相比单个器件依次擦除，片擦除能够在不增加晶体管面积的前提下高效地实现大面积擦除。该技术不仅对体衬底的铁电晶体管阵列有效，也可应用于绝缘体上硅的铁电晶体管阵列。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN114243257A
公开(公告)日：2022-03-25
申请号：CN202210183297.4
申请日：2022-02-28
Applicant: 之江实验室
IPC: H01Q1/22 , H01Q1/38 , H01Q1/48 , H01Q1/50 , H01Q1/52 , H01Q7/00 , H01Q19/10 , H01Q21/00 , H01Q21/06
Abstract: 本发明公开了一种硅基工艺的高增益高效率片上天线，包括硅衬底，所述硅衬底上依次设有九层金属层，所述第九层金属层上设有二行二列的阵列天线，所述阵列天线包括四个环形天线单元、T型功分器和共面波导馈电端，四个所述环形天线单元和所述共面波导馈电端通过所述T型功分器连接，所述环形天线单元包括同轴设置的外开口谐振环和内开口谐振环，所述阵列天线下方的第一层金属层上设有人工磁导体层，本发明提供一种硅基工艺的高增益高效率片上天线，包括一个位于M9层的二行二列的阵列天线和M1层的人工磁导体层；所述人工磁导体层具有同向反射特性，在60GHz处的反射相位为0°，同相反射相位带隙为53.1GHz~67.7GHz，完全覆盖了60GHz附近的免许可带宽范围。
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公开(公告)号：CN112327276A
公开(公告)日：2021-02-05
申请号：CN202011238220.X
申请日：2020-11-09
Applicant: 之江实验室
IPC: G01S7/484 , G01S7/486 , G01S7/4861
Abstract: 本发明公开了一种面向微波光子雷达的光子采样芯片，属于微波光子技术领域。本发明通过光子集成技术将基带信号光子采样上变频功能、接收信号光子带通采样功能、参考与接收光信号一体融合去调频功能一体化集成，光子集成组件包括：第一1×2光耦合器、第一马赫‑曾德尔调制器、第二1×2光耦合器、高频光电探测器、第二马赫‑曾德尔调制器、2×1光耦合器以及低频光电探测器，各光子组件之间通过光波导连接。本发明还公开了一种基于光子采样芯片的应用系统，本发明通过光子采样技术可实现频段灵活可调的雷达信号产生及接收，方案紧凑简单，体积小、重量轻、成本低。
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公开(公告)号：CN118519785A
公开(公告)日：2024-08-20
申请号：CN202410977571.4
申请日：2024-07-22
Applicant: 之江实验室 , 国科大杭州高等研究院
IPC: G06F9/50
Abstract: 本发明公开了一种基于铁电晶体管器件的储备池计算系统，该系统利用铁电晶体管器件与二值化全连接输出层实现储备池计算系统，先通过输入层中Mask掩膜单元的掩膜操作，增加输入信号的丰富度；再利用储备池层中铁电晶体管器件的非线性特性对掩码处理后的信号进行非线性处理，将数据映射到高维，采样铁电晶体管器件输出的漏极电流训练二值化全连接输出层，获取所属储备池层的输出权重参数，测试阶段将铁电晶体管的输出漏极电流与权重参数进行乘积并给出预测结果。本发明能够实现对健康和异常心电信号的识别，其识别准确率可达99.2%，大幅度减少输出层的权重参数的数量；仅需一层输出层，且权重参数全部二值化，有效降低了存储资源的消耗。
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公开(公告)号：CN117575886B
公开(公告)日：2024-04-05
申请号：CN202410051039.X
申请日：2024-01-15
Applicant: 之江实验室
Abstract: 本发明公开了一种图像边缘检测器、检测方法、电子设备、介质，其中图像边缘检测器由若干层存算一体晶体管NAND阵列堆叠而成；检测方法包括：在图像边缘检测器中预存边缘特征值；获取待匹配图像；通过SUSAN模板遍历待匹配图像，得到待匹配图像中每个像素点对应的灰度差值；将待匹配图像中每个像素点对应的灰度差值与预定义的灰度差阈值进行比较，得到待匹配图像中每个像素点对应的图像特征值；将两图像特征值为一组写入图像边缘检测器，与图像边缘检测器中预存的边缘特征值进行比较，得到待匹配图像的边缘信息。本发明方法算法简单，硬件开销低，在图像研究领域具有极大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN117293185A
公开(公告)日：2023-12-26
申请号：CN202311325117.2
申请日：2023-10-13
Applicant: 之江实验室
IPC: H01L29/78 , H01L21/336 , H10B51/30
Abstract: 本发明公开了一种具有金属插入层的铁电场效应晶体管及其制备方法，所述铁电场效应晶体管包括衬底，所述衬底的上方生长有氧化物半导体层，所述氧化物半导体层包括沟道区和位于所述沟道区两侧的源区和漏区；在铁电介质层和氧化物半导体层的上方沉积有金属插入层；在源区和漏区的上方分别设置有源极和漏极，在金属插入层的上方设置有栅极；其中，所述金属插入层的热膨胀系数与栅极的热膨胀系数相匹配；通过调整铁电介质层的极化状态来调节铁电场效应晶体管的源极和漏极间的导通状态，从而使得铁电场效应晶体管在逻辑0状态和逻辑1状态之间切换。
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