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公开(公告)号：CN108383125A
公开(公告)日：2018-08-10
申请号：CN201810454678.5
申请日：2018-05-14
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/107 , C01B33/027
Abstract: 本发明涉及多晶硅生产领域，具体涉及一种制备高纯三氯氢硅的装置及方法。本发明提供的制备高纯三氯氢硅的装置，在使用过程中，将制备好的三氯氢硅通入过滤装置中，将其中杂质进行过滤，并将三氯氢硅通入检测评价装置，检测到三氯氢硅的纯度达到预设值时，将三氯氢硅通入还原炉内。当检测装置检测三氯氢硅的纯度未达到预设值时，将三氯氢硅通入制备装置内，重新通过过滤装置再次进行过滤至其纯度达到预设值。本发明提供的制备高纯三氯氢硅的装置操作简单，可制备纯度高的三氯氢硅，同时提高了生产的高效化，且降低了生产成本。本发明提供的制备高纯三氯氢硅的方法，采用上述的制备高纯三氯氢硅的装置，因此也具有上述的有益效果。
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公开(公告)号：CN107500297B
公开(公告)日：2018-06-01
申请号：CN201710858756.3
申请日：2017-09-21
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: C01B33/021
Abstract: 本发明涉及晶体硅制备技术领域，旨在解决现有技术中颗粒硅籽晶制备的装置在制备颗粒硅籽晶的过程中极易产生硅粉尘，导致物料损失的问题，提供一种颗粒硅籽晶制备系统及方法。本发明提供的颗粒硅籽晶制备系统，多晶硅棒经破碎装置破碎后，得到多晶硅块料，多晶硅块料经熔融装置加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；将熔融多晶硅经分散装置分散为多晶硅液滴；多晶硅液滴在空中进行冷却凝固。液滴在表面张力作用下形成高球形度的球形液滴，球形液滴变为球形多晶硅固体颗粒。在本发明中采用激光器对多晶硅棒或多晶硅块进行破损，在破碎过程中没有引入其它物质，实现无接触式激光破碎，提高多晶硅棒或多晶硅块的纯度，且可得到高球度的多晶硅颗粒。
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公开(公告)号：CN107601510B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201710858917.9
申请日：2017-09-21
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: C01B33/021
Abstract: 本发明涉及晶体硅制备技术领域，旨在提供一种制备颗粒硅籽晶的装置及方法，其能够制备出纯度高、球度高的颗粒硅籽晶，具有较小的物料损失量且不易产生粉尘。本发明提供的制备颗粒硅籽晶的装置，其包括用于将经导流口流出的熔融液硅分散的旋转装置。在实施过程中，经熔融装置将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；熔融多晶硅经导流口落在高速旋转的转盘上，高速转盘沿切向甩出分散多晶硅液滴，多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。本发明中提供的制备颗粒硅籽晶的方法，由于采用上述的制备颗粒硅籽晶的装置，因此也具备有上述的有益效果。
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公开(公告)号：CN107748312A
公开(公告)日：2018-03-02
申请号：CN201710948079.4
申请日：2017-10-12
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: G01R31/02 , G01R19/12 , C01B33/035
CPC classification number: G01R31/025 , C01B33/035 , G01R19/12
Abstract: 本发明涉及多晶硅生产设备领域，公开了一种漏电检测系统及多晶硅还原炉。漏电检测系统包括接地线及电流微分检测模块，电流微分检测模块可检测出接地线中漏电电流幅值变化率，因此，根据电流微分检测模块检测结果可判断出还原炉内接地短路故障类型是属于电极处粉尘积累、结硅造成的短路还是硅棒倒棒造成的短路。从而决定是否停炉处理或继续运行，根据实际情况，减小了因误判断停炉而造成巨大的经济损失。本发明的多晶硅还原炉安装有该漏电检测系统，其炉体的炉壁通过接地线接地，因此可以便于技术人员判断还原炉中的短路类型。
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公开(公告)号：CN107585769A
公开(公告)日：2018-01-16
申请号：CN201710858647.1
申请日：2017-09-21
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: C01B33/021
Abstract: 本发明涉及晶体硅制备技术领域，旨在提供一种制备颗粒硅籽晶的系统及方法，其能够制备出纯度、球度高的颗粒硅籽晶。本发明提供的制备颗粒硅籽晶的系统，包括挡板、熔融装置以及喷射装置，挡板与喷射装置的喷射部间隔设置。经熔融装置将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；将熔融多晶硅经喷射装置分散为多晶硅液滴，并经过挡板分散为更小的多晶硅液滴；多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。本发明提供的制备颗粒硅籽晶的系统够制备出纯度、球度高的颗粒硅籽晶，具有较小的物料损失量并且不易产生粉尘。本发明提供的制备颗粒硅籽晶的方法，由于采用上述的制备颗粒硅籽晶的系统，因此也具有上述的有益。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN106865551B
公开(公告)日：2017-12-19
申请号：CN201710185866.8
申请日：2017-03-24
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明提供了一种用于48对棒多晶硅还原炉的喷嘴，属于多晶硅生产领域。喷嘴主要包括芯体，芯体包括第一内管和第一外管，第一外管套设于第一内管上，第一内管包括主通道，并且主通道的出气孔的通流面积比进气口的小。第一外管与第一内管之间的间隙形成辅通道。芯体通过连接部安装在底盘上。由于主通道的进气口的通流面积大于出气口的通流面积，气体在通过主通道时速度越来越快并最终到达还原炉的顶部。进入到辅助通道的气体通过辅助通道后，一部分气体到达还原炉的中部，另一部分从第一外管上的侧通气孔出来到达还原炉的底部。因此物料气体可以比较均匀地分布于整个还原炉中，使得还原反应充分进行。
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公开(公告)号：CN107285319A
公开(公告)日：2017-10-24
申请号：CN201710498274.1
申请日：2017-06-27
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: C01B33/021
CPC classification number: C01B33/021 , C01P2004/32 , C01P2006/80
Abstract: 本发明涉及晶体硅制备技术领域，公开了一种颗粒硅籽晶及其制备方法。颗粒硅籽晶的制备方法包括熔融步骤：将多晶硅料加热至熔融状态，得到熔融多晶硅；分散步骤：将熔融多晶硅分散为多晶硅液滴；冷却步骤：将多晶硅液滴在空中进行冷却凝固，得到颗粒硅籽晶。该方法避免了传统破碎方法得到颗粒硅籽晶时产生硅粉尘的缺陷，并且制得的颗粒硅籽晶具有较高的纯度和球度。
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公开(公告)号：CN106927466A
公开(公告)日：2017-07-07
申请号：CN201710217911.3
申请日：2017-04-05
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明公开了一种48对棒还原炉炉体结构，炉体部分包括有外壁、夹层和内壁，内壁与夹层连接，夹层与外壁连接，夹层内设置有内件，内件包括X型加强筋及顶部物料进气管，内壁为三层复合结构，外层为壳体，中间层为纳米微孔隔热层，内层为纳米银涂层；在夹层内设有由底向上围绕内壁外部呈螺旋上升的若干组X型加强筋，X型加强筋的两端分别与外壁及夹层连接固定；在炉体的夹层内设有由底向上围绕内壁外部呈螺旋上升的炉体顶部物料进气管。本发明在内壁设置纳米微孔隔热材料和纳米银涂层能有效减少炉内热量散失，且X型加强筋能使炉体结构具有良好的机械强度及承压能力，确保炉内物料气体更流畅地循环，提高冷却散热效果，有利于多晶硅的快速、均匀成长。
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公开(公告)号：CN106744975A
公开(公告)日：2017-05-31
申请号：CN201611163888.6
申请日：2016-12-16
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/035 , C01B33/03
CPC classification number: C01B33/035 , C01B33/03
Abstract: 本发明提供一种消除多晶硅碳头料的装置，属于多晶硅技术领域。包括石墨底座、放置在石墨底座上的石墨卡瓣组以及石墨帽。石墨卡瓣组具有第一安装孔，第一安装孔内放置由多晶硅制成的硅芯夹具。石墨帽具有通孔，硅芯夹具穿过通孔并具有用于安装硅芯的第二安装孔。石墨帽盖装于石墨卡瓣组并将石墨卡瓣组固定于石墨底座。此消除多晶硅碳头料的装置既能导电又能起到夹持硅芯的作用，同时，硅沉积到硅芯时也沉积到由多晶硅制成的硅芯夹具上，避免碳头料的产生。
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公开(公告)号：CN106315588A
公开(公告)日：2017-01-11
申请号：CN201610787106.X
申请日：2016-08-31
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/035
CPC classification number: C01B33/035
Abstract: 本发明涉及生产多晶硅领域，主要解决的技术问题是提供一次性多晶硅棒抓取装置，主要由夹持罩和安装在夹持罩内的夹持气囊组成，夹持罩内顶端设有气流分布盘，通入空气或致冷气体时，能迅速降低温度。夹持气囊表面均匀布嵌有由多晶硅加工成的触点，当不断地充气时，夹持气囊缓慢鼓起呈倒圆锥形，夹持气囊上的触点与最外层底部的多晶硅棒表面接触，随着夹持气囊不断鼓起，多晶硅棒受到夹持气囊上触点的挤压，与里层多晶硅棒靠近，直至多晶硅棒挤紧在一起，此时，利用升降装置将整个提起放置在指定位置，完成多晶硅棒一次性取棒。此方法适用于任何炉型，防止污染，节省人力资源成本，降低劳动强度，缩短下次起炉时间，提高工作效率。
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