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公开(公告)号：CN109529732B
公开(公告)日：2020-01-10
申请号：CN201811582088.7
申请日：2018-12-24
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: B01J8/26
Abstract: 本发明公开了一种流化处理系统，包括主流化床和一级副流化床，主流化床上下两端分别设置有主尾气管和主反应气进气口，主流化床中部侧壁上设置有主回料口和固体颗粒投料口；一级副流化床上端设置有一级尾气管，一级副流化床下端设置有一级反应气进气口和一级进料口，一级副流化床下部侧壁上相对设置有一级出料口和一级出料吹扫口；主反应气进气口、一级反应气进气口、一级出料吹扫口均通过管道与反应气进气主管道连接，主尾气管与一级进料口连接，一级尾气管后部设置有尾气回收装置，一级出料口与主回料口连接。通过至少两级流化床串联的流化处理，各级流化床内的流化状态不同，实现了物料的充分利用，避免了尾气管道的堵塞。
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公开(公告)号：CN108002390B
公开(公告)日：2019-02-05
申请号：CN201711233911.9
申请日：2017-11-30
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/035 , C23C24/04
Abstract: 本发明公开了一种还原炉电极及其涂层制备方法，采用铝制造电极体，电极体锥形段设置有银涂层，电极体除锥形段外的其余表面设置有陶瓷绝缘涂层；以拉法尔喷嘴加速经加热的压缩气体作为工作载气，高速的载气加速原材料粉末从喷枪喷出，以低温、高速和完全固态下碰撞电极体，通过颗粒的堆积效应形成具有高致密性、高热稳定性和高强结合性能的涂层。本发明具有如下优点：铝电极体表面更容易接受涂层材料；通过冷喷涂方法制备的电极体锥形段银涂层，可降低电极体与石墨的接触电阻，银涂层不易脱落；在除锥形段外的电极体表面喷涂有氧化铝涂层，大幅提高了电极体的绝缘性能；气涂层粒子沉积效率高，原材料的利用率高，涂层制备生产效率高。
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公开(公告)号：CN109279611A
公开(公告)日：2019-01-29
申请号：CN201811455065.X
申请日：2018-11-30
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/107 , B01D3/14 , B01D3/32
Abstract: 本发明提供一种去除氯硅烷中杂质的方法及装置，其将氯硅烷通入精馏塔内，通过含物理吸附剂的吸附脱附段对氯硅烷中的杂质进行处理，并结合精馏和提馏完成整个生产过程；其中物理吸附剂包括第一组分，第一组分为含羧基的化合物、含氨基的化合物、聚合氯化铝中的一种或多种。本发明采用物理吸附剂的选择吸附功能，能够有效去除氯硅烷中的痕量杂质，特别是碳有机杂质，除杂效率高，环保性好，进一步提升和稳定了氯硅烷的品质。
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公开(公告)号：CN109012514A
公开(公告)日：2018-12-18
申请号：CN201811003189.4
申请日：2018-08-30
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
Abstract: 本发明公开了一种流化床反应器，包括反应腔和位于反应腔下端的底面进气结构；所述反应腔四周设有进气腔，靠近反应腔的进气腔内壁设有多个倾斜设置的导流板，进气腔内壁在其与每个导流板连接处的下方设有一个以上的透气孔，且透气孔连通进气腔和反应腔。本申请通过在反应腔四周设置进气腔，使一部分工艺气体进入进气腔内，并沿导流板改变角度，向上倾斜穿过透气孔吹入反应腔内，从而避免了介质沉积在反应器内壁，导致反应器磨损的情况。
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公开(公告)号：CN106744685B
公开(公告)日：2018-10-23
申请号：CN201611020410.8
申请日：2016-11-21
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B3/50
Abstract: 本发明提供一种电子级多晶硅生产中循环氢气的深度净化方法，属于电子级多晶硅生产中尾气的提纯技术领域。将含有Cl2、氢化物杂质的循环氢气通入等离子体装置中使Cl2活化得到氯自由基，氯自由基与氢化物反应得到含氯化合物，将含氯化合物与循环氢气分离。此深度净化方法中，循环氢气中含有微量Cl2，微量Cl2在等离子体装置中由于强电磁场作用会充分活化，形成具有强取代活性的氯自由基，氯自由基会优先与氢化物发生取代反应，使其转变高沸点、强极性的物质，容易与循环氢气分离；不引入外杂质、反应副产物只有微量HCl，容易与循环氢气分离；等离子体活化可使Cl2活化更加充分，达到循环氢气深度净化的目的。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN108579989A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810331271.3
申请日：2018-04-13
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
Abstract: 本发明公开了一种多晶硅破碎装置及方法，包括有破碎机构、收集箱和控制系统，破碎机构包括有若干级，每一级均包括有对辊装置和筛板，对辊装置包括有破碎辊，筛板设置于破碎辊的下方，在每一筛板尾部设置有出料口；前一级破碎机构的出料口与后一级破碎机构的破碎辊对接，最后一级破碎机构的出料口与收集箱对接。本发明根据硅料的破碎情况自动选择破碎过程的级数，达到最佳的破碎效果，实现从多晶硅出炉到破碎，再到包装的生产一体化；通过探测器与控制系统连接，可自动启动多级破碎装置并自动调整对辊之间合适的间距，适应要求尺寸的硅块，使控制过程迅速、精确、高效；并且碳化钨块可根据使用情况进行定期更换，保持破碎效果的同时可降低成本。
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公开(公告)号：CN107792857B
公开(公告)日：2018-09-11
申请号：CN201711213248.6
申请日：2017-11-28
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明涉及晶体硅制备技术领域，具体而言，涉及一种颗粒硅的生产方法及装置。本发明的实施例中提供的颗粒硅的生产装置包括颗粒硅晶种制备装置、与颗粒硅晶种制备装置连接的颗粒硅晶种筛分装置、与颗粒硅晶种筛分装置连接的颗粒硅制备装置以及与颗粒硅制备装置连接的颗粒硅筛分装置。本发明的实施例中提供的颗粒硅的生产方法采用闭环循环装置加工颗粒硅，使存在影响多晶硅颗粒的纯度及球度的间隙较小，即便有影响多晶硅颗粒的纯度及球度的现象，也会在两次筛分过程中筛分出去，有效地保证颗粒硅的精度及球度，本发明实施例中提供的颗粒硅的生产方法与上述装置采用相同的技术方案，因此也具备上述的有益效果。
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公开(公告)号：CN107055552B
公开(公告)日：2018-08-07
申请号：CN201710498237.0
申请日：2017-06-27
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: C01B33/107 , C01B33/03
Abstract: 本发明涉及多晶硅生产中尾气的提纯技术领域，公开了一种四氯化硅的净化方法及应用，四氯化硅的净化方法主要用于净化多晶硅生产中得到的四氯化硅，包括离子化步骤：将含有Cl2、含碳杂质的四氯化硅通入等离子体发生器使Cl2活化得到氯自由基，氯自由基与含碳杂质反应得到含氯化合物。该方法还包括分离步骤：将含氯化合物与四氯化硅分离。该方法能够应用于多晶硅的生产中。本发明的四氯化硅的净化方法能够较好的去除四氯化硅中的含碳杂质。
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公开(公告)号：CN107124811B
公开(公告)日：2018-05-04
申请号：CN201710479370.1
申请日：2017-06-22
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司 , 青海省亚硅硅材料工程技术有限公司
IPC: H05H1/24
Abstract: 本发明公开了一种等离子体发生器，包括反应器腔体、多级催化隔板电极和电源，多级催化隔板电极垂直安装于反应器腔体内，相邻催化隔板电极之间形成等离子体腔室；电源正极和电源负极以交错间隔方式与所述催化隔板电极连接；催化隔板电极包括有具有透气功能的电介质和电极，电介质由光催化材料、铁电催化材料或光催化和铁电材料的混合物质组成。本发明通过将多级催化隔板电极以交错间隔方式与电源连接，且催化隔板电极采用具有透气孔的电介质和电极制成，而电介质由光催化材料、铁电催化材料或光催化和铁电材料的混合物质组成，可以充分利用放电过程中产生的光辐射能量和电子能量，达到在较低放电电压下产生高电子密度的等离子体。
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公开(公告)号：CN106927466B
公开(公告)日：2017-12-29
申请号：CN201710217911.3
申请日：2017-04-05
Applicant: 亚洲硅业(青海)有限公司
IPC: C01B33/035
Abstract: 本发明公开了一种48对棒还原炉炉体结构，炉体部分包括有外壁、夹层和内壁，内壁与夹层连接，夹层与外壁连接，夹层内设置有内件，内件包括X型加强筋及顶部物料进气管，内壁为三层复合结构，外层为壳体，中间层为纳米微孔隔热层，内层为纳米银涂层；在夹层内设有由底向上围绕内壁外部呈螺旋上升的若干组X型加强筋，X型加强筋的两端分别与外壁及夹层连接固定；在炉体的夹层内设有由底向上围绕内壁外部呈螺旋上升的炉体顶部物料进气管。本发明在内壁设置纳米微孔隔热材料和纳米银涂层能有效减少炉内热量散失，且X型加强筋能使炉体结构具有良好的机械强度及承压能力，确保炉内物料气体更流畅地循环，提高冷却散热效果，有利于多晶硅的快速、均匀成长。
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