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公开(公告)号：CN107868935B
公开(公告)日：2021-06-25
申请号：CN201710898801.8
申请日：2017-09-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/34 , G03F1/32 , H01L21/027
Abstract: 在使用含硅靶、惰性气体和含氮反应性气体的反应性溅射期间，通过如下绘制迟滞曲线：扫描反应性气体的流量，并且将扫描期间的溅射电压或电流相对于反应性气体的流量作图。在对应于大于提供迟滞的反应性气体流量的下限～小于上限的范围的区域中溅射的步骤中，靶功率、惰性气体流量和/反应性气体流量连续或逐步地增加或降低。包括含过渡金属、硅和氮的层的半色调相移膜在光学性质的面内一致性上得以改善。
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公开(公告)号：CN108594593A
公开(公告)日：2018-09-28
申请号：CN201810596424.7
申请日：2014-09-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种光掩模坯料，所述光掩模坯料在对含有硅的无机膜实施硅烷化处理后形成抗蚀膜，并提供一种光掩模坯料及其制造方法，其能够抑制在显影后因抗蚀剂残渣等所引起的缺陷的产生。为了解决上述问题，提供一种光掩膜坯料的制造方法，其是制造以下的光掩模坯料的方法，所述光掩模坯料在透明基板上至少具有含有硅的含硅无机膜，并在该含硅无机膜上具有抗蚀膜，所述光掩模坯料的制造方法是在形成前述含硅无机膜后，进行硅烷化处理，然后利用涂布来形成前述抗蚀膜，所述含硅无机膜的与前述抗蚀膜接触的表面中的氧浓度为55原子％以上且75原子％以下。
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公开(公告)号：CN107868935A
公开(公告)日：2018-04-03
申请号：CN201710898801.8
申请日：2017-09-28
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: C23C14/04 , C23C14/06 , C23C14/34 , G03F1/32 , H01L21/027
CPC classification number: G03F1/32 , C23C14/0089 , C23C14/0094 , C23C14/34 , C23C14/042 , C23C14/0042 , C23C14/0084 , C23C14/0641 , C23C14/0682 , C23C14/3492 , H01L21/0274
Abstract: 在使用含硅靶、惰性气体和含氮反应性气体的反应性溅射期间，通过如下绘制迟滞曲线：扫描反应性气体的流量，并且将扫描期间的溅射电压或电流相对于反应性气体的流量作图。在对应于大于提供迟滞的反应性气体流量的下限～小于上限的范围的区域中溅射的步骤中，靶功率、惰性气体流量和/反应性气体流量连续或逐步地增加或降低。包括含过渡金属、硅和氮的层的半色调相移膜在光学性质的面内一致性上得以改善。
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公开(公告)号：CN105319835A
公开(公告)日：2016-02-10
申请号：CN201510458035.4
申请日：2015-07-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供设计包含透明基材和其上的光学膜的光掩模坯料的方法。所述光掩模坯料被加工成具有光学膜图案的透射性光掩模使得在通过光掩模透射曝光光时可转印该膜图案。使用比反射率作为指标来选择该光学膜，该比反射率等于反射率除以膜厚度。
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公开(公告)号：CN102375326B
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201110310117.6
申请日：2011-08-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种二元光掩模坯料和二元光掩模制造方法。本发明的二元光掩模坯料具有在透明衬底上的遮光膜，其包括衬底侧和表面侧的组成渐变层，具有35-60nm的厚度，并由包含过渡金属和N和/或O的硅基材料构成。衬底侧的组成渐变层具有10-58.5nm的厚度，并且N+O的含量在其下表面处为25-40原子％，在其上表面处为10-23原子％。表面侧的组成渐变层具有1.5-8nm的厚度，并且N+O的含量在其下表面处为10-45原子％，而在其上表面处为45-55原子％。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN102534502B
公开(公告)日：2015-04-01
申请号：CN201110455404.6
申请日：2011-12-06
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: H01J37/3426 , C23C14/0676 , C23C14/14 , C23C14/3407 , C23C14/3414
Abstract: 本发明提供溅射膜形成用硅靶和形成含硅薄膜的方法。提供了一种溅射膜形成用硅靶，其使得能够在溅射膜形成期间通过抑制粉尘产生而形成高品质的含硅薄膜。n型硅靶材10和金属背衬板20通过结合层40而彼此附着。在所述硅靶材10在所述结合材料40侧的表面上设置有由功函数比所述硅靶材10小的材料制成的导电层30。即，所述硅靶材10通过所述导电层30和所述结合层40而附着至所述金属背衬板20。在单晶硅的情况下，n型硅的功函数通常为4.05eV。所述导电层30的材料的功函数需要小于4.05eV。
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公开(公告)号：CN101852984B
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201010158168.7
申请日：2010-03-31
Applicant: 信越化学工业株式会社
CPC classification number: G03F1/84 , G03F7/70783
Abstract: 本发明涉及一种检查制造光掩模基坯或其中间物、确定高能辐射量的方法。通过以下方法检查光掩模基坯，该光掩模基坯是通过在基板上沉积相移膜并且利用高能量辐射来照射相移膜以实施基板形状调节处理而制造的，该方法是：在基板形状调节处理之后测量光掩模基坯的表面形貌，从光掩模基坯移除相移膜，在移除相移膜之后测量经处理的基板的表面形貌，以及比较表面形貌，由此估计由于已经历基板形状调节处理的相移膜的应力而引起的、在移除相移膜之前和之后的翘曲改变。
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公开(公告)号：CN101846876B
公开(公告)日：2013-06-05
申请号：CN201010148960.4
申请日：2010-03-25
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 提供光掩模坯料，它包括透明基底，含由铬基础材料组成的最外层的单一或多层膜，和蚀刻掩模膜。蚀刻掩模膜是由含可水解硅烷的水解缩合物、交联促进剂和有机溶剂的组合物形成的硅氧化物基础材料膜且厚度为1-10纳米。蚀刻掩模膜具有高的耐氯干刻蚀性，从而确保光掩模坯料的高精度加工。
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公开(公告)号：CN101650527B
公开(公告)日：2013-03-27
申请号：CN200910160207.4
申请日：2009-07-30
Applicant: 信越化学工业株式会社
IPC: G03F1/32
Abstract: 灰色调掩模坯，其在透明基板上，由具有互不相同的蚀刻特性的膜形成半透光膜和遮光膜，半透光膜及遮光膜在曝光光的波长下的反射率均小于等于30％，形成在比曝光光的波长长的波长侧的规定波长下的半透光膜和遮光膜的反射率差，使其大于在曝光光的波长下的反射率差，并且半透光膜和遮光膜在制成灰色调掩模时，通过从灰色调掩模的正反面的任一侧对半透光部和遮光部照射上述规定波长的光，根据两者的反射率差能识别半透光部和遮光部。即便是在用半透光膜和遮光膜形成制品加工标识和制品信息标识的情况下，也能通过除去遮光膜或半透光膜中任一个的一方的平版印刷工序形成标识，能形成利用规定的读取波长的光，可利用反射光读取的标识。
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公开(公告)号：CN102375326A
公开(公告)日：2012-03-14
申请号：CN201110310117.6
申请日：2011-08-04
Applicant: 信越化学工业株式会社
Abstract: 本发明涉及一种二元光掩模坯料和二元光掩模制造方法。本发明的二元光掩模坯料具有在透明衬底上的遮光膜，其包括衬底侧和表面侧的组成渐变层，具有35-60nm的厚度，并由包含过渡金属和N和/或O的硅基材料构成。衬底侧的组成渐变层具有10-58.5nm的厚度，并且N+O的含量在其下表面处为25-40原子％，在其上表面处为10-23原子％。表面侧的组成渐变层具有1.5-8nm的厚度，并且N+O的含量在其下表面处为10-45原子％，而在其上表面处为45-55原子％。
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