公开(公告)号：CN117438470A

公开(公告)日：2024-01-23

申请号：CN202311397765.9

申请日：2023-10-25

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王志灏 ,  葛延栋 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L29/78 ,  H01L21/336

Abstract: 本申请提供一种半导体结构及其制备方法。其中，制备方法包括：提供一衬底；在衬底上形成半导体结构，其中，半导体结构包括第一有源结构和沟道结构，第一有源结构是由沟道结构的第一端外延生长形成的；翻转衬底并去除衬底，以暴露沟道结构的第二端，第二端与第一端为所述沟道结构相对的两端；在沟道结构的第二端外延生长第二有源结构。

公开(公告)号：CN117116942A

公开(公告)日：2023-11-24

申请号：CN202310986859.3

申请日：2023-08-07

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  王润声 ,  黎明 ,  卢浩然 ,  黄如

IPC: H01L27/092 ,  H01L21/8238 ,  H01L23/48

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、以及半导体结构。该方法包括：在衬底上形成有源结构，其中，有源结构至少包括第一部分和第二部分；基于有源结构的第一部分，形成第一晶体管，其中，有源结构的第一部分对应的第一有源区与衬底之间形成有隔离结构；对衬底所在的晶圆进行倒片处理；在隔离结构中形成通孔，以暴露有源结构的第一部分对应的第一有源区和/或第一接触金属；对通孔进行金属化处理；基于有源结构的第二部分，形成第二晶体管，其中，有源结构的第二部分对应的第二接触金属与第一有源区和/或第一接触金属通过通孔互连。通过本申请的方案，能够实现堆叠晶体管中上下层晶体管的源漏互连。

公开(公告)号：CN119997596A

公开(公告)日：2025-05-13

申请号：CN202510124629.5

申请日：2025-01-26

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  彭莞越 ,  卢浩然 ,  蒋婧儒 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/83 ,  H10D64/27

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：去除第二伪栅结构，以暴露第二有源结构和栅极隔离层；在第一半导体单元中的第二有源结构、栅极隔离层之上涂覆光刻胶，并通过光刻工艺，至少去除第二半导体单元中的栅极隔离层；依次去除第一伪栅结构和光刻胶，以暴露第一半导体单元中的第一有源结构、栅极隔离层和第二有源结构，以及第二半导体单元中的第一有源结构和第二有源结构；基于第一半导体单元中的第一有源结构、栅极隔离层和第二有源结构，形成第一栅极结构和第二栅极结构，以及同时基于第二半导体单元中的第一有源结构和第二有源结构，形成第三栅极结构和第四栅极结构。

公开(公告)号：CN117995776B

公开(公告)日：2025-04-29

申请号：CN202410057642.9

申请日：2024-01-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  葛延栋 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/83 ,  H10D62/10 ,  H01L23/538

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管、器件及设备，该方法包括：提供一衬底；依次刻蚀顶部衬底、中间牺牲层和底部衬底，以形成有源结构，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，刻蚀后的中间牺牲层位于第一有源结构和第二有源结构之间；形成间隔设置在第一有源结构表面的第一伪栅结构和包裹第二有源结构的第一浅槽隔离结构；去除刻蚀后的中间牺牲层，以形成第一间隙；在第一间隙中填充绝缘材料，以形成中间介质隔离层，中间介质隔离层用于隔离第一有源结构和第二有源结构；基于第一有源结构和第二有源结构形成第一晶体管和第二晶体管。通过本申请，可以实现第一有源结构和第二有源结构之间的电学隔离。

公开(公告)号：CN118073279B

公开(公告)日：2025-04-22

申请号：CN202410178542.1

申请日：2024-02-09

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  卢浩然 ,  江循 ,  孙嘉诚 ,  王润声 ,  林亦波 ,  黄如

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/83 ,  H01L23/528 ,  H01L23/48 ,  H05K1/18

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成有源结构；基于正面有源结构，形成正面晶体管的正面器件层；在正面器件层上进行后道工艺处理，以形成正面互连层；第一正面互连层、第二正面互连层和第三正面互连层中的任意两个互连层电学连接；倒片并去除衬底；基于背面有源结构，形成背面晶体管的背面器件层；在背面器件层上进行后道工艺处理，以形成背面互连层；第一背面互连层、第二背面互连层和第三背面互连层中的任意两个互连层电学连接。通过本申请，可以提高半导体结构的空间利用率。

公开(公告)号：CN118352341B

公开(公告)日：2025-04-15

申请号：CN202410298110.4

申请日：2024-03-15

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  郭睿 ,  卢浩然 ,  孙嘉诚 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L23/538 ,  H01L21/48

Abstract: 本申请提供一种跨层互连结构的制备方法、跨层互连结构及半导体器件。方法包括：提供一半导体衬底；在半导体衬底上形成一个或多个互连单元；其中，每一个互连单元通过依次执行以下步骤进行制备：在半导体衬底上依次沉积形成浅沟槽隔离结构和第一介质层；刻蚀第一介质层以形成第一凹槽，并在第一凹槽内沉积金属材料，形成第一金属结构；在第一金属结构上形成第一金属互连层；倒片并去除半导体衬底，以暴露浅沟槽隔离结构；在浅沟槽隔离结构上形成第二介质层；刻蚀第二介质层、浅沟槽隔离结构和第一介质层直至暴露第一金属结构，形成第二凹槽，并在第二凹槽内沉积金属材料，形成第二金属结构；在第二金属结构上形成第二金属互连层。

公开(公告)号：CN118315343B

公开(公告)日：2025-04-04

申请号：CN202410442420.9

申请日：2024-04-12

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  彭莞越 ,  葛延栋 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H10D84/03 ,  H10D84/85

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，该方法包括：在衬底上形成有源结构；在有源结构上沉积绝缘材料，形成浅槽隔离结构；在浅槽隔离结构上形成硬掩模层，并以硬掩模层为掩模刻蚀浅槽隔离结构，以形成栅极凹槽；在栅极凹槽中沉积半导体材料，以形成初始伪栅结构；第一伪栅结构和第二伪栅结构自对准；去除浅槽隔离结构中包裹第一有源结构的一部分，以暴露第一有源结构；基于第一有源结构，形成第一晶体管；倒片并去除衬底；去除浅槽隔离结构中包裹第二有源结构的一部分，以暴露第二有源结构；基于第二有源结构，形成第二晶体管。通过本申请，可以优化工艺流程。

公开(公告)号：CN118919535A

公开(公告)日：2024-11-08

申请号：CN202410877439.6

申请日：2024-07-02

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  葛延栋 ,  卢浩然 ,  彭莞越 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L27/088 ,  H01L21/8234 ,  H01L29/423

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上一次刻蚀形成有源结构；基于第一有源结构，形成堆叠晶体管的第一晶体管，第一晶体管包括第一栅极结构，第一栅极结构采用栅极替代工艺形成；倒片并去除半导体衬底；基于第二有源结构，形成堆叠晶体管的第二晶体管，第二晶体管包括第二栅极结构，第二栅极结构采用栅极替代工艺形成；堆叠晶体管还包括：栅极隔离结构，栅极隔离结构是在第一栅极结构和/或第二栅极结构替代伪栅结构之前，在堆叠晶体管的栅极隔离区域内沉积形成的；栅极隔离结构用于电学隔离堆叠晶体管的栅极结构和与堆叠晶体管在第二方向上相邻的晶体管的栅极结构。

公开(公告)号：CN118824950A

公开(公告)日：2024-10-22

申请号：CN202410802610.7

申请日：2024-06-20

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  葛延栋 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/822 ,  H01L21/8238 ,  H01L27/06 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种半导体结构的制备方法、半导体结构、器件及设备，方法包括：在衬底上形成多个有源结构；多个有源结构对称设置在介质墙结构的两侧，有源结构包括第一有源结构和第二有源结构，介质墙结构包括第一介质墙结构和第二介质墙结构；基于多个第一有源结构，形成第一正面晶体管和第二正面晶体管；倒片并去除衬底；基于多个第二有源结构，形成第一背面晶体管和第二背面晶体管；其中，第一正面晶体管和第一背面晶体管在垂直于有源区的方向上自对准，第二正面晶体管和第二背面晶体管在垂直于有源区的方向上自对准。通过本申请，可以提高半导体结构的集成密度。

公开(公告)号：CN118538675A

公开(公告)日：2024-08-23

申请号：CN202410609235.4

申请日：2024-05-16

Applicant: 北京大学

Inventor： 吴恒 ,  葛延栋 ,  卢浩然 ,  王润声 ,  黎明 ,  黄如

IPC: H01L21/8238 ,  H01L27/092

Abstract: 本申请提供一种堆叠晶体管的制备方法、堆叠晶体管及半导体器件。方法包括：在半导体衬底上形成第一牺牲层和位于第一牺牲层之上的有源结构；有源结构包括：第一有源结构和第二有源结构；在半导体衬底上沉积氧化物材料，以形成浅沟槽隔离结构；浅沟槽隔离结构包裹第二有源结构和第一牺牲层，第一有源结构暴露于浅沟槽隔离结构之外；基于第一有源结构，形成第一晶体管；倒片并去除半导体衬底，以暴露浅沟槽隔离结构和第一牺牲层；去除第一牺牲层，并在被去除的第一牺牲层的位置处形成硬掩模结构；以硬掩模结构为硬掩模，减薄浅沟槽隔离结构，以使第二有源结构暴露于浅沟槽隔离结构之外；去除硬掩模结构之后，基于第二有源结构，形成第二晶体管。