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公开(公告)号：CN1176480C
公开(公告)日：2004-11-17
申请号：CN02131345.8
申请日：2002-09-29
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种稀土钪钨基高电流密度电子发射体材料及其制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明的材料的特征在于：它含有氧化钪、铼和钨，其中氧化钪占该电子发射体材料重量百分比为1-10%，铼占1-5%，其余为钨。本发明提供的制备方法特征在于，它包括以下步骤：在蓝钨中，以硝酸钪水溶液形式加入1-10%的氧化钪，同时以铼酸铵水溶液的形式加入1-5%的铼，在氢气气氛中，500-650℃下还原0.5-1.5小时，800-1000℃下还原保温1-3小时，得到掺杂氧化钪的钨粉；将上述钨粉采用常规的粉末冶金方法制备烧结体；浸渍铝酸盐，超声波清洗和退火后，制成电子发射体材料。本发明的电子发射体材料发射性能均匀，提高了耐高温、抗离子轰击能力，而且本发明的制备方法工艺重复性好。
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公开(公告)号：CN1131330C
公开(公告)日：2003-12-17
申请号：CN01139972.4
申请日：2001-11-22
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 二元稀土钼次级发射材料及其制备方法属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。本发明的二元稀土钼次级发射材料，其特征在于：它含有La2O3和Y2O3两种稀土氧化物，其稀土氧化物占钼的总重量为10-40%(重量百分比)，其中，La2O3∶Y2O3＝1∶3(重量比)。该二元稀土钼次级发射材料的制备方法是在钼的氧化物或钼粉中，以稀土硝酸盐水溶液形式加入一定量的二元稀土氧化物La2O3和Y2O3，然后在500-550℃的氢气中处理1-5小时，经过800-1000℃的还原处理后，得到掺杂稀土氧化物的钼粉，然后采用粉末冶金的方法制备稀土钼次级发射材料。该材料次级发射系数大、发射稳定性好、易于加工、抗暴露大气能力好。该材料应用于磁控管次级发射材料领域。
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公开(公告)号：CN1124180C
公开(公告)日：2003-10-15
申请号：CN01134723.6
申请日：2001-11-09
Applicant: 北京工业大学
IPC: B01J32/00
Abstract: 本发明属于金属载体制备技术领域。本发明所提供的在金属载体表面制备活性氧化铝层的方法，其特征在于将稀土铁铬铝合金箔材在空气中加热预氧化，氧化温度870～930℃，氧化时间10～24h，然后将氧化后的金属合金箔材直接浸入Al(OH)3胶体溶液，控制Al(OH)3胶体溶液浓度为1.10～1.20g/ml，经过至少4次浸渍、加热分解过程，当金属合金箔材增重达10～20%(重量百分比)时，最终加热分解温度为520～580℃，时间2～4h。通过该方法在金属载体表面制备出的活性氧化铝层为多孔结构，与金属基体结合较好。该活性氧化铝层可用于金属载体表面催化剂的担载。
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公开(公告)号：CN1068953C
公开(公告)日：2001-07-25
申请号：CN98102207.3
申请日：1998-06-03
Applicant: 北京工业大学
IPC: H01F1/059
Abstract: 一种稀土-铁氮化物永磁材料的制各方法，属于磁性材料制造技术领域。该方法的步骤如下：将至少一种为纳米粉末的稀土元素R、Fe和M按一定比例混合，机械合金化1～16小时，在600～900℃晶化处理15～30分钟形成1∶12型化合物R(Fe，M)12，在350～550℃、1个大气压氮气中，氮化1～5小时，获得1∶12型结构的稀土-铁氮化物R(Fe，M)12Nx。该方法工艺简单，并且制备出R(Fe，M)12Nx永磁材料晶粒细小、纯度高、性能优良，可广泛应用于电器、电机及电子仪器中。
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公开(公告)号：CN1057569C
公开(公告)日：2000-10-18
申请号：CN98102852.7
申请日：1998-07-14
IPC: C22C27/04
Abstract: 本发明涉及一种稀土钨电极材料，材料中含有La2O3、Y2O3和CeO2三种稀土氧化物中的任何两种，每种稀土氧化物含量0.45～1.75%(重量)，稀土氧化物的总含量2～2.2%(重量)。经过还原、压型、预烧结、垂熔烧结和旋锻加工等工序制成各种规格的电极。该电极引弧性能好，使用寿命高于钍钨和铈钨电极，可用作惰性气体保护焊和等离子焊接、切割、喷涂、熔炼以及特殊电光源中。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN1235204A
公开(公告)日：1999-11-17
申请号：CN99107453.X
申请日：1999-05-21
Applicant: 北京工业大学
CPC classification number: Y02E40/642
Abstract: 本发明涉及一种多晶织构银基带及其制备方法和应用,属于高温超导涂层韧性基带及超导薄膜的制备技术领域。本发明多晶织构银基带具有单组分{110}双轴织构或立方织构。对于单组分{110}双轴织构,采用冷轧及再结晶退火的方法,对于单组分立方织构,采用温轧及再结晶退火的方法,都可得到多晶织构银基带。不加过渡层,直接在多晶织构银基带上沉积超导薄膜,Jc值可达(2～6)×105A/cm2(77K,OT)。
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公开(公告)号：CN1204696A
公开(公告)日：1999-01-13
申请号：CN98102852.7
申请日：1998-07-14
IPC: C22C27/04
Abstract: 本发明涉及一种稀土钨电极材料,材料中含有La2O3、Y2O3和CeO2三种稀土氧化物中的任何两种,每种稀土氧化物含量0.45～1.75%(重量),稀土氧化物的总含量2～2.2%(重量)。经过还原、压型、预烧结、垂熔烧结和旋锻加工等工序制成各种规格的电极。该电极引弧性能好,使用寿命高于钍钨和铈钨电极,可用作惰性气体保护焊和等离子焊接、切割、喷涂、熔炼以及特殊电光源中。
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公开(公告)号：CN1034193C
公开(公告)日：1997-03-05
申请号：CN95102848.0
申请日：1995-03-24
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 复合管及其制造方法属于复合管制造领域，其外层为金属外管，内层为呈圆柱面状分布的由表、里两层陶瓷材料构成的陶瓷层，内、外层之间还有一层以铁为主带有少量铬、镍等元素的过渡层。在制造时，先把粉末状的Fe2O3、Al、Zr、ZrO2、Al2O3和Y2O3按摩尔比配好放在金属管内，二头再用内孔装有易燃材料的石墨堵头堵住，在使金属管沿轴心旋转条件下烧去易燃材料并点燃其内部粉末即可得所述的复合管，它在隔热、隔音、韧性和结合强度上均优于现有的致密的Al2O3陶瓷衬管。
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公开(公告)号：CN106328468B
公开(公告)日：2018-04-17
申请号：CN201610700338.7
申请日：2016-08-21
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 磁控管用La2O3掺杂Mo阴极材料的制备方法，属于稀土难熔金属阴极材料技术领域。钼基体中掺杂稀土活性物质La2O3，稀土活性物质添加总量为2.0‑5.0wt％，其余为钼。采用液液掺杂的溶胶凝胶法制备La2O3掺杂MoO3粉末，氧化物粉末经过还原、压型、烧结工艺制备出La2O3掺杂Mo棒。钼棒经旋煅、拉拔、退火、洗丝、绕制、定型、裁断工艺得到未碳化磁控管用La2O3掺杂Mo阴极。对阴极进行高温瞬时碳化工艺处理，得到高碳化度的磁控管用La2O3掺杂Mo丝状阴极材料。对阴极进行高温激活排气及老化处理工艺，得到具有良好发射性能及良好发射稳定性的新型环保无放射性的磁控管用丝状阴极材料。
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公开(公告)号：CN103715032A
公开(公告)日：2014-04-09
申请号：CN201310745112.5
申请日：2013-12-30
Applicant: 北京工业大学
Abstract: 一种覆钪酸盐-钨膜的浸渍型钡钨阴极及其制备方法，属于阴极材料技术领域。覆钪酸盐-钨膜的主要成分为Ba3Sc409和金属W，其中Ba3Sc409占膜总质量的5%-20%。在钨海绵体中浸渍发射材料后，利用Ba3Sc4O9和金属W靶材，在阴极表面用脉冲激光沉积的方法制备Ba3Sc4O9-金属W膜。用本发明的阴极含钪酸盐-钨膜制备的阴极，可使阴极的发射电流密度明显升高，提高了阴极的热发射能力。
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