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公开(公告)号：CN119727706A
公开(公告)日：2025-03-28
申请号：CN202510241413.7
申请日：2025-03-03
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H03K19/173 , G06F9/4401 , H01C10/00 , G06F15/80 , H03K17/56 , H03K19/09
Abstract: 本申请提供了一种阻值调节电路、碳化硅装置和电子设备。该阻值调节电路通过设置阻值调节结构，以阻值调节结构的第一输入端来接收启动信号以启动芯片，且以阻值调节结构的第二输入端来接收阻值调节信号，从而根据阻值调节信号调节阻值调节结构的阻值，以调节芯片的开通速度，相比现有方案实现了对芯片的开通速度的调节，从而解决了现有方案缺乏一种对碳化硅芯片的开通速度调节的技术方案的问题。
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公开(公告)号：CN119314974A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411838928.7
申请日：2024-12-13
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/498 , H01L25/07
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体封装结构，包括：基板，具有间隔设置的第一导电层和第二导电层；功率模块，位于第一导电层上，且功率模块的漏极与第一导电层电连接；互连结构，位于功率模块远离基板的一侧，功率模块和基板通过互连结构电气连接；源极连接器，位于第二导电层上，且与功率模块的开尔文源极电连接。通过本申请，解决了由于现有技术中功率器件的电感不匹配导致开关损耗较大的问题。
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公开(公告)号：CN119208244A
公开(公告)日：2024-12-27
申请号：CN202411696420.8
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L21/687 , H01L21/68 , H01L21/60
Abstract: 本发明提供了一种立体多界面互连夹具以及功率器件的制造方法，该立体多界面互连夹具用于对功率器件进行界面互连，功率器件包括衬板、芯片以及互连构件，立体多界面互连夹具包括：夹具本体；定位部，设置在夹具本体上，定位部能够与衬板在横向方向和竖向方向上定位配合；第一互连槽，贯穿夹具本体的上表面和下表面设置，第一互连槽的槽壁的第一部分与芯片的边沿处在横向方向上定位配合，第一互连槽的槽壁的第二部分与互连构件的侧壁在横向方向上定位配合。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的若功率器件的互连工艺存在多步互连或存在空间布局时，常会使用多个夹具，导致互连效率低的问题。
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公开(公告)号：CN119181681A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411696422.7
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本发明提供了一种封装结构及其制造方法、封装模块，其中，封装结构，包括：基板上设置有功率端子导电部；封装体设置在基板上并封装功率端子导电部的第一区域，第一通孔结构露出功率端子导电部的第二区域；芯片结构并位于封装体内；功率端子结构穿设在第一通孔结构中，功率端子结构的第一端连接在功率端子导电部的第二区域上并与芯片结构导电连接，功率端子结构的第二端穿出第一通孔结构。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的封装结构的应用场景受限的问题。
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公开(公告)号：CN119153427A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411603334.8
申请日：2024-11-11
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/492 , H01L23/16 , H01L25/00
Abstract: 本发明提供了一种功率模块单元及具有其的功率模块，其中，功率模块单元包括：第一导电板；多个芯片，多个芯片间隔设置在第一导电板上；导电均载件，导电均载件设置在多个芯片远离第一导电板的一侧，导电均载件包括均载板，均载板上设置有与多个芯片一一对应连接的多个导电部；压接组件，压接组件设置在导电均载件远离多个芯片的一侧；第二导电板，设置在压接组件远离导电均载件的一侧。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的芯片受到较大压力而导致产生损坏的概率较大的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119181678B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411696421.2
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/367 , H01L23/31 , H01L23/48
Abstract: 本发明提供了一种封装结构，包括：外壳，包括基板；导电部，设置在基板上；第一芯片，设置在导电部上；第一功率端子，第一功率端子的第一端具有相互连接的芯片连接部及散热部，芯片连接部与第一芯片连接，散热部与基板散热配合；第二功率端子，第二功率端子的第一端与导电部连接。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的封装结构的封装限制芯片发挥更高结温的问题。
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公开(公告)号：CN119178990B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411690977.0
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: G01R31/28
Abstract: 本申请提供了一种芯片的检测装置与检测方法，检测装置包括：检测电路，包括电连接的电流源和多个第一开关器件，第一开关器件用于与待测模块中的待测芯片一一对应电连接，各第一开关器件连接在电流源和待测芯片之间的连接支路上。该检测装置通过控制第一开关器件的关断可以单独测量各芯片的结温分布，可以解决现有技术中测量碳化硅器件结温的方法误差较大，且只能测量各芯片的平均结温无法测量模块内部各芯片单独的结温分布的问题，能有效避免芯片双极退化带来的结温测量误差，准确测量功率循环过程中模块的芯片结温。
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公开(公告)号：CN119153458B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411603332.9
申请日：2024-11-11
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本发明提供了一种功率子模组及具有其的功率模块，该功率子模组包括：上半桥单元，包括上基板、多个并联的上MOSFET芯片、上串联二极管以及多个并联的上二极管芯片，上MOSFET芯片的数量为偶数，且两个上MOSFET芯片为一个上MOSFET芯片组，两个上MOSFET芯片组之间设置有一个上串联二极管；下半桥单元，包括下基板、多个并联的下MOSFET芯片、下串联二极管以及多个并联的下二极管芯片，下MOSFET芯片的数量为偶数，且两个下MOSFET芯片为一个下MOSFET芯片组，两个下MOSFET芯片组之间设置有一个下串联二极管。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率模块的寄生电感较大，限制了碳化硅器件在高压领域的应用的问题。
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公开(公告)号：CN119181682B
公开(公告)日：2025-03-14
申请号：CN202411696424.6
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/48 , H01L23/367
Abstract: 本发明提供了一种功率器件单元和半导体封装结构，其中，功率器件单元包括：半导体芯片，半导体芯片的第一表面设置有源极，半导体芯片的第二表面设置有漏极；第一端子，包括第一连接板段以及与第一连接板段连接的第一引出板段，第一连接板段与源极导电连接；第二端子，包括第二连接板段以及与第二连接板段连接的第二引出板段，第二连接板段与漏极导电连接；其中，第一连接板段、半导体芯片及第二连接板段叠置设置。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的功率半导体器件的可靠性较低的问题。
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公开(公告)号：CN119181691A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411696419.5
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/498 , H01L23/367 , H01L25/07
Abstract: 本发明提供了一种功率器件，功率器件包括：衬板，衬板的上表面具有间隔设置的第一导电层、第二导电层以及第三导电层，第二导电层位于第一导电层和第三导电层之间；芯片组件，包括多个第一芯片和多个第二芯片，每个第一芯片的漏极均与第二导电层导电连接，每个第二芯片的漏极均与第三导电层导电连接；第一互连构件，具有导电连接部和多个互连部，导电连接部与第一导电层电连接，多个互连部与多个第一芯片的源极一一对应导电连接；第二互连构件，第二导电层与多个第二芯片的源极通过第二互连构件导电连接。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率器件的芯片结温一致性差的问题。
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