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公开(公告)号：CN118969739B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411438306.5
申请日：2024-10-15
IPC: H01L23/057 , H01L23/10 , H01L23/49 , H01L23/08
Abstract: 本发明提供了一种半导体封装结构，其中，半导体封装结构包括：封装壳，包括基板以及与基板连接的围板；半导体芯片，与基板连接；第一端子，与半导体芯片的第一侧连接；第二端子，与半导体芯片的第二侧连接；绝缘加强部，与围板连接，绝缘加强部包括第一绝缘加强肋和第二绝缘加强肋，第一绝缘加强肋设置在第一端子和第二端子之间，第二绝缘加强肋的两端分别与围板的相对的两个内表面连接，第一绝缘加强肋和第二绝缘加强肋相交且相连。本申请的技术方案能够有效地解决相关技术中的壳体的绝缘性能和结构强度难以兼顾的问题。
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公开(公告)号：CN119050090B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411509866.5
申请日：2024-10-28
IPC: H01L23/52 , H01L23/488
Abstract: 本发明提供了一种互连构件及具有其的功率器件，互连构件包括：主体段，主体段的下表面为导电连接面；界面互连段，与主体段连接，界面互连段的下表面为互连面；拱形连接段，包括相连接的第一弧形段和第二弧形段，第一弧形段与主体段连接，第二弧形段与界面互连段连接，第一弧形段在预设纵向截面内具有第一弧形中心线，第一弧形中心线与预设曲线满足确定系数R2，预设曲线满足以下公式：#imgabs0#；x和y为预设曲线在预设坐标系内的横坐标值和纵坐标值；h为预设曲线的最高点至X轴的距离，a为预设曲线至Y轴的最大距离，#imgabs1#为预设常数；在预设曲线的最高点处，预设曲线满足#imgabs2#；R2≥0.8。通过本方案，能够缓解互连构件的互连界面处的应力大的问题。
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公开(公告)号：CN119050109B
公开(公告)日：2025-02-14
申请号：CN202411540447.8
申请日：2024-10-31
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率单元及具有其的功率器件，其中，功率单元包括：基板，基板在第一方向上依次间隔设置有第一端子导电部、芯片导电部以及第二端子导电部，芯片导电部与第二端子导电部导电连接；芯片，设置在芯片导电部上，芯片的第一侧与芯片导电部连接，芯片的第二侧与第一端子导电部导电连接；第一二极管，设置在第二端子导电部上；控制部，设置在基板上，并与芯片连接，控制部设置在芯片与第一二极管之间。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率单元散热效果差的问题。
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公开(公告)号：CN119314974A
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202411838928.7
申请日：2024-12-13
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/498 , H01L25/07
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体封装结构，包括：基板，具有间隔设置的第一导电层和第二导电层；功率模块，位于第一导电层上，且功率模块的漏极与第一导电层电连接；互连结构，位于功率模块远离基板的一侧，功率模块和基板通过互连结构电气连接；源极连接器，位于第二导电层上，且与功率模块的开尔文源极电连接。通过本申请，解决了由于现有技术中功率器件的电感不匹配导致开关损耗较大的问题。
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公开(公告)号：CN119181681A
公开(公告)日：2024-12-24
申请号：CN202411696422.7
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
Abstract: 本发明提供了一种封装结构及其制造方法、封装模块，其中，封装结构，包括：基板上设置有功率端子导电部；封装体设置在基板上并封装功率端子导电部的第一区域，第一通孔结构露出功率端子导电部的第二区域；芯片结构并位于封装体内；功率端子结构穿设在第一通孔结构中，功率端子结构的第一端连接在功率端子导电部的第二区域上并与芯片结构导电连接，功率端子结构的第二端穿出第一通孔结构。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的封装结构的应用场景受限的问题。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN119153427A
公开(公告)日：2024-12-17
申请号：CN202411603334.8
申请日：2024-11-11
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/492 , H01L23/16 , H01L25/00
Abstract: 本发明提供了一种功率模块单元及具有其的功率模块，其中，功率模块单元包括：第一导电板；多个芯片，多个芯片间隔设置在第一导电板上；导电均载件，导电均载件设置在多个芯片远离第一导电板的一侧，导电均载件包括均载板，均载板上设置有与多个芯片一一对应连接的多个导电部；压接组件，压接组件设置在导电均载件远离多个芯片的一侧；第二导电板，设置在压接组件远离导电均载件的一侧。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的芯片受到较大压力而导致产生损坏的概率较大的问题。
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公开(公告)号：CN119050109A
公开(公告)日：2024-11-29
申请号：CN202411540447.8
申请日：2024-10-31
IPC: H01L25/18 , H01L23/367 , H01L23/498
Abstract: 本发明提供了一种功率单元及具有其的功率器件，其中，功率单元包括：基板，基板在第一方向上依次间隔设置有第一端子导电部、芯片导电部以及第二端子导电部，芯片导电部与第二端子导电部导电连接；芯片，设置在芯片导电部上，芯片的第一侧与芯片导电部连接，芯片的第二侧与第一端子导电部导电连接；第一二极管，设置在第二端子导电部上；控制部，设置在基板上，并与芯片连接，控制部设置在芯片与第一二极管之间。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的功率单元散热效果差的问题。
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公开(公告)号：CN119314974B
公开(公告)日：2025-04-11
申请号：CN202411838928.7
申请日：2024-12-13
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/498 , H01L25/07
Abstract: 本发明提供了一种功率半导体封装结构，包括：基板，具有间隔设置的第一导电层和第二导电层；功率模块，位于第一导电层上，且功率模块的漏极与第一导电层电连接；互连结构，位于功率模块远离基板的一侧，功率模块和基板通过互连结构电气连接；源极连接器，位于第二导电层上，且与功率模块的开尔文源极电连接。通过本申请，解决了由于现有技术中功率器件的电感不匹配导致开关损耗较大的问题。
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公开(公告)号：CN119153427B
公开(公告)日：2025-03-25
申请号：CN202411603334.8
申请日：2024-11-11
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/492 , H01L23/16 , H01L25/00
Abstract: 本发明提供了一种功率模块单元及具有其的功率模块，其中，功率模块单元包括：第一导电板；多个芯片，多个芯片间隔设置在第一导电板上；导电均载件，导电均载件设置在多个芯片远离第一导电板的一侧，导电均载件包括均载板，均载板上设置有与多个芯片一一对应连接的多个导电部；压接组件，压接组件设置在导电均载件远离多个芯片的一侧；第二导电板，设置在压接组件远离导电均载件的一侧。本申请的技术方案有效地解决了相关技术中的芯片受到较大压力而导致产生损坏的概率较大的问题。
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公开(公告)号：CN119181680B
公开(公告)日：2025-03-18
申请号：CN202411696418.0
申请日：2024-11-25
Applicant: 北京怀柔实验室
IPC: H01L23/48 , H01L23/367 , H01L25/07
Abstract: 本发明提供了一种连接块及具有其的功率器件，连接块具有导电连接部和互连部，互连部包括多个互连单元，导电连接部和互连部沿第一方向间隔设置，多个互连单元沿第二方向间隔设置，第一方向和第二方向之间具有夹角。通过本申请提供的技术方案，能够解决相关技术中的功率器件无法满足使用要求的问题。
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