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公开(公告)号：CN112488308A
公开(公告)日：2021-03-12
申请号：CN202011501064.1
申请日：2020-12-18
申请人： 清华大学
IPC分类号： G06N3/063
摘要： 本发明提出的一种基于动态忆阻器的储备池计算系统，包括：时分复用模块，包括多个并行的掩膜单元，根据不同的掩模信号以各掩模信号为载波对输入信号的振幅进行调制得到多个不同的振幅的电压信号；储备池模块，包括多个储备池单元，均分别包括相连接的动态忆阻器和负载电阻，通过动态忆阻器对来自掩模单元的电压信号进行非线性变换得到电流信号，负载电阻将该电流信号转换成电压信号后输出；乘加模块，采用非挥发性忆阻器阵列，将来自储备池模块的多个电压信号与非挥发性忆阻器的电导值进行乘加运算得到对应的多个电流信号后输出，各非挥发性忆阻器的电导值与储备电池系统输出的权重值相对应。本发明提高了储备电池系统的工作效率同时降低了功耗。
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公开(公告)号：CN112215855A
公开(公告)日：2021-01-12
申请号：CN202011124134.6
申请日：2020-10-20
申请人： 清华大学
摘要： 一种基于忆阻器阵列实现图像连通区域判断的方法、电子装置。该基于忆阻器阵列实现图像连通区域判断的方法包括：获取待处理图像；将待处理图像中的每个像素点的值映射至忆阻器阵列对应的忆阻器单元；依次遍历待处理图像的所有像素点，且在遍历待处理图像的过程中，将每个被选择的像素点及与被选择的像素点在多个连通域检测方向上满足相邻关系的多个相邻像素点通过忆阻器阵列进行像素标签处理，以得到被选择的像素点的像素标签。该方法利用忆阻器阵列的存算一体优势，高效、快速的实现图像连通区域判断。
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公开(公告)号：CN109800729B
公开(公告)日：2020-12-08
申请号：CN201910081039.3
申请日：2019-01-28
申请人： 清华大学
摘要： 一种信号处理装置及信号处理方法。该信号处理装置包括接收器、忆阻器阵列和分类器。接收器被配置为接收第一信号。忆阻器阵列包括多个忆阻器单元，多个忆阻器单元中的每一个包括忆阻器，忆阻器阵列被配置为：将接收到的所述第一信号施加到所述多个忆阻器单元中的至少一个忆阻器单元，并且输出基于所述忆阻器阵列的忆阻器电阻值分布的第二信号。分类器被配置为对所述忆阻器阵列输出的第二信号进行分类，以获得所述第一信号的类型。该信号处理装置体积小、功耗低且易于集成。
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公开(公告)号：CN111968689A
公开(公告)日：2020-11-20
申请号：CN202010878572.5
申请日：2020-08-27
申请人： 清华大学
IPC分类号： G11C13/00 , A61B5/00 , A61B5/0476
摘要： 提供了一种信号处理装置及信号处理方法。该信号处理装置包括忆阻器阵列、输入电路、第一开关电路、第二开关电路、输出电路和控制电路。忆阻器阵列包括多个忆阻器单元并连接到多条源线、多条字线和多条位线。控制电路，被配置为：控制第一开关电路来选择多条源线中的至少一条源线来分别多个第一信号中的至少一个第一信号施加到至少一条源线，控制第二开关电路来选择激活多条字线中的至少一条字线，以将至少一个第一信号施加到与至少一条字线相对应的忆阻器单元，以及控制输出电路以输出基于忆阻器阵列的忆阻器的电导值的多个第二信号。本发明提供的信号处理装置易于扩展并且面积小、功耗低。
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公开(公告)号：CN111950569A
公开(公告)日：2020-11-17
申请号：CN202010857355.8
申请日：2020-08-24
申请人： 清华大学
IPC分类号： G06K9/46
摘要： 一种基于忆阻器阵列实现图像连通区域标记的方法、电子装置，该方法包括：获取初始图像；在初始图像的行扩展方向和列扩展方向上进行边缘像素点扩展以得到扩展图像，扩展图像包括与初始图像对应的初始图像部分；依次遍历扩展图像中的初始图像部分的所有像素点，且在遍历初始图像部分的过程中，将每个被选择的像素点及与被选择的像素点在多个连通域检测方向上满足相邻关系的多个像素点作为一个计算单元组，分别输入忆阻器阵列中进行乘和运算以进行像素标签处理，以得到被选择的像素点的像素标签；将初始图像的所有像素点的像素标签，根据所有像素点在初始图像中的位置进行排列，以得到像素标签矩阵；对像素标签矩阵进行连通域编号处理。
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公开(公告)号：CN109522753B
公开(公告)日：2020-11-06
申请号：CN201710840926.5
申请日：2017-09-18
申请人： 清华大学
摘要： 一种实现物理不可克隆函数的电路结构及其驱动方法、集成电路芯片及其认证方法、电子设备。该电路结构包括多层电路、第一地址电路和输出电路。多层电路包括可寻址的第一阻变器件阵列和可寻址的第二阻变器件阵列，第一地址电路配置为将第二阻变器件阵列中的第二阻变器件的阻值映射成为第一地址，第一地址用于定位被选中的第一阻变器件；输出电路配置为获取并处理被选中的第一阻变器件的阻值，且输出处理结果。该电路结构基于多层阻变存储器阵列实现物理不可克隆函数，通过地址映射的方法连接各层阻变器件阵列，提升数据复杂度，提高物理不可克隆函数的抗机器学习算法攻击的能力，增加硬件认证的安全性。
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公开(公告)号：CN109509495B
公开(公告)日：2020-09-22
申请号：CN201710828249.5
申请日：2017-09-14
申请人： 清华大学
IPC分类号： G11C13/00
摘要： 一种阻变存储器的操作方法及其操作装置、芯片以及芯片认证方法。该操作方法包括：对阻变存储器阵列中的多个存储单元施加复位电压，以使所述阻变存储器阵列处于第一状态以形成物理不可克隆函数；以及对处于所述第一状态的阻变存储器阵列中的多个存储单元施加置位电压，以使所述阻变存储器阵列处于第二状态。在所述第二状态时，所述阻变存储器阵列中有百分之九十以上的存储单元处于低阻态。该操作方法可以对存储在物理不可克隆函数中的数据进行隐藏，从而可以实现对物理不可克隆函数中信息的有效保护。
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公开(公告)号：CN111564236A
公开(公告)日：2020-08-21
申请号：CN202010352024.9
申请日：2020-04-28
申请人： 清华大学 , 深圳市腾讯计算机系统有限公司
摘要： 本申请公开了一种导电浆料、制备方法及导电薄膜制备方法，包括：热塑性聚氨酯、导电颗粒及有机溶剂，热塑性聚氨酯及该导电颗粒按比例混合在该有机溶剂中。本申请实施例以热塑性聚氨酯弹性体作为粘结剂，将导电颗粒混合于热塑性聚氨酯弹性体溶剂中，导电填料保证了导电薄膜的导电能力，热塑性聚氨酯作为一种交联聚合物具有极强的黏附性，可应用于任意基材表面，形成粘附性好，不开裂的导电薄膜。另外，由于热塑性聚氨酯及导电颗粒均匀分散在有机溶剂，有效防止了导电颗粒在导电浆料中发生团聚导致浆料失效，使得所得到的导电浆料可在室温下长期保存。
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公开(公告)号：CN111253598A
公开(公告)日：2020-06-09
申请号：CN202010052767.4
申请日：2020-01-17
申请人： 清华大学 , 深圳市腾讯计算机系统有限公司
摘要： 本申请实施例提供一种薄膜压阻材料及其制备方法、电子器件，其中，制备方法包括：提供分散有金属纳米材料的分散剂、聚合物弹性体和第一溶剂；将所述聚合物弹性体溶解于所述第一溶剂中，形成聚合物溶液；将所述分散剂与所述聚合物溶液混合，形成预固化剂；对所述预固化剂进行成膜处理，形成所述薄膜压阻材料。通过本申请，能够使所形成的薄膜压阻材料在具备压阻效应的同时还能够集成多种其他功能，扩展了薄膜压阻材料的应用范围，且可以适用于任何类型的金属型薄膜压阻材料的制备。
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公开(公告)号：CN110931634A
公开(公告)日：2020-03-27
申请号：CN201811014492.4
申请日：2018-08-31
申请人： 清华大学
摘要： 一种阻变器件及其制备方法、设计方法，该阻变器件包括第一电极、第二电极、阻变层和至少一层热电调制层。所述阻变层设置在所述第一电极和所述第二电极之间，所述热电调制层与所述阻变层相邻。所述阻变器件可在第一状态和第二状态之间转换，所述阻变层在所述第一状态时的电阻小于在所述第二状态时的电阻，所述热电调制层的有效电阻大于所述阻变层在所述第一状态时的电阻的1/4。该阻变器件在置位和/或复位过程中具有电导-脉冲线性区间，有利于提高应用该阻变器件的神经网络的计算精度，有助于实现类脑计算硬件系统。
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