公开(公告)号：CN101805178B

公开(公告)日：2012-06-13

申请号：CN201010100562.5

申请日：2010-01-22

申请人： 华中科技大学

发明人： 周东祥 ,  龚树萍 ,  傅邱云 ,  刘欢 ,  赵俊 ,  张波

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/622 ,  B02C17/00

摘要： 本发明公开了一种制备钛酸钡基PTC半导体陶瓷细晶结构的方法，该方法以碳酸钡、二氧化钛、氧化钇、硝酸锰、碳酸锶或/和碳酸钙为原料，用直径为1～2mm的ZrO2小球、厚度为1μm的缝隙过滤浆料、转速为1400～2400rpm、球磨时间为1～3小时，最终获得粒径大小为20～50nm的钛酸钡基PTC粉体；然后再分散剂、粘合剂和增塑剂进行混合球磨3～5小时，然后静置5～12小时去除气泡及物理团聚，最后进行过筛处理获得流延浆料；最后对流延浆料进行流延操作，制备钛酸钡陶瓷生坯。获得的片式细晶PTC，其特征在于磁体晶粒大小在2微米以下，室温电阻率≤120Ω.cm，升阻比≥4×103，居里温度在80～120℃。

公开(公告)号：CN101483417B

公开(公告)日：2011-02-09

申请号：CN200910060548.4

申请日：2009-01-16

申请人： 华中科技大学

发明人： 周东祥 ,  赵俊 ,  龚树萍 ,  胡云香 ,  郑志平 ,  刘欢 ,  傅邱云

IPC分类号： H03H3/007 ,  C04B35/10 ,  C04B35/622

摘要： 本发明为一种多层布线用黑色氧化铝基片的材料的制备方法，即采用固相法，向主晶相Al2O3粉末中加入Co，Mn，Cr，Si，Ti，B，V等元素，对氧化铝进行掺杂改性，降低了氧化铝陶瓷的烧成温度，并在粉体改性的基础上提出了一种黑色氧化铝有机流延成型方法，选择了适合氧化铝的流延成型剂，复合溶剂，复合增塑剂。得到均匀、稳定、高固相含量的浆料，提高了素坯成型质量。使用刮刀法流延，设备简单可行，自然干燥过程方便，干燥过程不会引起坯体的破裂，起皱，和无法脱膜的现象。制得膜体致密，并用机械打孔法来制备叠层基片，得到多层布线用黑色氧化铝基片。

公开(公告)号：CN101224981B

公开(公告)日：2011-01-19

申请号：CN200810046860.3

申请日：2008-02-01

申请人： 华中科技大学

发明人： 周东祥 ,  龚树萍 ,  刘欢 ,  郑志平 ,  胡云香 ,  傅邱云

IPC分类号： C04B35/624 ,  C04B35/63 ,  C04B35/01 ,  G01N27/12 ,  G01N27/407

摘要： 本发明公开了一种制备纳米金属氧化物陶瓷薄/厚膜的方法，依次包括：①制备含有金属阳离子、有机单体、交联剂及引发剂的混合溶液；②催化引发形成凝胶；③制备适于涂膜的浆料；④涂膜；⑤热处理。该方法以廉价的无机盐为原料，工艺过程简单，易于操作，效率高且重复性好，通过调整工艺参数很容易控制金属氧化物颗粒的尺寸及膜的厚度。能够有效抑制颗粒相互接触和团聚，同时弥补了常用薄膜制备技术对实验设备要求高、成本高的不足。具有较强的普适性和通用性，同样也适用于复合多层纳米金属氧化物陶瓷薄/厚膜的制备。所获得的薄/厚膜具有网络状疏松多孔结构，结晶良好，颗粒呈球形或类球形，且粒度分布窄，尤其适用于制备气体或湿度传感器。

公开(公告)号：CN101875506A

公开(公告)日：2010-11-03

申请号：CN200910273160.2

申请日：2009-12-10

申请人： 华中科技大学

发明人： 周东祥 ,  龚树萍 ,  郑志平 ,  权琳 ,  胡云香

IPC分类号： C01G15/00

摘要： 本发明公开了一种晶体生长用TlBr粉体的溶液合成方法，先在室温下，制备TlNO3的水溶液及浓度为0.09-9mol/L的HBr溶液；分别将TlNO3的水溶液及HBr溶液滴加至同一容器中，使该容器中TlNO3及HBr的摩尔比为0.95∶1～1.4∶1，在搅拌作用下共沉淀生成TlBr；将生成物静置后倒去上清液，保留沉淀物，并加入去离子水反复清洗，直到清洗的水样趋于中性；最后将清洗过的沉淀物烘干，烘干温度为35-95℃，得到TlBr粉体。该溶液合成方法可以在常温常压下于水溶液中采用共沉淀的方式制备TlBr粉体，同时能够控制TlBr中Tl及Br原子的物质量比。

公开(公告)号：CN101830698A

公开(公告)日：2010-09-15

申请号：CN201010123229.6

申请日：2010-03-15

申请人： 华中科技大学 ,  佛山市南海蜂窝电子制品有限公司

发明人： 周东祥 ,  龚树萍 ,  赵俊 ,  邱传贡

IPC分类号： C04B35/468 ,  C04B35/624

摘要： 本发明公开了一种高居里点低电阻率无铅PTCR陶瓷材料，其组成为式①，式中：x＝0.1～0.5；y＝0.1～0.3；z＝0.001～0.01；j＝0.1～0.2；k＝0.01～0.05；w＝0.0001～0.001，成分中Ln为Sm、Nd、Y和La任一种或二种元素；Cn为Ca和Sr中的至少一种元素。制备过程为：(1)分别制备含Bi、Na、K、Ba、Ti、Ln、Cn、Si、Mn离子的溶液，按式①中给出的摩尔比例配制混合溶液：(2)按上述混合溶液∶有机单体∶交连剂＝100ml∶(6～20)g∶(0.5～8)g的比例混合，溶液中的有机单体和交连剂交联聚合得到凝胶；(3)700-800℃煅烧1～3小时，得到陶瓷粉体；(4)粉体造粒、干压成型后在高温1200～1300℃下烧结1～2小时。该陶瓷材料具有高居里点、低电阻率的特点。[Bi0.5(Na1-xKx)0.5]y[Ba1-y-z-j]TiO3+zLn3++jCn2++kSi2++wMn(NO3)2？？①。

公开(公告)号：CN101224981A

公开(公告)日：2008-07-23

申请号：CN200810046860.3

申请日：2008-02-01

申请人： 华中科技大学

发明人： 周东祥 ,  龚树萍 ,  刘欢 ,  郑志平 ,  胡云香 ,  傅邱云

IPC分类号： C04B35/624 ,  C04B35/63 ,  C04B35/01 ,  G01N27/12 ,  G01N27/407

摘要： 本发明公开了一种制备纳米金属氧化物陶瓷薄/厚膜的方法，依次包括：①制备含有金属阳离子、有机单体、交联剂及引发剂的混合溶液；②催化引发形成凝胶；③制备适于涂膜的浆料；④涂膜；⑤热处理。该方法以廉价的无机盐为原料，工艺过程简单，易于操作，效率高且重复性好，通过调整工艺参数很容易控制金属氧化物颗粒的尺寸及膜的厚度。能够有效抑制颗粒相互接触和团聚，同时弥补了常用薄膜制备技术对实验设备要求高、成本高的不足。具有较强的普适性和通用性，同样也适用于复合多层纳米金属氧化物陶瓷薄/厚膜的制备。所获得的薄/厚膜具有网络状疏松多孔结构，结晶良好，颗粒呈球形或类球形，且粒度分布窄，尤其适用于制备气体或湿度传感器。

公开(公告)号：CN101214933A

公开(公告)日：2008-07-09

申请号：CN200810046658.0

申请日：2008-01-10

申请人： 华中科技大学

发明人： 胡云香 ,  周东祥 ,  龚树萍 ,  李鹏冲 ,  郑志平 ,  刘欢

IPC分类号： C01B19/04

摘要： 本发明公开了一种制备金属硒化物薄膜的方法，步骤为：先将摩尔比为(0.5～2)∶1的乙酰丙酮金属盐和硒化三辛基膦共同溶解于乙酰丙酮等溶剂，配成乙酰丙酮金属盐浓度为12.5～50m mol/L的前驱体溶液；在保护气氛下，对上述配制好的前驱体溶液进行雾化处理，将得到的气溶胶加热至300～550℃，使前驱体发生反应，生成金属硒化物，并使金属硒化物沉积到衬底上，待衬底上所形成薄膜达到所需的厚度时冷却。本发明方法可以方便灵活的改变原料之间的配比，以得到需要的产物，且原料更为廉价。这种制备方法使用的设备简单，适用于多种金属硒化物薄膜的制备。

公开(公告)号：CN1277781C

公开(公告)日：2006-10-04

申请号：CN200410061153.3

申请日：2004-11-19

申请人： 华中科技大学

发明人： 周东祥 ,  龚树萍 ,  郑志平 ,  胡云香 ,  刘欢

IPC分类号： C04B35/622 ,  C04B35/468

摘要： 本发明公开了一种制备BaTiO3基PTCR陶瓷微粉的方法，该方法是，在含有Ba2+、Sr2+、Ti4+和Y3+的透明溶液中，引入有机单体及交连剂，在引发剂和催化剂的作用下，溶液中的单体与交连剂交联聚合得到凝胶，从而使得溶液中的离子原位固化，在700～900℃的温度下煅烧，得到掺杂BaTiO3粉体，再将受主杂质Mn2+及助烧剂Si4+的混合溶液与所得粉体超声混合均匀，使得受主杂质及助烧剂均匀包裹在掺杂BaTiO3粉体表面，得到BaTiO3基PTCR陶瓷微粉。该方法制得的微粉具有纯度高、组成均匀、粒度小、化学活性高的特点，而且工艺简单、成本低、制备过程便于操作和控制。

公开(公告)号：CN1220651C

公开(公告)日：2005-09-28

申请号：CN03125369.5

申请日：2003-09-02

申请人： 华中科技大学

发明人： 周东祥 ,  龚树萍 ,  徐建梅 ,  黄国华

IPC分类号： C04B35/462 ,  C04B35/50 ,  C04B35/622 ,  H01B3/12

摘要： 本发明公开了一种制备高介电常数微波介质陶瓷的方法，其原料的摩尔量百分比为：Ba(OH)211.85-28.25，Ln(NO3)320.47-33.23，TiCl445.51-67.34，其中Ln为La或Sm，其处理步骤为：①将TiCl4充分水解得到偏钛酸沉淀；②将偏钛酸沉淀与硝酸镧或硝酸钐按上述配比一起放入密闭的高压反应釜中，在200～350℃下进行反应，制得钛酸镧或钛酸钐；③过滤、洗涤、干燥后，再加入氢氧化钡，在密闭的高压反应釜中进行反应，制得含有目标相的微波介质陶瓷粉末；④过滤、洗涤、干燥后，直接造粒、成型，在1200～1350℃大气气氛中烧结处理。本发明所制备的微波介质陶瓷的介电常数可达80～120，品质因数大于5000，谐振频率温度系数τf的绝对值可小于15ppm/℃。

公开(公告)号：CN1528705A

公开(公告)日：2004-09-15

申请号：CN200310111238.3

申请日：2003-10-15

申请人： 华中科技大学

发明人： 周东祥 ,  龚树萍 ,  黄国华 ,  徐建梅 ,  梁飞

IPC分类号： C04B35/462 ,  C04B35/465 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64 ,  H01B3/12

摘要： 本发明公开了一种微波介质陶瓷，包括主成分：p[m(aCaO.bNd2O3)·cMgO·TiO2]·q[1/4Li2O·1/4Sm2O3·TiO2]，以摩尔百分比计算，其中：p+q＝100摩尔％，m+c＝1，a+3b＝1，30摩尔％≤q≤55摩尔％，0.3摩尔≤a≤0.75摩尔，0.8摩尔≤m≤0.95摩尔；副成分为ZnO，以主成分的重量为100计，副成份的含量u为主成分的0.5至2.0wt％。本发明还提供了其制备方法。所制备的微波介质陶瓷，其介电常数为90~120，同时具有低损耗与可调的谐振频率温度系数，利用本发明提供的微波介质陶瓷可使介质谐振器与滤波器等微波元器件适应更高的频率。同时，本发明提供的陶瓷亦可应用于高频陶瓷电容器或温度补偿陶瓷电容器等。