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公开(公告)号：CN102896007B
公开(公告)日：2015-04-15
申请号：CN201210381369.2
申请日：2012-10-09
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种微流控器件及其制备方法；微流控器件包括衬底、涂覆于衬底上的缓冲层、附着于缓冲层上的压电层、光刻于压电层上的电极层、涂覆于电极层上的介质层以及涂覆于介质层上的疏水层；电极层中的电极包括网状电极以及多个均匀排列分布于所述网状电极的四周的叉指换能器；网状电极由互相连接的电极块组成。叉指换能器的电极结构可以是单叉指、双叉指或SPUDT结构。本发明提供的微流控器件集成了声波驱动和EWOD两种驱动方式，可降低液滴驱动电压和声波驱动功率，更有效简化芯片制作工艺，降低制造成本。
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公开(公告)号：CN102946236A
公开(公告)日：2013-02-27
申请号：CN201210405161.X
申请日：2012-10-22
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种可调薄膜体声波谐振器及其制备方法，该制备方法包括步骤S1：在洁净的Si衬底上制备阻挡层；S2：在阻挡层上制备布拉格反射栅，布拉格反射栅由不同声波阻抗薄膜构成；S3：在布拉格反射栅上依次制备粘附层和底电极；S4：在底电极上制备多层异质结构，并作为体声波谐振器的压电层；多层异质结构由BST薄膜、BZT薄膜或BZN薄膜构成；S5：将多层异质结构进行退火处理后形成晶化薄膜；S6：在晶化薄膜上制备顶电极后获得可调薄膜体声波谐振器。本发明采用多层异质结构作为压电层使得体声波谐振器具有相对较低的介电损耗和漏电流，具有相对适中的介电常数和相对较高的可调性；室温下具有较大的优值。
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公开(公告)号：CN102531575A
公开(公告)日：2012-07-04
申请号：CN201110415952.6
申请日：2011-12-14
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/622
摘要： 本发明公开了提供一种Sm2O3掺杂BaTiO3基片式PTCR陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料的结构式为：(Bay-xSmx)TiO3+mSiO2+nMn(NO3)2+pBN，式中x=0.2~0.8mol%，y=1.014~1.029，m=0.05~0.6mol%，n=0.005~0.02mol%，p=0~4.4mol%。本发明采用流延成型方法，利用Sm2O3掺杂BaTiO3基PTCR粉体制得的流延浆料制备坯体，叠层压片和切片；在还原气氛中烧结，在空气中再氧化，再在表面上涂电极。本发明克服了高Ba/Ti比的半导化陶瓷材料电阻率高的不足，PTCR陶瓷材料具有晶粒尺寸小、室温电阻率低和PTC效应大的特点。
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公开(公告)号：CN102517624A
公开(公告)日：2012-06-27
申请号：CN201110423024.4
申请日：2011-12-16
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种多段控温晶体生长炉，包括炉体，所述炉体上端设有安瓿悬挂装置，所述炉体外部设有炉体隔热层，所述炉体分为上保温区和下保温区，其特征在于，所述炉体上、下保温区之间还设有生长区，所诉生长区包括在所述炉体轴向安置的多个加热单元，相邻加热单元之间设有隔热层。本发明可根据需要调节多段加热单元的温度，获得所需的温度梯度区间及合适的温度梯度，从而实现大尺寸、高质量单晶的生长。
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公开(公告)号：CN102503408A
公开(公告)日：2012-06-20
申请号：CN201110308257.X
申请日：2011-10-12
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： C04B35/468 , C04B35/622 , B32B18/00
摘要： 本发明公开的一种叠层片式钛酸钡PTC陶瓷的制备方法，①将下述化合物按摩尔组分比混合；BaCO3 99～101，TiO2 100，Y2O3 0.1～0.5，SiO2 0～0.02；②球磨混合3～5小时后，将所得浆料进行烘干、预烧处理，得到钛酸钡粉体；③进行高能超细球磨，获得粒径500nm以下的粉体；④将粉体配成流延浆料，流延出45um～70um的生坯膜片；⑤层压并印刷Ni内电极，制作成叠层片式结构；⑥切割成含有内电极的生坯片；⑦在还原气氛中以1180～1240℃烧结，然后在空气中以650℃～850℃进行再氧化，获得所需的叠层片式陶瓷电阻。本发明所制备的半导体陶瓷的瓷体晶粒大小可以达到2.0μm以下，密度可以控制在65％-98％之间，室温电阻率在20-200Ω.cm之间，叠层器件升阻比达3×102以上，居里温度在80℃～120℃。
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公开(公告)号：CN101781119A
公开(公告)日：2010-07-21
申请号：CN201010100563.X
申请日：2010-01-22
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： C04B35/624 , C04B35/468
摘要： 本发明公开了一种钛酸钡PTC陶瓷的溶胶凝胶制备方法，步骤为：①将按配方(Ba1-xYx)TiO3，x＝6～20‰称料，配制成浓度为1.3～1.6mol/L的醋酸钡水溶液，配制浓度为1.0～1.3mol/L的钛酸四丁酯溶液；②将Y(NO3)3·6H2O掺入Ba(CH3COO)2水溶液中，再将其滴入Ti(OC4H9)4溶液中得到混合溶液；③将混合溶液在室温下静置得到溶胶，然后溶胶干燥得到凝胶；④将凝胶捣碎、研磨、过筛，预烧合成含钇的BaTiO3粉体；⑤将含钇的BaTiO3粉体、BaCO3和BN按照摩尔组分比为1∶(0.02～0.03)∶(0.04～0.06)称料后，加入去离子水后混合球磨；⑥将含有玻璃相原料的BaTiO3粉体与溶剂、分散剂混合球磨，然后将得到的混合物与粘合剂、增塑剂再球磨得到流延用浆料；⑦浆料流延成型；⑧将生胚切片烧结成瓷片。该方法所制备的PTC陶瓷具有晶粒细小、室温电阻率小和PTC效应大的特点。
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公开(公告)号：CN101750409A
公开(公告)日：2010-06-23
申请号：CN200910273200.3
申请日：2009-12-14
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种测量溴化铊材料中杂质含量的方法，其特征在于，该方法包括下述步骤为：第1步以TlBr为原料，配制Tl(III)的母液，母液中含Tl(III)量为1～3mg/mL；第2步以母液1mL计，在1mL母液中加入10mL浓度为3.6～8.1mol/L的HBr和10～35mL的异丙醚，振荡均匀，静置分层后分离出水相；第3步利用电感耦合等离子体质谱仪测量水相中各杂质的含量。本发明方法可使溴化铊材料中的基体元素铊的含量达到ICP-MS的测试要求，检测出材料中的各杂质的含量。
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公开(公告)号：CN101483417A
公开(公告)日：2009-07-15
申请号：CN200910060548.4
申请日：2009-01-16
申请人： 华中科技大学
IPC分类号： H03H3/007 , C04B35/10 , C04B35/622
摘要： 本发明为一种多层布线用黑色氧化铝基片的材料的制备方法，即采用固相法，向主晶相Al2O3粉末中加入Co，Mn，Cr，Si，Ti，B，V等元素，对氧化铝进行掺杂改性，降低了氧化铝陶瓷的烧成温度，并在粉体改性的基础上提出了一种黑色氧化铝有机流延成型方法，选择了适合氧化铝的流延成型剂，复合溶剂，复合增塑剂。得到均匀、稳定、高固相含量的浆料，提高了素坯成型质量。使用刮刀法流延，设备简单可行，自然干燥过程方便，干燥过程不会引起坯体的破裂，起皱，和无法脱膜的现象。制得膜体致密，并用机械打孔法来制备叠层基片，得到多层布线用黑色氧化铝基片。
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公开(公告)号：CN1259671C
公开(公告)日：2006-06-14
申请号：CN03128235.0
申请日：2003-06-26
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种叠层片式PTC热敏电阻器的制备方法，步骤为(1)制备超细BaTiO3基PTC粉末；(2)制备BaTiO3基半导瓷水浆料；(3)采用凝胶注模成型方法制备均匀致密的棒状PTC陶瓷坯体；(4)棒状PTC陶瓷的烧成：将成型的坯体在高温下烧结得到棒状PTC陶瓷；(5)瓷片切割；(6)叠层及电极烧渗。本发明采用“烧成-切割-叠层”的工艺路线，切割所得的瓷片平整度好，避免了片式元件先烧后叠时产生的瓷片平整度问题，以及瓷片与电极的欧姆接触问题，同时也避免了一体共烧时高温下内电极的熔化和氧化，以及电极面积大、易短路、可靠性低的缺点；制得的叠层片式PTC热敏电阻器具有高PTC效应。
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公开(公告)号：CN1203307C
公开(公告)日：2005-05-25
申请号：CN03128070.6
申请日：2003-05-30
申请人： 华中科技大学
摘要： 本发明公开了一种高介低损耗陶瓷微波复介电参数的测试方法，该方法能够严格求解介质柱谐振器中有关TE0ml模的正反问题，能够简单可靠地测量金属板表面电阻和样品的介电损耗。通过测量试样的半径a、高度L和TE011模的谐振频率，利用反问题算法计算得到试样的复介电常数。通过测量谐振频率相近的两个高次TE模的谐振频率、有载品质因数及谐振频率点的散射参数S21，代入所获得的关系式，就能得到试样的介电损耗。本发明能够对εr＝20～150、tanδ＝1×10-4～5×10-3，半径a小于15mm、厚度L大于4mm，且的上下表面平整的圆柱形微波陶瓷样品在1～20GHz范围内进行测试，εr的相对误差小于0.1%，f0/tanδ的相对误差小于2.5%。
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