-
公开(公告)号:CN106920276A
公开(公告)日:2017-07-04
申请号:CN201710098523.8
申请日:2017-02-23
申请人: 华中科技大学
摘要: 本发明公开了一种三维重建方法和系统,其中方法的实现包括:基于校正后的左、右视角图像提取左、右特征点的特征向量,通过计算左、右特征点特征向量之间的空间距离寻找左、右支撑点,基于左支撑点对左视角图像进行三角剖分得到多个左三角形,在左三角形内取左估测点,右估测点由左估测点在右视角图像对应行遍历得到,基于左估测点的视差先验信息和左、右估测点之间的似然概率分布建立联合概率分布,使用最大后验概率估计左、右估测点之间的视差,得到视差图;基于视差图使用三角测量恢复目标景深信息,得到三维点云。这种方法可以快速、精确的找到视差图,上述方法得到的点云可用于厚度测量和距离测量,实现了自动化测量。
-
公开(公告)号:CN104609850A
公开(公告)日:2015-05-13
申请号:CN201510032492.7
申请日:2015-01-22
申请人: 华中科技大学
IPC分类号: C04B35/453 , C04B35/622
摘要: 本发明公开了一种低温共烧微波介质陶瓷基板材料及其制备方法。该基板材料由5ZnO·2B2O3粉料和Pb1.5Nb2O6.5粉料混合烧结而成,其中,Pb1.5Nb2O6.5的摩尔百分比含量为4.5~7.0mol%,基板材料的主晶相为3ZnO·B2O3,次晶相为Pb1.5Nb2O6.5,介电常数εr=7.7~8.6,品质因数Q×f=9974~16674GHz,谐振频率温度系数τf=-14~+21ppm/℃,满足电路对基板材料的微波介电性能要求,满足与银共烧的烧结温度要求和化学兼容性要求,能很好地实现与银电极的低温共烧,且原料价格低廉,工艺简单,生产成本低。
-
公开(公告)号:CN103288438A
公开(公告)日:2013-09-11
申请号:CN201310200524.0
申请日:2013-05-27
申请人: 华中科技大学
IPC分类号: C04B35/453 , C04B35/63
摘要: 本发明公开了一种用作基板材料的低温共烧陶瓷。该陶瓷基板材料的原料配方组成为ZnO、H3BO3、CaCO3和TiO2,烧结后陶瓷基板材料的主晶相为3ZnO·B2O3,次晶相为CaB2O4和Zn2TiO4。该陶瓷基板材料的制备方法为:先由H3BO3与ZnO预烧合成3ZnO·B2O3粉体,再由CaCO3与TiO2预烧合成CaTiO3粉体。然后将合成好的3ZnO·B2O3粉体和CaTiO3粉体混合,其中CaTiO3质量占总质量的百分比为3%~12%,即得到低温共烧陶瓷基板材料粉料。该粉料经加入去离子水进行球磨、烘干、造粒和烧结可得到性能优异的陶瓷基板材料。该材料体系的优选烧结温度为840~880℃,优选烧结温度范围内的微波介电性能为:介电常数εr=7~8.1;Q×f=11000~22600GHz,且能与Ag共烧,满足低温共烧陶瓷基板材料的性能要求。
-
公开(公告)号:CN102432280B
公开(公告)日:2013-06-19
申请号:CN201110266252.5
申请日:2011-09-08
申请人: 华中科技大学
IPC分类号: C04B35/453 , C04B35/622
摘要: 本发明公开了一种低温共烧陶瓷基板材料及其制备方法。该陶瓷基板材料为硼酸锌陶瓷,其主晶相为3ZnO·B2O3。该陶瓷原料配方组成为ZnO和H3BO3,其中H3BO3的摩尔百分比为60~41.176%,或者其原料配方化学组成ZnO和B2O3,其中B2O3的摩尔百分比为42.857~25.926%。该陶瓷基板材料的制备方法为:先预烧合成3ZnO·B2O3粉体,再加入去离子水,球磨,烘干;然后造粒、压片烧结。本发明材料烧结温度低(950~1000℃),微波介电性能优良:介电常数εr=6.5~6.9,Q×f=26400~44600GHz,和谐振频率温度系数=-66~-94ppm/K,可以满足高频高速电路对基板材料的介电性能要求。
-
公开(公告)号:CN102896007A
公开(公告)日:2013-01-30
申请号:CN201210381369.2
申请日:2012-10-09
申请人: 华中科技大学
摘要: 本发明公开了一种微流控器件及其制备方法;微流控器件包括衬底、涂覆于衬底上的缓冲层、附着于缓冲层上的压电层、光刻于压电层上的电极层、涂覆于电极层上的介质层以及涂覆于介质层上的疏水层;电极层中的电极包括网状电极以及多个均匀排列分布于所述网状电极的四周的叉指换能器;网状电极由互相连接的电极块组成。叉指换能器的电极结构可以是单叉指、双叉指或SPUDT结构。本发明提供的微流控器件集成了声波驱动和EWOD两种驱动方式,可降低液滴驱动电压和声波驱动功率,更有效简化芯片制作工艺,降低制造成本。
-
公开(公告)号:CN102809584A
公开(公告)日:2012-12-05
申请号:CN201210261847.6
申请日:2012-07-26
申请人: 华中科技大学
IPC分类号: G01N27/00
摘要: 本发明公开了一种多孔氧化锡膜型室温气敏元件及其制备方法,该方法包括下述步骤:S1配制悬浮液:以丙酮或乙酰丙酮为溶剂将氧化锡纳米粉体配制成悬浮液,在悬浮液中加入碘溶液搅拌后进行超声分散;S2电泳沉积成膜:对超声分散后的悬浮液进行电泳沉积处理获得疏松多孔的纳米晶氧化锡膜;S3热处理:对氧化锡膜进行热处理;S4制作表面电极:在经热处理后的氧化锡膜表面制作电极获得气敏元件。本发明提供的方法利用电泳原理在直流电压下将SnO2纳米粉体均匀沉积在ITO导电玻璃上,形成稳定的疏松多孔的纳米晶SnO2膜;工艺简单、操作方便且重复性好,适合于大规模生产,弥补了常规工艺难以制备疏松多孔膜的不足,可以在室温下实现低浓度气体的检测。
-
公开(公告)号:CN102509601A
公开(公告)日:2012-06-20
申请号:CN201110308260.1
申请日:2011-10-12
申请人: 华中科技大学
IPC分类号: H01C17/30 , C04B35/468 , C04B35/622 , C04B35/64
摘要: 本发明公开了一种钛酸钡PTC陶瓷的制备方法,①将下述化合物按摩尔组分比混合:BaCO3 99~101,TiO2 100,Y2O3 0.1~0.5,SiO2 0~0.01;②进行高能超细球磨,获得粒径500nm以下的粉体混合物;③将所得浆料进行烘干、预烧处理,合成均匀微量掺杂的钛酸钡粉体;④将所得粉体配制成流延浆料,流延出生坯膜片;⑤层压并印刷Ni内电极,制作成叠层片式结构;⑥切割成含有内电极的器件;⑦在还原气氛中烧结,然后在空气中进行再氧化,获得所需的叠层片式陶瓷电阻。本发明所制备的半导体陶瓷的瓷体晶粒大小可以达到2.0μm以下,室温电阻率在1~200Ω.cm之间,叠层器件升阻比达103以上。
-
公开(公告)号:CN102432280A
公开(公告)日:2012-05-02
申请号:CN201110266252.5
申请日:2011-09-08
申请人: 华中科技大学
IPC分类号: C04B35/453 , C04B35/622
摘要: 本发明公开了一种低温共烧陶瓷基板材料及其制备方法。该陶瓷基板材料为硼酸锌陶瓷,其主晶相为3ZnO·B2O3。该陶瓷原料配方组成为ZnO和H3BO3,其中H3BO3的摩尔百分比为60~41.176%,或者其原料配方化学组成ZnO和B2O3,其中B2O3的摩尔百分比为42.857~25.926%。该陶瓷基板材料的制备方法为:先预烧合成3ZnO·B2O3粉体,再加入去离子水,球磨,烘干;然后造粒、压片烧结。本发明材料烧结温度低(950~1000℃),微波介电性能优良:介电常数εr=6.5~6.9,Q×f=26400~44600GHz,和谐振频率温度系数=-66~-94ppm/K,可以满足高频高速电路对基板材料的介电性能要求。
-
公开(公告)号:CN100588197C
公开(公告)日:2010-02-03
申请号:CN200510137114.1
申请日:2005-12-31
申请人: 华中科技大学
摘要: 本发明公开了一种网格模拟方法,它包括信息配置、网格实体构造、模拟程序生成、模拟程序执行和模拟结果输出五个步骤。根据该方法实现的模拟器包括信息配置模块、网格实体构造模块、模拟程序生成模块、模拟程序执行模块和模拟结果输出模块。模拟器对用户实体、任务实体、资源实体、信息目录实体、调度器实体、网络实体和统计分析实体进行建模,为准确模拟网格应用环境提供支持。模拟器利用离散事件模拟基础架构的支持,通过独立的线程来模拟网格系统中的各个实体,线程自身不断地循环,模拟实体行为并处理来自外部实体的消息。模拟器具有良好的用户界面和丰富的模型支持,并提供相应的数据统计和分析工具,有效地反映模拟结果。
-
公开(公告)号:CN101290817A
公开(公告)日:2008-10-22
申请号:CN200810047908.2
申请日:2008-06-03
申请人: 华中科技大学
摘要: 本发明公开了一种耐高温抗氧化无铅镍导体浆料,该浆料的组成包括重量百分比为50-70%的镍粉,1-5%的抗氧化保护剂,5-15%的无机粘结剂,15-30%的有机载体。将它们混合搅匀后研磨至粒度小于15μm、粘度65-75Pa·s,得到无铅镍导体浆料产品。其中,镍粉选用平均粒径为0.1-2.0μm的球形镍粉,抗氧化保护剂选用B、Cr、Y中的一种或几种,均为平均粒径小于1μm的球形微粉,无机粘结剂为无铅玻璃粉。本发明浆料产品具有良好的耐高温抗氧化性能,适于在大气条件下烧结,抗氧化温度在800-900℃间系列可调。其制备工艺简单,生产成本低廉,节约能源且利于环保。
-
-
-
-
-
-
-
-
-