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公开(公告)号：CN115472355B
公开(公告)日：2025-04-18
申请号：CN202211124115.2
申请日：2022-09-15
Applicant: 南方电网科学研究院有限责任公司 , 华北电力大学
Abstract: 本发明提供一种用于气液混合态介质内的绝缘装置，属于高压绝缘领域，绝缘装置包括：第一绝缘子段、第二绝缘子段及第三绝缘子段；第一绝缘子段和第二绝缘子段均为圆台形；第三绝缘子段为圆柱形；第一绝缘子段的上底面与高电位金属体连接，下底面与第二绝缘子段的下底面固定；第三绝缘子段的一个底面与低电位金属体连接，另一个底面与第二绝缘子段的上底面固定；第一绝缘子段的侧面、第二绝缘子段的侧面及第三绝缘子段的侧面在轴向上均为正弦函数曲线形状。避免了气液混合态介质在绝缘装置表面聚集导致绝缘性能下降的问题，即提高了绝缘装置在气液混合态介质内的绝缘性能。
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公开(公告)号：CN112638105B
公开(公告)日：2025-01-14
申请号：CN202011560566.1
申请日：2020-12-25
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开了一种功率模块及其封装方法，包括上功率模块以及下功率模块；上功率模块包括覆铜陶瓷基板单元、信号汇集区域单元以及芯片并联单元；覆铜陶瓷基板单元包括栅极、源极、辅助源极以及漏极的覆铜陶瓷基板；漏极和源极的覆铜陶瓷基板叠层放置；信号汇集区域单元包括栅极、源极、辅助源极以及漏极的信号汇集区域；信号汇集区域分别设置在相对应的覆铜陶瓷基板的覆铜上；芯片并联单元包括三个并联的MOSFET芯片；MOSFET芯片的栅极、源极、辅助源极以及漏极分别与相对应的信号汇集区域相连接；上功率模块和下功率模块的结构相同；上功率模块的源极信号汇集区域与下功率模块的漏极信号汇集区域相连接。本发明能够改善电流分布的均匀性。
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公开(公告)号：CN111063679B
公开(公告)日：2024-12-20
申请号：CN202010008671.8
申请日：2020-01-06
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明公开一种多器件并联功率模块的布局电路板。所述多器件并联功率模块的布局电路板中，第一莲花形BNC接口(包括所述负载正极输出端子和所述负载负极输出端子)位于PCB板中心，碳化硅器件并联模块中的多个并联碳化硅器件以所述第一莲花形BNC接口为圆心采用圆周布局；退耦合电容并联模块中的多个并联退耦合电容以所述第一莲花形BNC接口为圆心采用圆周布局，优化了并联器件的排列位置，使得电路寄生参数匹配，降低了电路杂散电感的分布差异并消除了电流耦合效应，能够改变多器件并联功率模块的暂态电流不平衡，实现较好的并联碳化硅器件的均流特性。
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公开(公告)号：CN118914625A
公开(公告)日：2024-11-08
申请号：CN202410968197.1
申请日：2024-07-18
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本申请涉及一种罗氏线圈信号处理电路、电流传感器及信号处理方法，该电路至少包括积分电路、缓冲器、半波整流电路、二阶高通滤波电路以及二阶低通滤波电路；其中缓冲器用于隔离缓冲器前后的电路信号相互影响并保持电压跟随；二阶高通滤波电路用于对积分电路输出信号进行高通滤波，保留高频成分；二阶低通滤波电路用于对半波整流电路输出信号进行低通滤波，保留低频成分。通过二阶滤波电路分别获取积分电路输出信号的高频部分和低频部分并互补叠加，获得完整的暂态振荡波形正确且无下垂失真的被测电流信号，其提高了传感器测量精准度并实现长时间测量。同时缓冲器可避免前后电路的信号影响并保证前后电压跟随，进而提高最终输出信号的准确性。
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公开(公告)号：CN118884159A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202411014498.7
申请日：2024-07-26
Applicant: 国网冀北电力有限公司电力科学研究院 , 国网冀北电力有限公司 , 国家电网有限公司 , 华北电力大学
Abstract: 本申请公开了一种压接式IGBT模块的温敏电参量校准曲线提取装置，涉及IGBT测试技术领域，该装置内夹具组件包括滑杆和自下而上依次设置的下加热层、双面加热层和上加热层；测控组件中控制器控制温度调节组件调节下加热层、双面加热层和上加热层使第一压接式IGBT模块和第二压接式IGBT模块均保持在预设温度；控制器用于对电参数测量组件获取的第一压接式IGBT模块的电压信号和电流信号分别进行波形处理，同时对第二压接式IGBT模块的电压信号和电流信号分别进行波形处理，本申请通过控制加热层对IGBT芯片实现温度给定，实时监测电参量获得能够反映电参量与结温关系的温敏校准曲线，满足压接式IGBT模块的测试需求。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN118884014A
公开(公告)日：2024-11-01
申请号：CN202410532771.9
申请日：2024-04-30
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R19/00
Abstract: 本发明公开一种芯片电流监测系统、方法及多芯片并联碳化硅功率模块，属于功率器件状态监测领域。该芯片电流监测系统包括PCB电路板及其内部的多个PCB Rogowski电流传感器，PCB电路板包括PCB正直流焊盘、PCB交流焊盘、PCB负直流总焊盘、多个电流信号输出端、多个上桥功率通孔和多个下桥功率通孔，一个碳化硅芯片连接一个功率通孔的一端，所有上桥功率通孔的另一端连接在PCB交流焊盘上，所有下桥功率通孔的另一端连接在PCB负直流总焊盘上，并在每个功率通孔的周围分别嵌入一个PCB Rogowski电流传感器。本发明将PCB Rogowksi线圈封装于碳化硅功率模块中，可测量并联的每个碳化硅芯片的电流。
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公开(公告)号：CN111224535B
公开(公告)日：2024-10-15
申请号：CN202010164044.3
申请日：2020-03-11
Applicant: 华北电力大学
Abstract: 本发明涉及一种用于压接型功率模块动态特性测试的电容串联母排，包括：高压电容器组、低压电容器组、叠层母排、压接型模块以及压接型模块连接板；高压电容器组包括多个高压电容器，呈环形排布；低压电容器组包括多个低压电容器，呈环形排布；高压电容器组与低压电容器组通过叠层母排串联连接，关于叠层母排镜像对称；压接型模块包括第一压接型模块和第二压接型模块，均与叠层母排连接。本发明中上述电容串联母排避免了路径重叠，从而可以减小功率回路的长度，达到了减小直流母排寄生电感的目的，实现了电容内部杂散电感的抵消，实现了叠层母排与电容器整体的寄生电感优化。
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公开(公告)号：CN118465481A
公开(公告)日：2024-08-09
申请号：CN202410449336.X
申请日：2024-04-15
Applicant: 华北电力大学 , 国网江苏省电力有限公司电力科学研究院 , 国网江苏省电力有限公司
Abstract: 本发明公开一种MMC子模块直通短路测试装置及测试方法，涉及电力电子技术领域。本发明通过设置短路保护开关、上电感续流开关、下电感续流开关、负载保护开关等，便于设置待测IGBT器件的控制时序，能够实现对MMC子模块正常运行方式及与之相对应的直通短路工况的模拟，进而能够实现短路时间的精准控制，以便对MMC子模块的直通短路工况开展研究，探究IGBT器件的失效特征。
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公开(公告)号：CN118112387A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410363304.8
申请日：2024-03-28
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明涉及一种解耦碳化硅MOSFET退化状态的监测方法、存储介质及电子设备，其包括对碳化硅MOSFET构建双脉冲测试电路；利用双脉冲测试电路进行碳化硅MOSFET的导通暂态过程测试；根据碳化硅MOSFET的导通暂态过程测试获得监测碳化硅MOSFET退化的前兆参数；利用数值分析法分析获得影响前兆参数灵敏度的关键驱动配置参数；结合前兆参数和关键驱动配置参数判断分析碳化硅MOSFET的退化类型；该方法通过设定前兆参数来实现栅氧退化与封装退化的解耦，可以大大降低监测系统的复杂性，提高监测系统的可靠性，提高解耦的准确性；进而在完成退化类型的解耦后，可根据退化类型对系统实现有针对性的调控，可以大大提高装备的可靠性和运行效率。
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公开(公告)号：CN118112386A
公开(公告)日：2024-05-31
申请号：CN202410363283.X
申请日：2024-03-28
Applicant: 华北电力大学
IPC: G01R31/26
Abstract: 本发明公开了一种用于碳化硅MOSFET的在线老化状态监测方法，属于碳化硅半导体器件状态监测领域。其技术方案为：一种用于碳化硅MOSFET的在线老化状态监测方法，包括以下步骤：构建综合考虑封装寄生参数的碳化硅MOSFET开关特性分析模型；根据分析模型推导漏极电流增加速率；根据漏极电流增加速率定义退化前兆参数，监测退化前兆参数是否大于零：是则判定碳化硅MOSFET发生退化，否则判定碳化硅MOSFET健康。本发明的有益效果是：本发明提供的一种用于碳化硅MOSFET的在线老化状态监测方法仅用单个监测量便可综合表征栅氧退化和键合线疲劳两种不同的退化类型、降低监测系统复杂性、提高状态监测系统可靠性。
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