公开(公告)号：CN103138752A

公开(公告)日：2013-06-05

申请号：CN201210209194.7

申请日：2012-06-18

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郭丰维 ,  汲世安 ,  陈焕能 ,  陈妍臻 ,  周淳朴

IPC分类号： H03L7/093

CPC分类号： H03L7/07 ,  H03L7/06 ,  H03L7/093 ,  H03L7/099

摘要： 本发明涉及的是共用一个环路滤波器的锁相环。其中，一种集成电路的管芯堆叠，其包括多个管芯。该管芯堆叠中的每个管芯均包括锁相环(PLL)。每个管芯中的PLL共用环路滤波器和其他相应的电路。

公开(公告)号：CN113703090B

公开(公告)日：2023-09-26

申请号：CN202110260108.4

申请日：2021-03-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈焕能 ,  郭丰维 ,  徐敏翔 ,  卓联洲 ,  周淳朴 ,  廖文翔

IPC分类号： G02B6/10 ,  H04J14/02

摘要： 本发明实施例涉及一种波导结构及其形成方法。根据本发明的一些实施例，提供一种光学衰减结构。所述光学衰减结构包含衬底、波导、掺杂区、光学衰减部件及电介质层。所述波导在所述衬底上方延伸。所述掺杂区放置于所述衬底上方，且包含第一掺杂区、与所述第一掺杂区相对且通过所述波导与所述第一掺杂区分离的第二掺杂区、在所述衬底上方及在所述第一掺杂区中延伸的第一电极及在所述衬底上方及在所述第二掺杂区中延伸的第二电极。所述第一光学衰减部件与所述波导耦合且放置于所述波导与所述第一电极之间。所述电介质层放置于所述衬底上方且覆盖所述波导、所述掺杂区及所述第一光学衰减部件。

公开(公告)号：CN114975377A

公开(公告)日：2022-08-30

申请号：CN202210172663.6

申请日：2022-02-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郭丰维 ,  廖文翔

IPC分类号： H01L23/66 ,  H01L23/58 ,  H01L25/065 ,  H01L23/31

摘要： 本发明的实施例提供了一种封装件结构、封装件及其形成方法。封装件结构包括第一管芯，位于第一管芯上方并且电连接到第一管芯的第二管芯，在第二管芯周围的绝缘材料，延伸穿过绝缘材料并电连接到第二管芯的第一天线，第一天线与第二管芯的第一侧壁相邻，其中第一天线包括延伸穿过绝缘材料的第一导电板以及延伸穿过绝缘材料的多个第一导电柱，其中第一导电板位于多个第一导电柱和第二管芯的第一侧壁之间。

公开(公告)号：CN111123445B

公开(公告)日：2022-05-03

申请号：CN201910216017.3

申请日：2019-03-21

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 周淳朴 ,  郭丰维 ,  陈焕能 ,  卓联洲

IPC分类号： G02B6/42

摘要： 本发明公开一种极化无关的光电装置。所述装置包含散射结构以及收集结构。散射结构布置成沿第一散射轴以及沿第二散射轴同时对入射电磁辐射进行散射。第一散射轴与第二散射轴非正交。收集结构收集散射的电磁辐射且包含与第一散射轴对准的第一输入端口以及与第二散射轴对准的第二输入端口。

公开(公告)号：CN113703090A

公开(公告)日：2021-11-26

申请号：CN202110260108.4

申请日：2021-03-10

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈焕能 ,  郭丰维 ,  徐敏翔 ,  卓联洲 ,  周淳朴 ,  廖文翔

IPC分类号： G02B6/10 ,  H04J14/02

摘要： 本发明实施例涉及一种波导结构及其形成方法。根据本发明的一些实施例，提供一种光学衰减结构。所述光学衰减结构包含衬底、波导、掺杂区、光学衰减部件及电介质层。所述波导在所述衬底上方延伸。所述掺杂区放置于所述衬底上方，且包含第一掺杂区、与所述第一掺杂区相对且通过所述波导与所述第一掺杂区分离的第二掺杂区、在所述衬底上方及在所述第一掺杂区中延伸的第一电极及在所述衬底上方及在所述第二掺杂区中延伸的第二电极。所述第一光学衰减部件与所述波导耦合且放置于所述波导与所述第一电极之间。所述电介质层放置于所述衬底上方且覆盖所述波导、所述掺杂区及所述第一光学衰减部件。

公开(公告)号：CN113206066A

公开(公告)日：2021-08-03

申请号：CN202110406457.2

申请日：2021-04-15

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郭丰维 ,  廖文翔

IPC分类号： H01L23/66 ,  H01L23/498 ,  H01L23/538 ,  H01Q1/22 ,  H01L21/48 ,  H01L21/768

摘要： 本发明实施例涉及一种半导体结构及其制造方法。该半导体结构包含第一重布结构，其中所述第一重布结构包含第一导电图案。所述半导体结构进一步包含所述第一重布结构上的裸片。所述半导体结构进一步包含所述第一重布结构上的模制件，其中所述模制件包围所述裸片，且所述模制件具有第一介电常数。所述半导体结构进一步包含延伸穿过所述模制件的电介质部件，其中所述电介质部件具有不同于所述第一介电常数的第二介电常数。所述半导体结构进一步包含所述裸片、所述电介质部件及所述模制件上的第二重布结构，其中所述第二重布层包含所述电介质部件上的天线，且所述天线电连接到所述裸片。

公开(公告)号：CN112987174A

公开(公告)日：2021-06-18

申请号：CN202011082984.4

申请日：2020-10-12

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郭丰维 ,  周淳朴 ,  陈焕能 ,  卓联洲

IPC分类号： G02B6/122 ,  G02F1/01 ,  H01S5/00

摘要： 一种半导体装置包括：晶体管层，包括至少一个晶体管的组件、具有在第一方向上延伸的长轴的波导以及在所述波导之上的第一内连层；由金属化层形成的堆叠，在所述晶体管层之上，所述堆叠包括一个或多个第二内连层，所述一个或多个第二内连层夹置在所述金属化层中对应的成对的相邻金属化层之间；以及加热器，在所述第一内连层中或者在所述一个或多个第二内连层之一中；且其中相对于与所述第一方向实质上垂直的第二方向而言，所述加热器与所述波导的至少一部分实质上交叠。

公开(公告)号：CN110098031A

公开(公告)日：2019-08-06

申请号：CN201810730531.4

申请日：2018-07-05

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郭丰维 ,  周淳朴 ,  陈焕能 ,  卓联洲 ,  罗伯 ,  伯根 ,  史塔斯魏奇

IPC分类号： H01F17/00

摘要： 一种用于屏蔽式电感装置的电路包括：变压器，在第一层内界定电感占用区；接地屏蔽物，在与所述第一层分开的第二层内由所述电感占用区定界；以及电路组件，在与所述第二层分开的第三层内由所述电感占用区定界，其中：所述电路组件通过所述第二层与所述变压器耦合，且所述第三层通过所述第二层与所述第一层分隔开。

公开(公告)号：CN107040276B

公开(公告)日：2019-07-30

申请号：CN201611052546.7

申请日：2016-11-24

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 郭丰维 ,  陈焕能 ,  卓联洲 ,  周淳朴 ,  沈武

IPC分类号： H04B1/40

CPC分类号： H04B3/04 ,  H03G3/3068 ,  H03G3/3078 ,  H03G5/28 ,  H03H7/0115 ,  H03H7/0153 ,  H03H11/0405 ,  H04B1/005 ,  H04B1/10 ,  H04B17/21 ,  H04L27/22 ,  H04L27/38

摘要： 本发明的实施例提供了通信系统以及数据通信方法。通信系统包括：载波发生器，被配置为生成第一载波信号；和解调器，被配置为响应于第一载波信号来解调调制信号。解调器包括滤波器和增益调节电路。滤波器被配置为对第一信号进行滤波。第一信号是第一载波信号和调制信号的乘积。滤波器具有第一截止频率和增益。通过一组控制信号来控制滤波器的增益。增益调节电路被配置为基于滤波的第一信号的电压或第二信号的电压来调节滤波器的增益。可调增益电路被配置为生成该组控制信号。

公开(公告)号：CN107070469B

公开(公告)日：2019-04-05

申请号：CN201611235121.X

申请日：2016-12-28

申请人： 台湾积体电路制造股份有限公司

发明人： 陈焕能 ,  周淳朴 ,  郭丰维 ,  卓联洲

IPC分类号： H04B1/04 ,  H04B1/16 ,  H04B3/50 ,  H04L25/49 ,  H04L27/36 ,  H04L27/38

摘要： 一种通信系统包括发射器、第一传输线和第二传输线。发射器包括调制电路、载波生成器和脉冲生成器。调制电路配置为基于第一载波信号调制第一数据流，从而生成调制信号。载波生成器配置为生成第一载波信号和参考时钟信号。脉冲生成器配置为基于参考时钟信号生成脉冲序列信号。第一传输线配置为承载调制信号。第二传输线配置为承载脉冲序列信号。本发明还提供了数据通信的方法。