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公开(公告)号：CN105502315B
公开(公告)日：2017-11-03
申请号：CN201610060579.X
申请日：2016-01-28
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B21/068 , B82Y40/00
Abstract: 一种原位‑非原位同时生长超长氮化硅纳米材料的方法，涉及一种氮化硅纳米材料的制备方法。本发明是为了解决目前超长氮化硅纳米材料的制备方法需要催化剂，导致产物纯度不高，影响纳米线的高温性能及后续应用、反应条件较为苛刻，如加压、通入易燃性气体等，导致操作安全性较低，对设备要求较高的技术问题。本发明：一、制备预制粉体；二、煅烧。本发明操作过程较为简单、设备要求低、安全系数高等。本发明应用于制备超长氮化硅纳米材料。
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公开(公告)号：CN105441767B
公开(公告)日：2017-08-11
申请号：CN201510796187.5
申请日：2015-11-17
Applicant: 中国工程物理研究院激光聚变研究中心 , 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种抗高温氧化损伤ZrB2‑SiC‑ZrC‑W复相陶瓷的制备方法，它属于工程材料制备技术领域，具体涉及本发明涉及一种抗高温氧化损伤ZrB2‑SiC‑ZrC‑W复相陶瓷的制备方法。本发明的目的要解决现有ZrB2基陶瓷材料在超过1600℃时稳定性差的问题。方法：一、准备原料；二、混合、球磨，得到浆料；三、干燥、研磨，得到混合粉料；四、热压烧结，得到ZrB2‑SiC‑ZrC‑W复相陶瓷。优点：一、致密度大于99％；二、与现有ZrB2基陶瓷材料相比，具有更为突出的抗高温氧化损伤性能。本发明主要用于制备抗高温氧化损伤ZrB2‑SiC‑ZrC‑W复相陶瓷。
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公开(公告)号：CN107010982A
公开(公告)日：2017-08-04
申请号：CN201710322537.3
申请日：2017-05-09
Applicant: 哈尔滨工业大学
CPC classification number: C04B35/806 , B28B1/52 , B28B3/126 , B28B3/20 , B28B11/243 , C04B35/565 , C04B35/64 , C04B2235/608 , C04B2235/666 , C04B2235/77
Abstract: 组分高度均匀的碳纤维增韧碳化硅复合材料的制备方法，本发明属于无机非金属材料领域，它为了解决目前碳纤维增韧碳化硅基复合材料制备方法中纤维增韧相分布不均匀、微观缺陷较多以及工艺周期长的问题。制备方法：一、将碳化硅粉体、去离子水和聚丙烯酸混合均匀，得到碳化硅陶瓷泥料，喂入真空练泥机中进行反复练泥，陈腐处理后得到碳化硅陶瓷泥；二、粗轧碳化硅陶瓷泥，碳纤维均匀铺层在表面，然后进行精轧；三、冷等静压成型后进行恒温恒湿干燥，最后利用放电等离子烧结进行烧结成型。本发明利用双辊轧制加强纤维在陶瓷泥中的流动与分散，使纤维均匀分布在陶瓷泥中，通过冷等静压成型获得较高致密度且工艺周期短。
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公开(公告)号：CN104191319B
公开(公告)日：2016-08-17
申请号：CN201410443022.5
申请日：2014-09-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: B24B1/00
Abstract: 一种硼化物陶瓷材料表面磨削的方法，它涉及一种硼化物陶瓷材料的磨削方法。本发明目的是要解决传统的硼化物陶瓷材料的磨削方法存在磨削效率低的问题，方法：一、超声清洗，得到清洗后硼化物陶瓷材料；二、表面加热氧化，得到表面氧化后硼化物陶瓷材料；三、将表面氧化后硼化物陶瓷材料在抛光机上进行磨削处理，即实现硼化物陶瓷材料表面磨削。优点：磨削加工速率提高了50％～300％，减少磨料用量20％～60％。本发明主要用于硼化物陶瓷材料表面磨削。
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公开(公告)号：CN105218103A
公开(公告)日：2016-01-06
申请号：CN201510701406.7
申请日：2015-10-26
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C04B35/58 , C04B35/81 , C04B35/622
Abstract: 一种石墨烯/陶瓷层状材料的制备方法，它属于陶瓷材料技术领域，具体涉及一种石墨烯/陶瓷层状材料的制备方法。本发明的目的是要解决传统流延或轧膜成型制备层状陶瓷材料存在工艺繁琐，成本高的问题。方法：一、制备含氧化石墨烯的层状陶瓷坯体，得到含氧化石墨烯的层状陶瓷坯体A，得到含氧化石墨烯的层状陶瓷坯体B，得到含氧化石墨烯的层状陶瓷坯体C，得到含氧化石墨烯的层状陶瓷坯体D；二、热压烧结，采用交替叠放的形式装入模具中，然后在真空或氩气惰性气氛保护下进行热压烧结，得到石墨烯/陶瓷层状材料。优点：室温断裂韧性为8～10MPa·m0.5，三点弯曲强度为400～600MPa。本发明主要用于制备石墨烯/陶瓷层状材料。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104030692B
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201410283121.1
申请日：2014-06-23
Applicant: 哈尔滨工业大学
IPC: C01B31/02 , C04B35/626
Abstract: 一种原位合成含氧化石墨烯和碳纳米管的超高温陶瓷杂化粉体的方法，它涉及一种原位合成含氧化石墨烯和碳纳米管的超高温陶瓷杂化粉体的方法，本发明是为了解决现有制备含氧化石墨烯和碳纳米管的超高温陶瓷时，氧化石墨烯和碳纳米管存在机械损伤和团聚的问题。本发明方法按以下步骤进行：一、将催化剂充分分散在有机聚合物先驱体中得到混合粉体；二、将步骤一得到的混合粉体放在两侧有气孔的圆柱形模具中，在管式炉中加热裂解，将管式炉加热升温到950℃～1050℃，然后保温0.5h～2h；三、将步骤二得到的加热裂解后的混合粉体，自然降温到20℃～25℃，即得到含氧化石墨烯和碳纳米管的超高温陶瓷杂化粉体。本发明适用于结构陶瓷技术领域，尤其适用于石墨烯和碳纳米管改性超高温陶瓷技术领域。
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公开(公告)号：CN104843726A
公开(公告)日：2015-08-19
申请号：CN201510160865.9
申请日：2015-04-07
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种分散纳米ZrB2-SiC复合粉体的方法，涉及一种分散纳米复合粉体的方法。本发明是要解决现有纳米ZrB2-SiC复合粉体在水中容易团聚问题。方法：一、用碱滴定去离子水得到pH为11的溶剂；二、称取ZrB2-SiC复合粉体和分散剂，并先后加入到溶剂中，超声14～16min，得到分散均匀的浆料，即完成纳米ZrB2-SiC复合粉体的分散。本发明方法分散效果好，分散均匀，可在24h内不发生明显聚沉。本发明用于分散纳米ZrB2-SiC复合粉体。
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公开(公告)号：CN104787765A
公开(公告)日：2015-07-22
申请号：CN201510178022.1
申请日：2015-04-15
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种利用无机粉体制备超长SiC纳米线的方法，它涉及一种超长SiC纳米线的制备方法。本发明为了解决现有方法制备的超长SiC纳米线设备要求高、操作过程复杂、安全性低、以及成本高等技术问题。本方法为：(1)按比例称取原料和催化剂；(2)机械混合以上粉体并装入瓷方舟中；(3)将瓷方舟推送至管式炉中央，在氩气保护、常压条件下按照一定程序升降温即得超长SiC纳米线。本发明具有设备要求低、操作过程简单、安全系数高以及生产成本低等优点。该SiC纳米线不仅可用于制备发光二极管、激光二极管等纳米电子元器件，同时还可以作为金属基、陶瓷基和聚合物等复合材料的增强相材料。本发明属于纳米线的制备领域。
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公开(公告)号：CN104773735A
公开(公告)日：2015-07-15
申请号：CN201510193983.X
申请日：2015-04-22
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种超长SiC纳米线的制备方法，它涉及一种以炭黑和硅粉为原料制备超长SiC纳米线的方法。本发明要解决现有制备超长SiC纳米线的成本高、设备要求高、安全性低以及操作过程复杂等问题。本方法如下：①按配比计算和称量原料以及催化剂；②将称取的原料和催化剂进行机械混合，待混合均匀后装入干净的瓷方舟中；③将盛放有原料和催化剂的瓷方舟推送至管式炉中，在一定程序和氩气保护条件下升降温即可获得超长SiC纳米线。本发明中选用炭黑和硅粉为原料来降低生产成本，在氩气保护和常压条件下制备纳米线提升安全系数，该过程工艺简单、易于操作、设备要求低，且反应过程不生成污染物；本发明制备的纳米线直径分布均匀，长度达到毫米数量级。
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公开(公告)号：CN103819227B
公开(公告)日：2015-05-13
申请号：CN201410001380.0
申请日：2014-01-02
Applicant: 哈尔滨工业大学
Abstract: 一种ZrB2-SiC/SiC陶瓷涂层的制备方法，涉及一种陶瓷涂层的制备方法。本发明是要解决目前的石墨材料、C/C复合材料和C/SiC复合材料表面的硅基陶瓷涂层抗氧化性能差的技术问题。本发明的制备方法采用包埋法：一、中间层SiC的制备；二、ZrB2-SiC/SiC陶瓷涂层的制备。本发明制备的陶瓷涂层抗氧化性能强。本发明主要应用于制备硼化锆基陶瓷涂层领域中。
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