公开(公告)号：CN111009576B

公开(公告)日：2022-11-04

申请号：CN201911043146.3

申请日：2019-10-30

申请人： 国电南瑞科技股份有限公司

发明人： 郑婷婷 ,  李宇柱 ,  李伟邦 ,  骆健 ,  董长城 ,  叶枫叶 ,  黄全全

IPC分类号： H01L29/423 ,  H01L29/06 ,  H01L29/739

摘要： 本发明公开了一种全封闭式IGBT沟槽栅结构，包括若干个排布的元胞区，元胞区包括两条相邻的有源沟槽，两条相邻的有源沟槽两端分别通过有源沟槽桥连形成第一封闭结构，第一封闭结构内具有两条相邻的虚拟沟槽，两条相邻的虚拟沟槽两端分别通过虚拟沟槽桥连形成第二封闭结构，第二封闭结构内形成浮空P阱区，将有源沟槽和虚拟沟槽分别设置为封闭结构，避免了单个尖端结构导致的电场集中问题，优化器件的性能，同时将虚拟沟槽设置为封闭结构，实现了虚拟沟槽内部浮空区的绝对浮空，增大了浮空区的空穴沿沟槽方向移动并从发射极排出的难度，使发射极与浮空区之间的电阻无穷大，抑制了浮空区电势因空穴排出而升高，避免引起输出曲线振荡，抑制IGBT的EMI噪声。

公开(公告)号：CN110429133B

公开(公告)日：2022-11-01

申请号：CN201910644272.8

申请日：2019-07-17

申请人： 国电南瑞科技股份有限公司

发明人： 李宇柱 ,  郑婷婷 ,  李伟邦 ,  骆健 ,  董长城

IPC分类号： H01L29/739 ,  H01L29/06

摘要： 本发明公开了功率半导体器件技术领域的一种绝缘栅双极型晶体管，旨在解决如何更加灵活地调整导通压降与关断损耗的折中关系，在保证饱和压降不增大的前提下，更好地优化开关损耗的技术问题。所述器件顶面开设有若干间隔分布的有源沟槽区和虚拟沟槽区，所述有源沟槽区包括不少于一个桥连和若干通过桥连连接的有源沟槽，所述P型阱区包括不少于一个被有源沟槽和桥连隔离形成的电位浮空的第二P型阱区，所述介质层开设有若干接触窗口，所述P型阱区还包括通过接触窗口与金属发射极导通连接的第一P型阱区。

公开(公告)号：CN110142475B

公开(公告)日：2021-01-26

申请号：CN201910375182.3

申请日：2019-05-07

申请人： 国电南瑞科技股份有限公司

发明人： 杨金龙 ,  董长城 ,  骆健 ,  王立 ,  姚二现

IPC分类号： H01L21/50 ,  H01L21/56 ,  B23K1/008 ,  B23K3/08

摘要： 本发明公开了一种用于大功率IGBT模块的无工装固定焊接方法，在一次焊接焊片背面喷涂聚合物粘结剂，并放置于覆铜陶瓷衬板表面；在芯片背面喷涂聚合物粘结剂，并放置于一次焊接焊片表面，组装成衬板子单元，将衬板子单元放入焊接炉完成一次焊接；在基板表面涂覆有机硅胶，涂覆形状为矩形框，矩形框的尺寸大于二次焊接焊片的尺寸；将二次焊接焊片放置于有机硅胶的矩形框内；将衬板子单元背面喷涂聚合物粘结剂，并放置于二次焊接焊片表面，完成组装后放入焊接炉完成二次焊接。本发明无需工装固定，能够保证焊接可靠性，无需清洗，二次焊接中的有机硅胶不但能够固定焊片，还能避免由于大尺寸焊片融化后造成的基板表面焊料漫流以及短路等现象。

公开(公告)号：CN110311611B

公开(公告)日：2020-12-08

申请号：CN201910567051.5

申请日：2019-06-27

申请人： 国电南瑞科技股份有限公司

发明人： 石春虎 ,  温传新 ,  黄全全 ,  云阳 ,  王蕤 ,  骆健 ,  俞拙非 ,  杨志宏 ,  朱金大

IPC分类号： H02P21/22

摘要： 本发明公开了一种永磁同步电机弱磁控制方法和系统，首先通过电机基速标定实验，获取电机基速全电流域关系数据集；离线数据处理得到基速以上各转速点对应的关系数据集，并拟合考虑非线性效应的MTPV曲线方程，电机基速以上运行时，根据当前转速和目标转矩查关系数据集获得初始目标电流；以逆变器最大输出电压和电压反馈构建弱磁环，将输出叠加到初始交轴电流，并实时计算出满足驱动电流轨迹在当前实际执行的电流圆及考虑非线性效应的MTPV曲线运行的直轴电流。本发明考虑了电机实际工作时的非线性效应，弱磁效果好，易于实现。

公开(公告)号：CN111525708A

公开(公告)日：2020-08-11

申请号：CN202010354779.2

申请日：2020-04-28

申请人： 国网安徽省电力有限公司检修分公司 ,  哈尔滨工业大学 ,  国电南瑞科技股份有限公司 ,  重庆大学 ,  国网黑龙江省电力有限公司电力科学研究院

发明人： 柯艳国 ,  朱春波 ,  朱金大 ,  章海斌 ,  江海升 ,  朱仲贤 ,  郑晓琼 ,  严太山 ,  杨志宏 ,  俞拙非 ,  张千帆 ,  宋凯 ,  别致 ,  周少聪 ,  唐佳棋 ,  骆健 ,  武迪 ,  温传新 ,  吕晓飞 ,  左志平 ,  于春来 ,  王雄奇 ,  杜鹏 ,  姜金海 ,  张剑韬

IPC分类号： H02J50/40

摘要： 本发明是一种基于多线圈切换控制的S‑S拓扑广域无线充电系统。所述系统包括：电压源、工频整流单元、逆变单元、谐振电容Cp、开关阵列、接收线圈Ls、副边整流单元、副边DCDC单元、负载电阻RL和发射线圈。本发明大幅减小了在大范围的充电区域内，保证任意位置的互感平稳性，大幅解决了接收线圈位置随机性带来的效率和传输功率降低的问题。本发明采用大线圈时，互感最小处相比于最大处降低了27.5％，而采用2*2发射线圈阵列，互感最小处仅比最大处降低5.1％。本发明可以实现在相对于接收线圈尺寸的大范围内，既消除传输效率的低谷，同时简化线圈切换控制结构。

公开(公告)号：CN110752595A

公开(公告)日：2020-02-04

申请号：CN201910853450.8

申请日：2019-09-10

申请人： 国电南瑞科技股份有限公司

发明人： 武迪 ,  杨志宏 ,  陈璐瑶 ,  孙厚涛 ,  俞拙非 ,  骆健 ,  唐成虹

IPC分类号： H02J3/00 ,  H02J3/46 ,  H02H1/00 ,  H02H7/26

摘要： 本发明公开了一种基于柔性判处策略的配电台区故障支援方法及装置，适用于基于柔性台区控制器的柔性配电台区互联系统，该方法包括：根据上级断路器状态、交流母线电压、上级交流电流及AC/DC变流器故障状态，识别非交流母线近端故障，启动故障支援，分配各非故障站AC/DC变流器的有功指令并下发，最后根据故障配电台区故障状态判定故障配电台区运行方式。本发明在判断为台区进线侧失电时，通过非故障AC/DC变流器从直流互联系统为交流负荷稳定母线供电电压及提供功率需求，实现了负荷的持续供电，提升用户用电体验及供电质量。

公开(公告)号：CN110601230A

公开(公告)日：2019-12-20

申请号：CN201910887218.6

申请日：2019-09-19

申请人： 国电南瑞科技股份有限公司 ,  国网江苏省电力有限公司南京供电分公司

发明人： 孙厚涛 ,  骆健 ,  武迪 ,  俞拙非 ,  陈璐瑶 ,  沈培峰 ,  刘强 ,  王徐延

IPC分类号： H02J3/28 ,  H02J3/02

摘要： 本发明公开了一种交直流配电网储能系统快速响应控制方法及系统，控制循环计算Cnt初始设置为0；获取主机功率值Pm，直流母线电压，主机工作状态；输入至预先构建的主机判断循环模型，用于根据主机工作状态判断主机是否故障，以及判断主机功率值Pm与直流母线电压是否在主机判断模型预设的运行范围之内；在主机判断循环模型的循环计算次数不小于预先设置的最大循环次数时，获取所有从机变流器的功率、从机工作状态，输入预先构建的从机判断模型；进行功率指令分配，判断是否结束控制，若是则结束控制。优点：实现储能系统在交直流配电网中的优化运行；对直流侧突发大扰动负载提供直流供电电压及功率支撑，提升用户用电体验及供电质量。

公开(公告)号：CN110311611A

公开(公告)日：2019-10-08

申请号：CN201910567051.5

申请日：2019-06-27

申请人： 国电南瑞科技股份有限公司

发明人： 石春虎 ,  温传新 ,  黄全全 ,  云阳 ,  王蕤 ,  骆健 ,  俞拙非 ,  杨志宏 ,  朱金大

IPC分类号： H02P21/22

摘要： 本发明公开了一种永磁同步电机弱磁控制方法和系统，首先通过电机基速标定实验，获取电机基速全电流域关系数据集；离线数据处理得到基速以上各转速点对应的关系数据集，并拟合考虑非线性效应的MTPV曲线方程，电机基速以上运行时，根据当前转速和目标转矩查关系数据集获得初始目标电流；以逆变器最大输出电压和电压反馈构建弱磁环，将输出叠加到初始交轴电流，并实时计算出满足驱动电流轨迹在当前实际执行的电流圆及考虑非线性效应的MTPV曲线运行的直轴电流。本发明考虑了电机实际工作时的非线性效应，弱磁效果好，易于实现。

公开(公告)号：CN106100995B

公开(公告)日：2019-05-14

申请号：CN201610402867.9

申请日：2016-06-08

申请人： 南京南瑞集团公司 ,  国电南瑞科技股份有限公司

发明人： 朱元钊 ,  朱金大 ,  骆健 ,  刘野 ,  吕晓飞 ,  韩忠修

IPC分类号： H04L12/733 ,  H04L12/751 ,  H04L12/761 ,  H04L12/18

摘要： 本发明公开了一种适用于电力线载波通信网络的路由方法，包括以下步骤：以主控节点为起始点广播带有度参数值的信标帧；普通节点依据信标帧中度参数值更新本节点的度参数值，循环整个通信网后建立以度参数值逐层递增的梯度拓扑网络；普通节点依据信标帧的源节点更新本节点的父子关系对，广播带有父子关系对的拓扑信息帧，循环直到主控节点接收到拓扑信息帧，建立整个通信网的路由表。当主控节点与终端节点通信时，主控节点查询路由表根据路由表和信道质量信息传递给中继节点，依次传递直至传递到终端节点；当终端节点与主控节点通信时，终端节点根据度参数值将数据包逐层广播传递给中继节点，依次传递直至传递到主控节点。

公开(公告)号：CN112185950A

公开(公告)日：2021-01-05

申请号：CN201910589696.9

申请日：2019-07-02

申请人： 国电南瑞科技股份有限公司

发明人： 潘政薇 ,  李宇柱 ,  姚二现 ,  董长城 ,  骆健

IPC分类号： H01L25/18 ,  H01L23/49

摘要： 本发明公开了一种半桥IGBT模块的芯片布局结构，包括上桥IGBT芯片和下桥IGBT芯片分别与FRD芯片通过键合线组实现芯片正面连接，栅极均位于IGBT芯片的左侧位置，上桥FRD芯片和下桥FRD芯片反面均焊接于上桥DCB衬底上；下桥IGBT芯片栅极均位于IGBT芯片的右侧位置，上、下半桥的IGBT芯片与FRD芯片分别关于模块呈中心对称分布。上、下半桥信号端子键合线的落点分别在上、下半桥的栅极信号铜层上，其落点位于在栅极信号铜层上的非相邻两颗IGBT芯片的栅极键合线落点的中间位置。通过仿真得出，本发明的三颗IGBT芯片的峰值电流差异率由30％降低至9.3％，使芯片的均流性能得到提升；芯片最大峰值电流的降低减小了开通电流对芯片的冲击，有利于芯片的长期稳定运行。