一种可加工固体浮力材料的制备方法

    公开(公告)号:CN108891042B

    公开(公告)日:2020-08-14

    申请号:CN201810675017.5

    申请日:2018-06-27

    摘要: 本发明属于浮力材料技术领域,公开一种可加工固体浮力材料的制备方法。所述制备方法采用一成型装置,以重量份计,称取下述各物料:环氧树脂100份、固化剂60~150份、促进剂0.05~3份、偶联剂0.2~5份、空心玻璃微珠10~50份,然后将上述所有物料混匀;将上述混合均匀的物料加入一成型装置中,对成型装置的顶盖施加竖直向下的0.3~15 Mpa的压力,直至成型装置底部没有物料排出为止;将成型装置连同其内部的物料,按先80~90℃保温1~3 h、再100~120℃保温2~4 h、最后140~160℃保温1~3 h的固化工艺进行固化;固化完成后拆分成型装置,取出附着于成型装置底部的块体,即得可加工固体浮力材料。本发明制备得到的浮力材料密度低、耐压强度高、吸水率低。

    一种碳化硅/铝复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN107540378B

    公开(公告)日:2020-06-12

    申请号:CN201710741635.0

    申请日:2017-08-25

    IPC分类号: C04B35/565 C04B35/622

    摘要: 本发明属于电子封装材料的制备领域,具体公开一种碳化硅/铝复合材料的制备方法。将酚醛树脂粉溶解于无水乙醇中;将SiC粉加入所得溶液中,40~60 ℃搅拌均匀;将SiO2气凝胶粉和Al粉依次加入所得溶液中,搅拌均匀后球磨10~12 h;将球磨后所得浆料烘干,造粒过筛,再将所得颗粒粉压制成型,得到坯体;将一定质量的Al2O3板块置于坯体上,在真空900~1000 ℃下反应烧结1~2 h,获得SiC坯体;将SiC坯体在真空900~1100 ℃下气态渗铝0.5~1 h,随后自然降温冷却,即得碳化硅/铝复合材料。本发明具有工艺简单、操作方便生产成本低,产品性能良好等优点,SiC/Al复合材料拥有良好的机械强度、导热性能和低的热膨胀系数,在电子封装材料方向将具有较大的应用前景。

    一种致密单晶型SiC涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN110965123A

    公开(公告)日:2020-04-07

    申请号:CN201911218196.0

    申请日:2019-12-03

    摘要: 本发明属于表面涂层领域,公开一种致密单晶型SiC涂层的制备方法。利用化学气相沉积法制备并且进气口和出气口分别设在化学气相沉积室的下端和上端,进气口的上方位置固定设有多层布气盘,制备步骤如下:将工件悬挂于布气盘上方的化学气相沉积室内,在温度725~1125℃下以30~50 L/min的流量通入H2,处理时间为1~3 h;然后将H2处理过的工件放入在工业乙醇中进行超声清洗,吹干;将工件再次放入布气盘上方的化学气相沉积室内,在温度为500~650℃时通入还原H2,温度达到1100~1250℃时,通入载气H2,此时调节硅源阀门,使硅源消耗速率为(360~800)g±20 g/h,沉积3~5 h,即在工件表面制得致密单晶型SiC涂层。本发明制得的SiC涂层几乎为(111)晶型,涂层中硅碳比接近1∶1,且涂层致密无分层。

    一种梯度SiC涂层的制备方法

    公开(公告)号:CN110965042A

    公开(公告)日:2020-04-07

    申请号:CN201911218192.2

    申请日:2019-12-03

    摘要: 本发明属于涂层领域,公开一种梯度SiC涂层的制备方法。利用化学气相沉积法并且进气口和出气口分别设在化学气相沉积室的下端和上端,进气口的上方位置固设有布气盘;制备步骤如下:采用激光蚀刻技术对工件表面进行预处理,在工件表面形成纵横交错的纹理;然后将激光蚀刻处理过的工件放入在工业乙醇中进行超声清洗,吹干;将预处理工件在沉积温度为1400~1550℃、真空度≤200 Pa下,通入SiCl4气体和H2,控制H2的流量为8~12 L/min,预沉积0.5~1 h;将预沉积工件在温度为500~650℃时梯度控制通入还原H2,温度达到1100~1250℃时,通入载气H2,此时调节硅源阀门,使硅源消耗速率为(360~800)g±20 g/h,沉积3~5 h,制得梯度SiC涂层。本发明制得的SiC涂层几乎为(111)晶型,涂层中硅碳比接近1∶1。

    一种受电弓滑板用短切碳纤维增强碳/碳复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN106631083B

    公开(公告)日:2019-09-06

    申请号:CN201610868451.6

    申请日:2016-09-30

    IPC分类号: C04B35/83 C04B35/622 B60L5/20

    摘要: 本发明公开一种受电弓滑板用短切碳纤维增强碳/碳复合材料的制备方法。将短切碳纤维、中间相沥青粉和分散剂放入水中制成料浆;将料浆倒入金属容器中,放入冷冻干燥设备内冷冻干燥,制得碳纤维增强体;对制备的碳纤维增强体进行模压成型,制得坯体;对制备的坯体进行碳化处理;将碳化处理后所得材料,浸渍中间相沥青;将浸渍中间相沥青后所得材料进行碳化处理;重复浸渍‑碳化4~6次;石墨化处理,即得目标材料。本发明制备的短切碳纤维增强碳/碳复合材料具有良好的导电性、抗冲击性能好,克服了现有技术制备的碳/碳复合材料受电弓滑板的导电性差、抗冲击能力弱的缺陷。

    一种碳-铜复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN107675108B

    公开(公告)日:2019-06-28

    申请号:CN201710789097.2

    申请日:2017-09-05

    摘要: 本发明属于复合材料领域,公开一种碳‑铜复合材料的制备方法。采用碳纤维针刺毡作为碳纤维预制体;将TiC粉加入到NaOH溶液中,搅拌均匀,得到TiC悬浮液;将碳纤维预制体置于密闭容器中,对其抽真空;然后将TiC悬浮液注入到容器中,随后将惰性气体充入容器中,将TiC加压浸渍到碳纤维预制体中;取出加压浸渍后的碳纤维预制体,干燥处理;用铜粉包埋所得碳纤维预制体,将其置于石墨坩埚内,在真空或者惰性气氛保护下,在1100~1300℃下保温0.5~2 h,之后随炉降温冷却;取出石墨坩埚内所得坯体,经水洗后干燥处理,即得碳‑铜复合材料。本发明直接在碳纤维预制体的表面浸渗得到TiC涂层,显著改善了碳与浸渗Cu的界面润湿性较差的问题,制备得到性能优异的碳‑铜复合材料。

    一种气凝胶毡隔热保温材料的制备方法

    公开(公告)号:CN108996985A

    公开(公告)日:2018-12-14

    申请号:CN201810889041.9

    申请日:2018-08-07

    摘要: 本发明属于隔热保温材料领域,公开一种气凝胶毡隔热保温材料的制备方法。取正硅酸酯、乙醇和水混合均匀,依次加入NH4F溶液和氨水搅拌均匀,得到二氧化硅溶胶A;将树脂、引发剂、偶联剂、空心玻璃微珠在可密封容器中搅拌混合均匀得到浆液B;将纤维毡先在二氧化硅溶胶A中浸渍,取出后再在新鲜配制的浆液B中浸渍,如此重复操作3~4次且纤维毡在浆液B中浸渍时二氧化硅溶胶A始终处于搅拌状态,之后取出纤维毡将其放置于真空条件下密封静置;将所得纤维毡进行老化和改性处理,然后用无水乙醇进行溶剂置换,再干燥处理和热处理,即得气凝胶毡隔热保温材料。本发明在不影响毡体隔热保温效果的前提下,克服了传统的二氧化硅气凝胶毡掉粉脱落的情况。

    一种氮化铝/铝复合材料的制备方法

    公开(公告)号:CN107604192A

    公开(公告)日:2018-01-19

    申请号:CN201710741697.1

    申请日:2017-08-25

    IPC分类号: C22C1/10 C22C29/16

    摘要: 本发明属于电子封装材料的制备领域,具体公开一种氮化铝/铝复合材料的制备方法。将酚醛树脂粉溶解于无水乙醇中;将AlN粉加入所得溶液中,40~60℃搅拌均匀;将SiO2气凝胶粉和Al粉依次加入所得溶液中,50~70℃继续搅拌,直至浆料粘稠不能搅拌为止;将浆料烘干,造粒过筛,再将所得颗粒粉压制成型,得到坯体;将一定质量的Al2O3板块置于坯体上,在真空900~1000℃下反应烧结1~2 h,获得AlN坯体;将AlN坯体在真空900~1100℃下气态渗铝0.5~1 h,随后自然降温冷却,即得氮化铝/铝复合材料。本发明具有工艺简单、操作方便生产成本低,产品性能良好等优点,AlN/Al复合材料拥有良好的机械强度、导热性能和低的热膨胀系数,在电子封装材料方向将具有较大的应用前景。

    一种C/TiB2复合材料的表面处理方法

    公开(公告)号:CN107500769A

    公开(公告)日:2017-12-22

    申请号:CN201710722671.2

    申请日:2017-08-22

    IPC分类号: C04B35/563 C04B41/85

    摘要: 本发明属于碳纤维增强陶瓷基复合材料的表面处理领域,具体公开一种C/TiB2复合材料的表面处理方法。用B4C粉包埋C/TiB2复合材料,在真空950~1100℃下处理;将Ti粉、NH4Cl、Al2O3粉混合均匀得到混合粉末;用所得混合粉末包埋处理过的C/TiB2复合材料,在真空1200~1300℃下反应3~5h,之后自然降温冷却即可。本发明方法先在复合材料表面沉积一层B4C,继而利用Ti粉与残余硅反应得到的TiSi2,同时也能与表面的B4C反应得到TiB2,进一步稳固复合材料的性能。