公开(公告)号：CN106992248B

公开(公告)日：2019-05-03

申请号：CN201610246584.X

申请日：2016-04-20

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 吴昭谊 ,  李岱萤 ,  李明修 ,  王典彦

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 本发明提供了一种存储装置与电阻式存储单元的操作方法。该存储装置包括电阻式存储单元。该电阻式存储单元包括第一电极、第二电极及存储膜。该存储膜在第一电极与第二电极之间。第一电极包括底电极部分与从底电极部分向上延伸的壁电极部分。壁电极部分在存储膜与底电极部分之间。壁电极部分与存储膜的宽度是小于底电极部分的宽度。

公开(公告)号：CN105826347B

公开(公告)日：2019-01-29

申请号：CN201510449289.X

申请日：2015-07-28

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 李峰旻 ,  林昱佑 ,  李岱萤

IPC分类号： H01L27/24 ,  H01L45/00

摘要： 本发明公开了一种电阻式随机存取存储器单元及其制造方法，是有关于一种以金属氧化物为基础的存储器装置及其制造方法，且特别是有关于一种存储器装置，其具有以金属氧化合物为基础的数据储存物质，其制造方法是利用粗糙度调整工艺，包括在底电极表面形成存储器元件之前，在底电极表面上先进行氧化再离子轰击(ion bombardment)步骤。先氧化再离子轰击步骤可改善底电极表面的平坦度，以及降低底电极的表面粗糙度，有利于操作时达到更均匀的电场，从而改善存储器装置的稳定性。

公开(公告)号：CN106409837A

公开(公告)日：2017-02-15

申请号：CN201510445670.9

申请日：2015-07-27

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 赖二琨 ,  陈威臣 ,  李岱萤

IPC分类号： H01L27/11521 ,  H01L29/423 ,  H01L21/28

摘要： 本发明公开了一种存储器及其制作方法，该存储器元件包括第一绝缘层、第二绝缘层、隔离层、浮置栅电极、控制栅电极、通道层以及隧穿氧化层。第二绝缘层邻接第一绝缘层，且与第一绝缘层平行，并与第一绝缘层定义出层间空间。隔离层位于层间空间之中，并且与第一绝缘层夹一个非平角，而将层间空间区隔离成第一凹室和第二凹室。浮置栅电极位于第一凹室之中。控制栅电极位于第二凹室之中。通道层位于第一凹室的开口外侧，且与第一绝缘层夹一个非平角。隧穿氧化层位于通道层和浮置栅电极之间。

公开(公告)号：CN106374039A

公开(公告)日：2017-02-01

申请号：CN201510432455.5

申请日：2015-07-22

申请人： 旺宏电子股份有限公司

发明人： 赖二琨 ,  吴昭谊 ,  林榆瑄 ,  李岱萤

IPC分类号： H01L45/00

摘要： 本发明公开了一种存储器装置与其制造方法，该存储器装置具有一阵列区与一周边区。存储器装置包括一基板、一隔离层、一第一掺杂区域、一第二掺杂区域、一金属硅化层以及一金属硅化氧化层。隔离层形成于基板。第一掺杂区域形成于阵列区内的隔离层上。第二掺杂区域形成于第一掺杂区域上。金属硅化层形成于第二掺杂区域上。金属硅化氧化层形成于金属硅化层上。