一种石墨烯电光调制器及其制备方法

    公开(公告)号:CN108181735A

    公开(公告)日:2018-06-19

    申请号:CN201711425046.8

    申请日:2017-12-25

    IPC分类号: G02F1/01

    摘要: 本发明适用于电光调制器,提供了一种石墨烯电光调制器及其制备方法,所述石墨烯电光调制器包括:衬底、形成于所述衬底上的双层石墨烯垂直狭缝光波导结构、第一电极、第二电极、光输入端以及光输出端,所述双层石墨烯垂直狭缝光波导结构包括由第一高折射率材料层、低折射率材料层、第二高折射率材料层组成的垂直狭缝光波导、第一石墨烯层、绝缘材料层、第二石墨烯层。实施本发明实施例,狭缝光波导可以增强对TE模式的限制作用,使得TE模式的模场在狭缝区域分布增多,有利于增强与上层覆盖的双层石墨烯的相互作用,提高了调制器的调制效率。由双层石墨烯制成的光调制器,其载流子的迁移速率较快,可以调高调制器的响应速率。

    多通道星形光交叉
    42.
    发明公开

    公开(公告)号:CN108169849A

    公开(公告)日:2018-06-15

    申请号:CN201711378335.7

    申请日:2017-12-19

    IPC分类号: G02B6/12

    摘要: 本发明公开了一种多通道星形光交叉,涉及光交叉领域。该多通道星形光交叉有n*n个通道,n≥3,且n为正整数,每一个通道包括顺次相连的入射端梯形波导、直波导、出射端梯形波导,入射端梯形波导用于扩束或者产生多模干涉,出射端梯形波导用于缩束或经过多模干涉将光束恢复成最开始入射的模式;对于每一个通道,光束经由入射端梯形波导扩束或者产生多模干涉后,进入直波导,再经由出射端梯形波导缩束或经过多模干涉将光束恢复成最开始入射的模式出射。本发明能实现多通道星形光交叉的高效率传输,插损低,工艺复杂度低,成品率高,尺寸不大。

    石墨烯铌酸锂多层结构混合集成光学调制器及其制备方法

    公开(公告)号:CN107894669A

    公开(公告)日:2018-04-10

    申请号:CN201711425035.X

    申请日:2017-12-25

    IPC分类号: G02F1/03 G02F1/035

    摘要: 本发明公开了一种石墨烯铌酸锂多层结构混合集成光学调制器及其制备方法,涉及光学调制器领域。该光学调制器包括双层石墨烯铌酸锂光波导,双层石墨烯铌酸锂光波导包括第一石墨烯层、铌酸锂平板波导、第二石墨烯层、第一高折射率材料层;光输入端和光输出端沿平行于衬底的第一方向分布,第一方向上具有相对设置的两端,一端与光输入端连接,另一端与光输出端连接;在平行于衬底且垂直于第一方向的第二方向上,第一石墨烯层的一端延伸至衬底的边缘,镶嵌有第一电极;第二石墨烯层相对的一端延伸至衬底另一侧的边缘,镶嵌有第二电极。本发明制备的光学调制器调制效率高,响应速率高,工作带宽大,插入损耗小,器件尺寸小。

    一种利用偏振复用功能的多波长光发送芯片及方法

    公开(公告)号:CN106685532A

    公开(公告)日:2017-05-17

    申请号:CN201611208961.7

    申请日:2016-12-23

    摘要: 一种利用偏振复用功能的多波长光发送芯片及方法,涉及光通信领域,包括:每个光源及调制模块发射出一路光信号,且多路光信号的偏振态相同;一个波分复用器接收部分光信号进行合波,另一个波分复用器接收其余光信号进行合波,合波后的两路光信号发送至偏振复用器;偏振复用器将一路光信号偏振发生偏转,且与另一路光信号偏振垂直,并将两路光信号合并出射;或者两个光源及调制模块各发射出一路光信号,且两路光信号的偏振态相同;偏振复用器接收两路光信号后,将一路光信号偏振发生偏转,且与另一路光信号偏振垂直,并将两路光信号合并出射。本发明适用不同通道间隔和波段,波长相关损耗小,降低产品成本。

    基于片上模式变换器的硅锗光电探测装置

    公开(公告)号:CN105405911B

    公开(公告)日:2017-03-22

    申请号:CN201510937427.9

    申请日:2015-12-15

    IPC分类号: H01L31/08 H01L31/028

    CPC分类号: H01L31/028 H01L31/08

    摘要: 本发明公开了一种基于片上模式变换器的硅锗光电探测装置,涉及光通信器件领域。该装置包括绝缘衬底、光耦合器、片上模式变换器、多模硅锗光电探测器,光耦合器、片上模式变换器、多模硅锗光电探测器顺次相连,且均固定在绝缘衬底的硅晶圆上,入射的基模光信号通过单模光纤传输至光耦合器,经光耦合器耦合后的基模光信号进入片上模式变换器,片上模式变换器将基模光信号转换为多模光场,多模光场进入多模硅锗光电探测器,多模硅锗光电探测器将多模光场转化为电信号。本发明中的锗重掺区位于多模光场分布光强较弱的区域,锗重掺区和锗通孔对光场的吸收损耗明显降低,能够有效提高硅锗光电探测装置的响应度。

    基于渐变波导方向耦合器的宽带偏振分/合束器

    公开(公告)号:CN105467520A

    公开(公告)日:2016-04-06

    申请号:CN201510929084.1

    申请日:2015-12-15

    IPC分类号: G02B6/27

    CPC分类号: G02B6/27 G02B6/2733

    摘要: 本发明公开了一种基于渐变波导方向耦合器的宽带偏振分/合束器,涉及光通信器件领域。该宽带偏振分/合束器包括渐变波导方向耦合器、合束端、弯曲波导、横电模TE端、横磁模TM端,渐变波导方向耦合器由直通端渐变波导、串通端渐变波导组成,直通端渐变波导与串通端渐变波导宽度的变化趋势相反,且直通端渐变波导、串通端渐变波导之间具有间隔,合束端与直通端渐变波导的一端连接,直通端渐变波导的另一端与弯曲波导的一端连接,弯曲波导另一端与横电模TE端连接,串通端渐变波导与横磁模TM端连接。本发明的中宽带偏振分/合束器能够降低TM模光场对于耦合区域长度的敏感度,具有更宽的工作波长范围。

    高耦合效率电注入集成硅基激光器

    公开(公告)号:CN105305229A

    公开(公告)日:2016-02-03

    申请号:CN201510891312.0

    申请日:2015-12-04

    IPC分类号: H01S5/22 H01S5/34

    摘要: 本发明公开了高耦合效率电注入集成硅基激光器,为叠层结构,包括:硅衬底、绝缘层、大模斑半导体有源芯片、顶层硅和低折射率层,硅衬底的上表面设有常规部和经过刻蚀的刻蚀部,绝缘层设置在硅衬底的常规部上;大模斑半导体有源芯片设置在硅衬底的刻蚀部上;顶层硅设置在绝缘层的上表面;低折射率层设置在顶层硅上表面的靠近所述大模斑半导体有源芯片的一侧。本发明,具有直接高效输出单模激光的优点,且结构紧凑,工艺简单,效率高,稳定性高,可商用化,在光互联、光通信、光谱测定以及光遥感等领域中具有广阔的应用前景。

    一种用于QKD量子态编码的光子集成结构

    公开(公告)号:CN117201016A

    公开(公告)日:2023-12-08

    申请号:CN202311270299.8

    申请日:2023-09-27

    摘要: 本公开实施例提供了一种用于QKD量子态编码的光子集成结构,该光子集成结构包括:分光结构,用于接收初始光源,按照目标分光比例对初始光源进行分光处理,得到第一光分量和第二光分量;相移结构,用于接收第一光分量和第二光分量,对第一光分量和/或第二光分量进行相移处理,得到具有目标相位差的第三光分量和第四光分量;光合束结构,用于接收第三光分量和第四光分量,并对第三光分量和第四光分量进行旋转合束处理,得到目标光信号;其中,目标光信号具有目标量子态,且目标量子态和目标分光比例以及目标相位差具有对应关系。本公开实施例能够实现准确制备目标量子态。

    一种光电子芯片版图布线方法、装置、设备及存储介质

    公开(公告)号:CN116227420A

    公开(公告)日:2023-06-06

    申请号:CN202211720055.0

    申请日:2022-12-30

    IPC分类号: G06F30/3947

    摘要: 本发明公开了一种光电子芯片版图布线方法、装置、设备及存储介质,涉及光电子芯片版图自动化设计布线技术领域,该方法包括以下步骤:将光电子芯片版图映射成网格,并将参数化单元PCell端口映射成点坐标,将需要布线的波导映射为线段;以网格中的田字格为基本单元,将田字格中心坐标、以及过田字格中心坐标的线段组合方式定义为变量;设置PCell端口之间的路径、路径上的点和线段的限制条件;利用变量表示路径的长度,并基于限制条件,根据要实现的等长路径,计算对应的变量值,以确定路径规划,最终将路径规划映射为波导走线。本发明可以保证布线时波导长度相等,弯曲波导数量相等,且同时保证波导占用面积最小,波导总长度最短。