高压变频器、IGBT隔离驱动器及其共模抑制电路

    公开(公告)号:CN113595368A

    公开(公告)日:2021-11-02

    申请号:CN202110911216.3

    申请日:2021-08-10

    Abstract: 本申请提供了一种高压变频器、IGBT隔离驱动器及其共模抑制电路,该共模抑制电路应用于IGBT隔离驱动器中的信号变压器,其中:副边绕组同名端的共模抑制单元和副边绕组异名端的共模抑制单元在信号变压器出现共模电压信号时,分别用于以IGBT隔离驱动器中相应比较器输出电平为低作为控制目标,将副边绕组同名端和副边绕组异名端上的共模电流进行旁路;也即,本申请提供的共模抑制电路能够在信号变压器出现共模电压信号时,通过相应的共模抑制单元分别将副边绕组同名端和副边绕组异名端上的共模电流进行旁路,避免了信号变压器高压侧的信号处理单元接收到两个同高的脉冲,保证了IGBT隔离驱动器中信号处理单元的正常工作。

    GHRH拮抗剂在制备防治血管病变的药物中的应用

    公开(公告)号:CN115779087A

    公开(公告)日:2023-03-14

    申请号:CN202211385996.3

    申请日:2022-11-07

    Inventor: 余红 张弛

    Abstract: 本发明涉及生物医学领域,公开了GHRH拮抗剂在制备防治血管病变的药物中的应用。本发明首次发现,GHRH拮抗剂能够增加血管内皮紧密连接蛋白,改善血管内皮氧化应激水平,防止和逆转血管内皮损伤,为防治血管病变提供了新的策略,具有重要的临床治疗意义;此外,本发明还发现,GHRH拮抗剂能够防治高血糖导致的体重、运动能力和心功能下降,有望成为这些高血糖并发症新的防治手段。

    一种非对称超级结MOSFET结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN119153535A

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202411651338.3

    申请日:2024-11-19

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 一种非对称超级结MOSFET结构及其制造方法,属于半导体技术领域,一种超级结MOSFET结构,包括衬底及元胞结构;所述元胞结构包括:第一柱区,包括N型漂移区;第二柱区,设置在第一柱区中,包括柱区结构和设置在柱区结构上的栅极结构;第三柱区,包括侧壁P柱区,侧壁P柱区为离子注入式P柱区,侧壁P柱区与相邻的N型漂移区电荷平衡;第三柱区设置在第二柱区与第一柱区之间,第三柱区设置在第二柱区的一侧。本申请通过深沟槽离子注入的侧壁P柱区,使得侧壁P柱区与对应的N型漂移区的电荷平衡控制更为精准;同时,由于超级结的PN结位置远离刻蚀界面,降低了缺陷界面处的电场,提升了产品的可靠性,也避免了多次外延,有助于节约超级结MOSFET的制造成本。

    一种基于知识图谱的中医药古籍可视分析方法与系统

    公开(公告)号:CN116340544B

    公开(公告)日:2024-02-23

    申请号:CN202310358357.6

    申请日:2023-04-03

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明提供了一种基于知识图谱的中医药古籍可视分析方法和系统,所述方法包括以下步骤:对中医药古籍文本数据进行预处理,得到命名实体识别训练数据集和关系抽取训练数据集;基于深度学习网络模型生成中医药古籍知识图谱;构建中医药古籍可视化分析系统,进行古籍知识图谱可视化、症状聚类可视化、药材可视化和药方可视化;配置用户可视化交互式接口,基于所述中医药古籍可视化分析系统,根据用户输入信息反馈并展示可视化信息。本发明的方法和(56)对比文件Yu-Sheng Su等.A Finger-Worn Devicefor Exploring Chinese Printed Text WithUsing CNN Algorithm on a Micro IoTProcessor《.IEEE Access 》.2019,第7卷第116529-116541页.陈程等.基于中医药知识图谱的智能问答技术研究《.中国新通信》.2018,第20卷(第02期),第204-207页.叶斌等.基于古籍胸痹病机的知识图谱研究《.亚太传统医药》.2020,第16卷(第07期),第153-155页.

    铬污染场地土壤-地下水协同修复处理模拟系统及方法

    公开(公告)号:CN114669590A

    公开(公告)日:2022-06-28

    申请号:CN202210249538.0

    申请日:2022-03-14

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明提供了一种铬污染场地土壤‑地下水协同修复处理模拟系统及方法。本发明的模拟系统包括协同模拟装置和数据采集装置。本发明可实现利用材料化学固定稳定化对铬污染场地土壤‑地下水进行原位协同修复场地中污染物去除的全过程模拟。本发明在利用装置模拟铬污染场地土壤‑地下水原位修复过程中,通过微生物燃料电池传感器能够低成本、及时检测污染物浓度变化并直观反映土壤与地下水协同修复的过程,以探明土壤返黄及拖尾现象的机理,提供一种铬污染场地土壤‑地下水协同修复处理模拟装置及铬污染场地土壤—地下水协同修复的方法,为实际场地原位一体化修复提供理论支撑。

    一种基于共价有机框架材料的气体传感器及其制备方法

    公开(公告)号:CN110487735A

    公开(公告)日:2019-11-22

    申请号:CN201910842895.6

    申请日:2019-09-06

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种基于共价有机框架材料的气体传感器及其制备方法,属于共价有机框架材料的应用领域,该方法将第一单体A溶于第一溶剂中,加入第一界面修饰剂,得到第一溶液。将第二单体B溶于第二溶剂中,加入第二界面修饰剂,得到第二溶剂。将溶剂混合均匀后,加入负载基底和反应催化剂。得到负载型气体传感器,也可以使用刻蚀溶液处理得到自立型气体传感器。该传感器可以将溶剂分子吸附到孔道当中,改变了传感器的折射率。从而发生快速、显著的颜色改变,实现对有机蒸汽或水蒸气的光学传感和检测。

    一种微型电网系统中用于分布式电源并联运行模式的基于通信网络的改进的下垂控制方法

    公开(公告)号:CN103683324B

    公开(公告)日:2016-08-24

    申请号:CN201310648678.6

    申请日:2013-12-04

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明专利公开了一种微型电网系统中用于分布式电源并联运行模式的基于通信网络的改进的下垂控制方法,旨在改进传统下垂控制方法的缺陷,改进分布式电源在并联运行模式中的性能,提高系统的稳定性,适用于集成了新能源分布式发电的微型电网系统中并联运行模式的控制。该专利以通信网络为基础,将微型电网系统的中央控制器与每个逆变器单元的控制器组成一个整体控制系统,通过计算公共负载的有功功率和无功功率,修正每一台分布式电源的下垂控制方案。采用该方案,可以实现更好的功率均流效果,更小的母线电压频率和幅值偏差,具有良好的应用前景。

    一种超级结沟槽MOSFET结构及其制造方法

    公开(公告)号:CN119153534A

    公开(公告)日:2024-12-17

    申请号:CN202411651336.4

    申请日:2024-11-19

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 一种超级结沟槽MOSFET结构及其制造方法,属于超结MOSFET技术领域,一种超级结沟槽MOSFET结构,包括N+衬底及元胞第一结构和元胞第二结构;其中,元胞第一结构与元胞第二结构皆呈正六边形;元胞第一结构包括第一N柱区及环绕第一N柱区的第一P柱区,第一N柱区上设置有第一源槽;元胞第二结构包括第二N柱区及环绕第二N柱区的第二P柱区,第二N柱区上设置有第二源槽;若干元胞第二结构围绕元胞第一结构;元胞第二结构还包括栅槽,栅槽与第一源槽之间形成有第一沟道,栅槽与第二源槽之间形成有第二沟道,第一沟道与第二沟道的长度不同。本申请通过设置正六边形密铺的元胞结构,且具有非对称的双沟道,不仅提高了沟道密度,也提供了良好的栅氧保护作用。

    一种摩擦纳米发电机高灵敏度瞬时自供电无线传感系统

    公开(公告)号:CN113938050B

    公开(公告)日:2024-06-11

    申请号:CN202111068892.5

    申请日:2021-09-13

    Applicant: 浙江大学

    Abstract: 本发明公开了一种摩擦纳米发电机高灵敏度瞬时自供电无线传感系统。摩擦纳米发电机输出端直接连接控制器输入端;控制器输出端分别连接到发射模块输入端,发射模块和接收模块无线连接;控制器中,峰值电压检测器PVD两端连接在控制器的两个输入端之间,峰值电压检测器PVD和MOS管Q1的栅极连接,MOS管Q1和峰值电压检测器PVD一端连接并接地,MOS管Q1依次经双向稳压二极管ZD、二极管D1后和峰值电压检测器PVD另一端连接,双向稳压二极管ZD的两端输出作为控制器的两个输出端。本发明能使得发射信号的幅值和频率的稳定性大大增强,增强了传感系统的抗干扰能力。

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