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公开(公告)号：CN101373817B
公开(公告)日：2010-06-02
申请号：CN200810046331.3
申请日：2008-10-21
Applicant: 电子科技大学
IPC: H01L51/56
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件的制备方法，首先将阳离子表面活性剂和可溶性可电离的导电聚合物在气/液界面进行组装，然后通过LB法将导电聚合物/表面活性剂层状有序纳米结构转移致阳极层，作为器件的空穴注入层，然后再进行器件其它功能层及电极薄膜的制备。本发明中的空穴注入层材料，由于具有很好的有序层状结构，使得空穴传输层与阳极层之间的接触势垒降低，空穴的注入效率增加。本发明可用于大面积聚合物空穴注入层的制备，制作高质量有机电致发光显示器件。
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公开(公告)号：CN101540378A
公开(公告)日：2009-09-23
申请号：CN200910059064.8
申请日：2009-04-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明公开了一种有机电致发光器件的制备方法，首先在器件阳极上构筑有序紧密排列的导电聚合物纳米线结构作为器件的空穴注入层，再进行器件其它功能层及电极薄膜的制备。空穴注入层中的材料是有序排列的高导电性聚合物纳米线，具有载流子迁移率高的特点。本发明不仅用于制作高发光效率、长寿命的有机电致发光显示器件，而且可应用于彩色液晶显示的背光灯、照明灯板等领域。
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公开(公告)号：CN114544714B
公开(公告)日：2023-10-27
申请号：CN202210181202.5
申请日：2022-02-25
Applicant: 电子科技大学
IPC: G01N27/12
Abstract: 本发明公开了一种MOFs导电聚合物复合薄膜气体传感器及制备方法，在金叉指电极表面沉积聚3,4‑乙烯二氧噻吩PEDOT，以六水合硝酸钴、六水合硝酸铈和均苯三甲酸为原料用水浴法合成钴铈基金属有机框架CoCe‑BTC，然后采用旋涂法得到CoCe‑BTC/PEDOT复合薄膜，本方法可以将CoCe‑BTC/PEDOT复合薄膜简单高效地转移到光滑衬底上，制备出的传感器结合了CoCe‑BTC及PEDOT的优点，同时提升了响应度和导电性，稳定性好、成本低，为该类型气体传感器的大规模生产提供一种良好的设计理念。
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公开(公告)号：CN116033759A
公开(公告)日：2023-04-28
申请号：CN202211563296.9
申请日：2022-12-06
Applicant: 电子科技大学长三角研究院(湖州)
Abstract: 本发明属于半导体技术领域，公开了一种写入与读取异构的双栅神经形态器件及其制备方法，包括底栅电极、栅绝缘层、电解质层、电荷捕获层、有机半导体层、水平栅电极、源漏电极，其特征在于，所述神经形态器件的水平栅和有机半导体层位于电荷捕获层上方，二者隔开；源漏电极位于有机半导体层上方。本发明所提供的器件同时具有底栅和水平栅，双栅结构使本发明器件可以实现底栅写入、水平栅读取或者水平栅写入、底栅读取等操作，有效避免了器件在写入、读取操作时产生的串扰问题；器件同时还存在电双层效应和电荷捕获效应两种电荷效应；器件大部分采用溶液法制备，工艺简单便于操作，成本低易推广，且具有良好的稳定性。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN111995780B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN202010854972.2
申请日：2020-08-24
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本申请提供一种基于改性钛酸钡纳米线原位聚合高介电薄膜的制备方法，包括以下步骤：通过两步水热法制备钛酸钡纳米线；用多巴胺对步骤(1)所得钛酸钡纳米线进行表面修饰；在惰性环境中，将修饰后的钛酸钡纳米线与异硫氰酸酯加入N‑甲基吡咯烷酮溶液中搅拌进行亲核加成反应，并向反应液中加入4,4’‑二氨基二苯甲烷进行原位聚合反应，将聚合反应产物滴入甲醇中进行提纯，干燥得中间产物；将中间产物溶于N‑甲基吡咯烷酮溶液中，混合搅拌均匀，将混合液流延在基板上成膜，干燥得所述薄膜；本发明的有益效果为：本发明所述制备方法所得薄膜在高电场下仍然能够保持较高的充电‑放电效率，有效提升了高介电薄膜的稳定性以及介电性能。
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公开(公告)号：CN110372978B
公开(公告)日：2022-02-08
申请号：CN201910516659.5
申请日：2019-06-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种有机复合介电薄膜及其制备方法，包括步骤：1、以4,4’‑二氨基二苯甲烷、N‑甲基吡咯烷酮和对苯二异硫氰酸酯为合成单体原料，合成线性高分子量聚合物聚硫脲；2、将聚硫脲溶解在N‑甲基吡咯烷酮溶剂中形成均匀溶液；3、将聚(偏氟乙烯‑三氟乙烯‑氟氯乙烯)溶解在N‑甲基吡咯烷酮溶剂中形成均匀溶液；4、将步骤二得到的溶液和步骤三的得到的溶液混合得到复合溶液；5、利用溶液流延法，将步骤四得到的溶液在石英玻璃基板上形成薄膜，经过真空干燥得到有机复合介电薄膜，本制备方法能够得到高储能密度的有机复合介电薄膜，复合介电薄膜在高电场下仍然能够保持较高的充电‑放电效率，有效提升了复合介电薄膜的稳定性以及介电性能。
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公开(公告)号：CN111961241B
公开(公告)日：2021-10-01
申请号：CN202010861419.1
申请日：2020-08-24
Applicant: 电子科技大学
IPC: C08J7/04 , C08J5/18 , C08L79/08 , C09D127/16
Abstract: 本申请公开了一种高储能低损耗的双层复合膜的制备方法，包括以下步骤：选取高介电常数材料，并配制成溶液：将高介电常数材料溶于有机溶剂中，搅拌至材料完全溶解；配制聚醚酰亚胺溶液：将聚醚酰亚胺溶液均匀浇铸于基板上，烘干，得聚醚酰亚胺薄膜；在聚醚酰亚胺薄膜表面均匀流延一层高介电常数材料溶液，烘干，得所述双层复合膜；本发明的有益效果为：本发明所述双层复合膜PVDF基材料可以提高聚醚酰亚胺(PEI)薄膜的介电常数以及击穿场强，使双层复合膜可得到更高的储能密度；PEI薄膜可通过抑制PVDF基材料的极化驰豫以及漏电流来降低介电损耗，解决薄膜电容器工作时产热过高的问题，使得高储能的薄膜电容器应用成为了可能。
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公开(公告)号：CN112103094A
公开(公告)日：2020-12-18
申请号：CN202010968859.7
申请日：2020-09-15
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种全固态柔性超级电容器及制备方法，包括步骤：(1)将聚偏氟乙烯溶于N,N‑二甲基甲酰胺中，加入活性炭和乙炔黑得到溶液，将溶液刮涂在铝箔上，干燥后形成单面或双面活性炭电极；(2)将聚乙烯醇、或者聚乙烯醇和聚乙二醇的混合物溶于去离子水，充分搅拌制备聚乙烯醇溶液，加入LiClO4作为导电盐，搅拌后制备为透明凝胶溶液，倒入模具中真空干燥箱中干燥后获得固态电解质；(3)将电极在去离子水中充分浸润，然后涂上制备的透明凝胶溶液，将固态电解质夹在两片电极之间，真空干燥箱中干燥后，获得全固态超级电容器。本发明制备的固态电解质有一定的机械强度，可取代隔膜。可叠加多片电极与电解质以增大容量。
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公开(公告)号：CN110372978A
公开(公告)日：2019-10-25
申请号：CN201910516659.5
申请日：2019-06-14
Applicant: 电子科技大学
Abstract: 本发明提供一种有机复合介电薄膜及其制备方法，包括步骤：1、以4,4’-二氨基二苯甲烷、N-甲基吡咯烷酮和对苯二异硫氰酸酯为合成单体原料，合成线性高分子量聚合物聚硫脲；2、将聚硫脲溶解在N-甲基吡咯烷酮溶剂中形成均匀溶液；3、将聚(偏氟乙烯-三氟乙烯-氟氯乙烯)溶解在N-甲基吡咯烷酮溶剂中形成均匀溶液；4、将步骤二得到的溶液和步骤三的得到的溶液混合得到复合溶液；5、利用溶液流延法，将步骤四得到的溶液在石英玻璃基板上形成薄膜，经过真空干燥得到有机复合介电薄膜，本制备方法能够得到高储能密度的有机复合介电薄膜，复合介电薄膜在高电场下仍然能够保持较高的充电-放电效率，有效提升了复合介电薄膜的稳定性以及介电性能。
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