公开(公告)号：CN105449319A

公开(公告)日：2016-03-30

申请号：CN201510970286.0

申请日：2015-12-21

申请人： 电子科技大学

发明人： 杨青慧 ,  郑向闻 ,  安照辉 ,  李元勋 ,  张怀武 ,  董师伶 ,  郁国良

IPC分类号： H01P1/18

CPC分类号： H01P1/181

摘要： 一种带状线式铁氧体移相器，属于微波通信器件领域。自下而上依次为第一铁氧体层、第一介质层、第二介质层和第二铁氧体层，铁氧体移相器中心开一通孔，以通孔为中心的四个方向上分别为激励线圈结构、第一单元结构、第二单元结构和第三单元结构，所述单元结构包括位于第一介质层和第二介质层之间的带状线结构以及贯穿铁氧体移相器的金属柱。本发明带状线式铁氧体移相器在兼顾插入损耗和平均功率方面的优异性能的同时，能显著减小铁氧体移相器的体积，实现与有源电路的集成；且无需考虑介质材料与铁氧体材料的匹配问题，大大减小了工艺难度；将三个移相器单元集成于一个移相器空间内，增加了集成度，提高了磁化线的利用率。

公开(公告)号：CN104193224A

公开(公告)日：2014-12-10

申请号：CN201410431104.8

申请日：2014-08-28

申请人： 电子科技大学

发明人： 苏桦 ,  张天水 ,  唐晓莉 ,  张怀武 ,  荆玉兰 ,  李元勋

IPC分类号： C04B26/18 ,  C04B35/26 ,  C04B35/622

摘要： 本发明提供了一种微带天线有机复合基板材料及其制备方法，属于电子材料技术领域。所述有机复合基板材料由主相材料和辅助相材料按质量百分数比为100：(80～120)复合而成，所述主相材料为Co2Z型六角铁氧体，配方分子式为(Ba1-xSrx)3Co2Fe24O41，其中x的取值范围为0～0.5，所述辅助相材料为聚四氟乙烯树脂。其制备方法包括：1)称料、混料、一次球磨后烘干；2)预烧；3)二次球磨，烘干；4)复合，烘干；5)热压成型。该方法操作简便，成本低；得到的复合基板材料在100MHz～1GHz频率范围内具有较高的磁导率和介电常数，同时其磁损耗和介电损耗也都较低；得到的基板的柔韧性和均匀性都较好。

公开(公告)号：CN103771842A

公开(公告)日：2014-05-07

申请号：CN201410012814.7

申请日：2014-01-10

申请人： 电子科技大学

发明人： 苏桦 ,  陈华文 ,  唐晓莉 ,  张怀武 ,  荆玉兰 ,  李元勋 ,  刘保元

IPC分类号： C04B35/16 ,  C04B35/622

摘要： 本发明提供一种以(Zn1-xCox)2SiO4，0.05≤x≤0.1为主晶相组成的低成本低介低损耗LTCC微波陶瓷材料及其制备方法。该陶瓷材料在硅锌矿结构的Zn2SiO4基础上进行了适量Co2+的替代，采用LBSCA玻璃助烧降低烧结温度，可实现900℃低温烧结，制备得该微波陶瓷材料介电常数εr为6.1～6.6，具有极低微波损耗、品质因数Q×f值均在30000GHz以上、最高可达到56939GHz，谐振频率温度系数τf约为-55ppm/℃；其制备方法以Co2O3、ZnO、SiO2原料，依次进行称料、一次球磨、烘料、预烧、掺杂、二次球磨、烘料、造粒、成型、烧结工艺；生产原料便宜、生产成本低、制备工艺简单。该微波陶瓷材料在作为LTCC微波介质基板或器件材料时，可以显著降低微波器件或模块的损耗。

公开(公告)号：CN101943803A

公开(公告)日：2011-01-12

申请号：CN201010218977.2

申请日：2010-07-07

申请人： 电子科技大学

发明人： 文岐业 ,  张怀武 ,  杨青慧 ,  刘颖力 ,  李元勋

IPC分类号： G02F1/00

摘要： 一种用于太赫兹波调制的结构材料，属于电子技术领域。该结构材料包括介质基板(2)和附着于介质基板(2)表面的电磁共振器阵列(1)；其中介质基板(2)是对太赫兹波高度透明的介质材料基板，电磁共振器阵列(1)是由多个相同形状和尺寸的电磁共振器单元构成的阵列，且每个电磁共振器单元由沉积于介质基板(2)表面的二氧化钒薄膜形成。本发明采用对太赫兹波高度透明的介质材料作为基板，具有非常小且稳定的太赫兹波吸收损耗；采用高速相变材料一二氧化钒薄膜制作电磁共振器阵列，借助于热或激光调制，通过激发二氧化钒薄膜的相变来实现太赫兹波的调制。相对于现有的基于金属电磁共振器阵列的太赫兹调制器，本发明具有更大的调制深度。

公开(公告)号：CN101319390A

公开(公告)日：2008-12-10

申请号：CN200810044640.7

申请日：2008-06-06

申请人： 电子科技大学

发明人： 杨青慧 ,  张怀武 ,  刘颖力 ,  文岐业 ,  李元勋 ,  贾利军 ,  苏桦

IPC分类号： C30B29/28 ,  C30B19/04

摘要： 无铅镥铋石榴石薄膜制备方法，属于电子材料领域，特别涉及石榴石薄膜材料的液相外延制备技术。本发明包括以下步骤：步骤一熔体制备：称量高纯氧化物原料Lu2O3和Bi2O3，研磨，混和后熔化并放置，然后降低温度至生长温度；步骤二清洗GGG基片；步骤三将清洗好的基片与熔体液面保持3－15°，缓慢放入熔体中，准备外延生长；步骤四在生长过程中，基片以60－100转/分的速率转动，达到预设的生长时间后，将基片缓慢提离熔体液面；步骤五生长结束后，将基片高速旋转，以甩掉基片上的残留液滴，然后从外延炉中缓慢提起基片避免由于热膨胀引起薄膜开裂；步骤六将薄膜在热硝酸中清洗以去除残余的Bi2O3助熔剂。

公开(公告)号：CN1970682A

公开(公告)日：2007-05-30

申请号：CN200610022410.1

申请日：2006-12-05

申请人： 电子科技大学

发明人： 张岱南 ,  张怀武 ,  李元勋

IPC分类号： C09K11/06 ,  C08F138/02

摘要： 本发明公开了一种新型聚对苯乙炔电致发光材料，它是一种主体材料由PPV构成的有机粉末状材料，其结构特征是在PPV的链上引入了噁二唑基团，因其主链含电子传输功能基团，不易氧化，实现了载流子注入速率的匹配，抗老化性能好，不易失效，使用寿命长；而且材料的制备方法极其简单，反应二步完成，反应条件温和容易控制，操作简便，所以成本低廉，适合工业化进程。

公开(公告)号：CN113072061B

公开(公告)日：2022-10-14

申请号：CN202110231406.0

申请日：2021-03-02

申请人： 电子科技大学 ,  江西国创产业园发展有限公司

发明人： 简贤 ,  吴龙伟 ,  李元勋 ,  苏桦 ,  舒剑

IPC分类号： C01B32/162 ,  C01B32/17 ,  H01M4/62 ,  H01M10/0525

摘要： 一种锂离子电池正极导电添加剂碳纳米管阵列的制备方法，属于新材料技术、锂离子二次电池领域。首先，以镍硅基多元合金为催化剂，通过CCVD法制备出取向良好的碳纳米管阵列；然后，利用无定形碳不耐高温的特点，选择一个合适的温度进行退火处理以去除无定形碳和氧化夹杂在其中的微量催化剂，提升碳纳米管阵列的纯度；最后，将样品依次在盐酸和氢氟酸溶液中处理，以去除样品中的金属及其氧化物。本发明方法得到的碳纳米管阵列，具有较高的纯度，纯度可达99％以上，同时保持着原有形貌，即保持了原有的长径比，具有优异的导电性，是未来锂离子电池正极材料导电添加剂材料。

公开(公告)号：CN114824813A

公开(公告)日：2022-07-29

申请号：CN202210456980.0

申请日：2022-04-27

申请人： 电子科技大学

发明人： 李元勋 ,  李馥余 ,  韩莉坤 ,  文岐业 ,  廖宇龙 ,  陆永成 ,  刘新研

IPC分类号： H01Q15/00

摘要： 本发明属于太赫兹成像元件设计领域，具体是一种可用于太赫兹近场成像的双频巨手性全硅结构。本发明采用琼斯矩阵法和各向异性结构组合的方式，通过破坏整体结构的镜像对称性和n级旋转对称性(n>2)，在两个不同的太赫兹频率附近实现了优异且相反的自旋选择性传输，在太赫兹和手性超表面的研究基础上将二者结合，设计了一对双频巨手性结构。在1.09THz和1.65THz的太赫兹频率附近实现了优异且相反的自旋选择性传输，并且两个频率下的最大圆二色性均高达0.34，其覆盖带宽分别为85.5GHz和41.4GHz。本发明有效解决了现有手性介质超表面多频段工作由于多个结构间存在寄生效应和耦合效应的问题，提供了一种新的设计思路。

公开(公告)号：CN113292338B

公开(公告)日：2022-03-15

申请号：CN202110622929.8

申请日：2021-06-04

申请人： 电子科技大学

发明人： 李元勋 ,  杨昕 ,  彭睿 ,  陆永成 ,  苏桦

IPC分类号： H01B3/12 ,  C04B35/495 ,  C04B35/622 ,  C04B35/64

摘要： 本发明属于电子材料技术领域，具体涉及一种Ba‑Co‑V基低介低烧微波陶瓷材料及其制备方法，其烧结温度低，且具有高Q*f值和正τf值，可应用于LTCC技术领域。本发明在具有高微波介电性能的Ba3(VO4)2陶瓷基础上，未添加降烧剂通过调整原料配比，首次采用Co2+取代Ba3(VO4)2中的Ba2+，通过不同的取代量，在900℃～950℃低温致密烧结，获得了τf为+14.5ppm/℃～+23.8ppm/℃,Q*f为25318GHz～54,063GHz的Ba‑Co‑V基低介微波介电陶瓷材料；由于未添加助烧剂B2O3，因此避免了后期LTCC领域应用对流延工艺的影响，可作为微波介质陶瓷τf调节材料有效应用于LTCC技术领域。

公开(公告)号：CN108706968B

公开(公告)日：2021-04-30

申请号：CN201810578005.0

申请日：2018-06-05

申请人： 电子科技大学

发明人： 贾利军 ,  沈琦杭 ,  邱华 ,  解飞 ,  郑宇航 ,  李元勋 ,  张怀武

IPC分类号： H01F1/34 ,  C04B35/34 ,  C04B35/64 ,  H01F1/03

摘要： 一种低温烧结抗直流偏置NiCuZn铁氧体及制备方法，属于电子陶瓷技术领域。该铁氧体包括主成分和副成分，所述主成分以各自标准物计的含量为：Fe2O347～50mol％，NiO 18～22mol％，ZnO 18～22mol％，CuO 9～13mol％，Co2O30.1～0.4mol％，相对所述主成分总量，所述副成分以其标准物计的含量为：BZB：0.3～0.6wt％，Bi2O3：0.03～0.08wt％，CuO：0～0.03wt％。本发明得到的NiCuZn铁氧体在改善材料抗直流偏置特性的同时还保证其具有较高的烧结致密度和饱和磁感应强度。