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公开(公告)号：CN104409773B
公开(公告)日：2017-01-25
申请号：CN201410237586.3
申请日：2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01M10/058
Abstract: 本发明涉及一种应用于锂电池3D打印的材料制备方法，首先制备出打印锂电池正负电极浆料，再制取隔膜浆料，随后利用3D打印技术制备出以磷酸铁锂为阴极材料，以聚酰亚胺为隔膜、以钛酸锂为阳极材料的正极、隔膜及负极依次交叠的圆环形锂离子电池。本发明基于锂电池3D打印的材料制备方法，制备方法新颖，工艺简单，精确可控，所制备的材料具有特殊阴极、隔膜及阳极依次交叠分布结构、大的比表面积；每一阴极、隔膜和阳极圆环材料本身组成一个微型锂离子电池，这将大大缩短了锂离子在材料中的扩散距离，提高了相应的扩散速度，具有较高的离子及电子电导率，在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN105047819A
公开(公告)日：2015-11-11
申请号：CN201510344794.8
申请日：2015-06-23
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L51/0003 , H01L51/0096 , H01L51/0512
Abstract: 本发明涉及一种有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管制备方法，利用lift-off工艺技术、旋涂成膜工艺技术及毛细渗透工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出牺牲层ZnO条形阵列、含纳米线状孔道阵列的光刻胶层、含有机纳米线阵列的有机半导体层，在有机半导体层表面及硅片衬底背面上分别形成金属电极，引出相应的源极、漏极和栅极，从而制备有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，该有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管具有特殊的有机纳米线导电阵列层，有效降低有机半导体纳米线阵列导电沟道薄膜晶体管的阈值电压，在新型光电器件中将具有非常重要的应用价值。
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公开(公告)号：CN104993051A
公开(公告)日：2015-10-21
申请号：CN201510281077.5
申请日：2015-05-28
Applicant: 福州大学
CPC classification number: H01L51/0508 , H01L51/0003 , H01L2251/301
Abstract: 本发明公开了一种金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的制备方法，利用旋涂成膜工艺技术，在硅/二氧化硅衬底上，依次制备出金属膜片阵列层、有机半导体层，随后，通过图形化掩膜覆盖蒸镀工艺技术在金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道层表面及其硅片衬底背面上分别形成Cr/Au复合金属电极，引出相应的源极、漏极和栅极，再通过旋涂有机物实现对金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道的有效封装和保护，从而制备出新型的金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，精确可控，有效提高了金属膜片阵列/有机半导体复合导电沟道薄膜晶体管的开关比及其电流值。
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公开(公告)号：CN103236496B
公开(公告)日：2015-08-12
申请号：CN201310135175.9
申请日：2013-04-18
Applicant: 福州大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种叠层结构的三端有源器件，其特征在于，包括：一第一导电层；一第一绝缘层，设置于所述第一导电层上方；一纳米材料导电层，设置于所述第一绝缘层上方；一第二绝缘层，设置于所述纳米材料导电层上方；以及一第二导电层，设置于所述第二绝缘层上方；其中，在所述第一导电层和第二导电层之间施加一固定电压，以在所述第一导电层和第二导电层之间形成高密度电流，通过所述纳米材料导电层调制所述第一导电层和第二导电层之间的电流强度，从而实现所述纳米材料导电层对所述第一导电层和第二导电层导通与截止的调控。本发明的三端有源器件具有结构简单、易集成、高开口率、工作电流大、工作温度范围宽等优点。
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公开(公告)号：CN104409776A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410237605.2
申请日：2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01M10/058
CPC classification number: H01M10/058 , H01M10/0525
Abstract: 本发明公开了一种基于3D打印技术制备阴阳极同轴锂离子电池的方法，以氧化锰、聚偏氟乙烯、磷酸铁锂为原料制备出打印墨水，再利用3D打印技术，采用同轴套管打印头制备出以磷酸铁锂为阴极材料，以聚偏氟乙烯膜为隔膜，以氧化锰为阳极材料的阴阳极同轴材料，在氩气保护下热处理后得到以磷酸铁锂为阴极材料，以多孔聚偏氟乙烯膜为隔膜，以多孔氧化锰为阳极材料的阴阳极同轴材料，再转移到手套箱内进行封装，最终得到阴阳极同轴锂离子电池。本发明制备方法新颖，工艺简单，精确可控，所制备的材料具有特殊阴阳极同轴结构、大的比表面积，大大缩短了锂离子在材料中的扩散距离，提高了相应的扩散速度，具有较高的离子及电子电导率。
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Patent Agency Ranking
公开(公告)号：CN104409773A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410237586.3
申请日：2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01M10/058
CPC classification number: H01M10/058
Abstract: 本发明涉及一种应用于锂电池3D打印的材料制备方法，首先制备出打印锂电池正负电极浆料，再制取隔膜浆料，随后利用3D打印技术制备出以磷酸铁锂为阴极材料，以聚酰亚胺为隔膜、以钛酸锂为阳极材料的正极、隔膜及负极依次交叠的圆环形锂离子电池。本发明基于锂电池3D打印的材料制备方法，制备方法新颖，工艺简单，精确可控，所制备的材料具有特殊阴极、隔膜及阳极依次交叠分布结构、大的比表面积；每一阴极、隔膜和阳极圆环材料本身组成一个微型锂离子电池，这将大大缩短了锂离子在材料中的扩散距离，提高了相应的扩散速度，具有较高的离子及电子电导率，在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN104409683A
公开(公告)日：2015-03-11
申请号：CN201410238059.4
申请日：2014-05-31
Applicant: 福州大学
IPC: H01M4/13
CPC classification number: H01M10/058 , B29C64/106 , H01M4/1391 , H01M10/0525
Abstract: 本发明涉及一种基于同轴3D打印技术制备并排阴阳极锂离子电池的方法。这种方法主要是先制备出分别包含钛酸锂、聚偏氟乙烯、磷酸铁锂混合物的阳极、隔膜和阴极打印墨水，通过3D打印技术，采用同轴套管3D打印技术打印出以钛酸锂为阳极材料、聚偏氟乙烯为隔膜材料、磷酸铁锂为阴极材料的阴阳极并排结构，该阴阳极并排结构具有阳极、隔膜同轴并与阴极并排的特殊结构，最后将此结构转移到手套箱中进行封装，进一步得到同轴并排阴阳极锂离子电池。该方法主要是在阳极材料外面打印上一层多孔隔膜，并可以与阴极材料紧密接触，大大缩短了锂离子在阴阳电极间的扩散距离，提高了电极材料的电导率，在高性能锂离子电池领域有巨大的应用潜力。
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公开(公告)号：CN103236496A
公开(公告)日：2013-08-07
申请号：CN201310135175.9
申请日：2013-04-18
Applicant: 福州大学
IPC: H01L45/00
Abstract: 本发明涉及一种叠层结构的三端有源器件，其特征在于，包括：一第一导电层；一第一绝缘层，设置于所述第一导电层上方；一纳米材料导电层，设置于所述第一绝缘层上方；一第二绝缘层，设置于所述纳米材料导电层上方；以及一第二导电层，设置于所述第二绝缘层上方；其中，在所述第一导电层和第二导电层之间施加一固定电压，以在所述第一导电层和第二导电层之间形成高密度电流，通过所述纳米材料导电层调制所述第一导电层和第二导电层之间的电流强度，从而实现所述纳米材料导电层对所述第一导电层和第二导电层导通与截止的调控。本发明的三端有源器件具有结构简单、易集成、高开口率、工作电流大、工作温度范围宽等优点。
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公开(公告)号：CN102621198A
公开(公告)日：2012-08-01
申请号：CN201210057850.6
申请日：2012-03-07
Applicant: 福州大学
IPC: G01N27/30
Abstract: 本发明公开了一种多元金属氧化物气敏传感器气敏元件及其制备方法。本发明主要是采用电纺丝静电场组装方法在梳齿电极上沉积纳米丝状壳核结构材料，采用低温水热负载方式在梳齿电极上的壳核结构外层包覆气敏薄膜源材料，再进行热处理合成气敏材料。本发明制得的元件上有定向排列近单层金属氧化物复合纳米丝/纳米管气敏材料，可直接装配成气敏传感器，使用方便且具有良好的气敏灵敏度和选择性。制备方法简单，具备显著的经济和社会效益。
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公开(公告)号：CN111952471B
公开(公告)日：2024-04-16
申请号：CN202010828295.7
申请日：2020-08-18
Applicant: 福州大学
IPC: H10K71/12 , H10K71/40 , H10K50/115 , H10K50/155
Abstract: 本发明涉及一种基于Au@SiO2等离子激元增强的量子点发光二极管的制备方法，先制备TFB/Au@SiO2壳核结构纳米颗粒溶液，在ITO玻璃上制备空穴注入层、空穴传输层、以及量子点发光层，随后制备电子传输层和电极，空穴传输层利用TFB/Au@SiO2壳核结构纳米颗粒溶液旋涂制备。本发明制备方法新颖，制作成本低，制备工艺简单，其通过在空穴传输层中掺杂金纳米颗粒，使得空穴传输层的迁移率提升，同时利用等离子激元增强原理提高器件的发光强度，使得电子和空穴在量子点层实现了有效的复合，抑制了俄歇复合的发生，同时降低了开启电压，提高了在同等电压下的发光强度、EQE，可使量子点发光二极管的性能大大提高。有效的解决了叠层量子点发光二极管开启电压过大以及电流密度较小的缺点。
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