一种高芯包同心度的光纤及其制备方法

    公开(公告)号:CN110078366A

    公开(公告)日:2019-08-02

    申请号:CN201910181294.5

    申请日:2019-03-11

    摘要: 本申请涉及一种高芯包同心度的光纤及其制备方法,所述光纤的制备方法为:利用MCVD工艺制备包括内芯层、外芯层、内包层和下陷层的预制芯棒母棒,然后对预制芯棒母棒进行加热拉伸,使拉伸后光纤芯棒的弓曲度小于0.8mm/m,再通过OVD工艺制备外包层,得到光纤预制棒,最后将光纤预制棒直接拉丝或经拉伸后再拉丝得到光纤。本发明制备的光纤预制棒的直径可达218mm,单根预制棒拉纤长度可达到3015km,光纤在1310nm波长处的衰减≤0.311dB/km,在1383nm波长处的衰减系数≤0.272dB/km,在1550nm波长处的衰减系数≤0.171dB/km。

    一种低水峰大尺寸光纤预制棒及其制造方法

    公开(公告)号:CN109665713A

    公开(公告)日:2019-04-23

    申请号:CN201910085731.3

    申请日:2019-01-29

    摘要: 本发明涉及一种低水峰大尺寸的光纤预制棒及其制造方法,制造方法为:利用MCVD工艺先后在作为下限层的掺氟石英管内壁沉积内包层和芯层,获得沉积管,并将沉积管熔缩,得到具有芯层、内包层和下陷层的实心预制芯棒;利用OVD工艺在实心预制芯棒外部沉积外包层疏松体,然后进行烧结处理,得到合成芯棒;利用RIC工艺将合成芯棒与连熔石英套管组合成低水峰大尺寸光纤预制棒。本发明制备的光纤预制棒的直径可达230mm,单根预制棒拉纤长度可达到3300km,光纤在1310nm处的衰减≤0.315dB/km,在1383nm处的衰减系数≤0.268dB/km,在1550nm波长处的衰减系数≤0.175dB/km。

    一种断丝保护装置
    43.
    发明公开

    公开(公告)号:CN109626128A

    公开(公告)日:2019-04-16

    申请号:CN201811637633.8

    申请日:2018-12-29

    IPC分类号: B65H63/036

    CPC分类号: B65H63/036 B65H2701/32

    摘要: 本发明公开了一种断丝保护装置,包括支座、穿线模、杠杆和行程开关,支座设置在放线装置的一侧,连接轴穿过支座顶部,杠杆与连接轴转动连接,杠杆位于水平位置时其处于非平衡状态,杠杆的一端固定有穿线模,穿线模上设置有穿线孔,行程开关位于支座的下部,行程开关与控制系统相连,行程开关通过杠杆一端的转动控制启闭,通过丝线拉动杠杆,使得杠杆在丝线断开时摆动触发行程开关,从而停机保护,保证光缆的质量。

    一种基于铁基涂层超导片的超导磁体

    公开(公告)号:CN108962535A

    公开(公告)日:2018-12-07

    申请号:CN201810647241.3

    申请日:2018-06-22

    IPC分类号: H01F6/06 H01F6/00 H01F6/04

    摘要: 本发明涉及一种基于铁基涂层超导片的超导磁体。超导片和绝缘片可采用圆环形、跑道形或D形片状结构,且两者尺寸大小均相同;绝缘片和超导片交替布置;在超导磁体上下加法兰,并通过绝缘拉杆连接固定。本发明采用超导片,省去了弯曲和绕制环节,制造方便,结构简单,无弯曲半径限制;在形成超导磁体的过程中只是简单堆叠,无变形,对超导材料的通流能力影响很小。在需要更强磁场的场合,将外半径略小于内半径的超导磁体进行组合嵌套。本发明采用液氮提供低温环境,使用杜瓦容器调节温度,采用磁通泵技术对超导磁体励磁,结合高温超导铁基涂层导体、低温液氮冷却和磁通泵三者优势,超导磁体不仅能够产生强磁场,而且还具有功耗小、效率高、结构简单、操作简便的优点。

    一种多单元蝶形引入光缆
    46.
    发明公开

    公开(公告)号:CN118707678A

    公开(公告)日:2024-09-27

    申请号:CN202411203837.6

    申请日:2024-08-30

    IPC分类号: G02B6/44

    摘要: 本发明属于光缆领域,公开了一种多单元蝶形引入光缆,具有加强件、n个蝶形单元、保护套,保护套由外本体、n个连接体、n个内本体构成,连接体及内本体将保护套的内部空间分为中心腔、容置通道、嵌合通道,每个嵌合通道都分别与位于该嵌合通道两端的中心腔及容置通道相连通;每个蝶形单元都由上下同向弯曲的工字本体、位于工字本体内的光纤及增强部件构成;在组装状态时,每个蝶形单元的工字本体嵌入在容置通道、嵌合通道、中心腔内,加强件位于中心腔的中央,加强件与每个蝶形单元的工字本体最内侧的表面相贴合,n≥3,n为正整数。本发明具有结构紧凑、与现有光纤连接器匹配性好、组装更方便、结构更稳定更可靠的有益效果。

    一种芯片的刻蚀工艺在线识别方法及系统

    公开(公告)号:CN118380353B

    公开(公告)日:2024-09-13

    申请号:CN202410825112.4

    申请日:2024-06-25

    IPC分类号: H01L21/67 G08B31/00 G06T7/00

    摘要: 本发明属于芯片刻蚀管理技术领域,具体是一种芯片的刻蚀工艺在线识别方法及系统,其中,该系统包括处理器、刻蚀监控模块、在线处理识别模块、反馈控制模块、控制监管模块和显示预警模块;本发明通过刻蚀监控模块对芯片的刻蚀过程进行实时监控拍摄,在线处理识别模块识别出当前的刻蚀工艺状态,反馈控制模块对芯片的刻蚀过程进行实时反馈控制,控制监管模块将反馈控制模块的控制表现进行检测分析,有效保证针对芯片刻蚀的刻蚀效果和刻蚀效率,且能够对监控摄像异常状况进行逐步评估,以及合理判断相应芯片刻蚀工艺产线的管控风险性并精准评估相应产线的巡检执行表现状况,智能化和自动化程度高。

    一种芯片的刻蚀工艺在线识别方法及系统

    公开(公告)号:CN118380353A

    公开(公告)日:2024-07-23

    申请号:CN202410825112.4

    申请日:2024-06-25

    IPC分类号: H01L21/67 G08B31/00 G06T7/00

    摘要: 本发明属于芯片刻蚀管理技术领域,具体是一种芯片的刻蚀工艺在线识别方法及系统,其中,该系统包括处理器、刻蚀监控模块、在线处理识别模块、反馈控制模块、控制监管模块和显示预警模块;本发明通过刻蚀监控模块对芯片的刻蚀过程进行实时监控拍摄,在线处理识别模块识别出当前的刻蚀工艺状态,反馈控制模块对芯片的刻蚀过程进行实时反馈控制,控制监管模块将反馈控制模块的控制表现进行检测分析,有效保证针对芯片刻蚀的刻蚀效果和刻蚀效率,且能够对监控摄像异常状况进行逐步评估,以及合理判断相应芯片刻蚀工艺产线的管控风险性并精准评估相应产线的巡检执行表现状况,智能化和自动化程度高。

    用于芯片生产的工艺参数控制方法及系统

    公开(公告)号:CN117234171A

    公开(公告)日:2023-12-15

    申请号:CN202311528981.2

    申请日:2023-11-16

    IPC分类号: G05B19/418

    摘要: 本发明公开了用于芯片生产的工艺参数控制方法及系统,涉及智能控制技术领域,该方法包括:获取目标芯片的N个划片工艺生产线;生成N个设备可靠性因子;生成N个监测划片质量数据集;进行偏移分析,生成N个质量偏移因子;确定预设划片工艺参数集;分别基于N个设备可靠性因子和N个质量偏离因子对预设划片工艺参数集的宽容阈值集合进行调整,获得N个调整宽容阈值集合;进行参数寻优,获得N个目标最优工艺参数集合;分别传输至N个划片工艺生产线的N个参数控制单元进行工艺参数控制。本发明解决了现有技术中存在芯片划片质量均衡性差,参数控制效率低的技术问题,达到了提升芯片生产中划片工艺的工艺参数控制质量的技术效果。

    一种电站建设用电缆切割装置

    公开(公告)号:CN115189270B

    公开(公告)日:2022-12-13

    申请号:CN202211091007.X

    申请日:2022-09-07

    IPC分类号: H02G1/00

    摘要: 本发明涉及电缆切割的技术领域,特别是涉及一种电站建设用电缆切割装置,其避免切割过程中电缆发生偏移,并且无需使用任何专用夹具固定电缆,操作简单,无需人员手扶固定电缆,提高切割过程的安全性,提高切割效率,提高使用便利性;包括主体支架、切刀滑座和压紧滑架,主体支架上设置有送料机构,主体支架上设置有两组导滑侧支板,导滑侧支板上固定安装设置有电机支架,电机支架上固定安装有切割电机,切割电机输出端设置有一组驱动铰接片,驱动铰接片与中间摆臂中部铰接,中间摆臂中部铰接设置有切刀摆臂;切刀滑座滑动设置在导滑侧支板上,切刀摆臂底端与切刀滑座顶端铰接,切刀滑座上固定安装设置有刀座,刀座上夹装设置有切刀片。