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公开(公告)号：CN103456842A
公开(公告)日：2013-12-18
申请号：CN201310418670.0
申请日：2013-09-13
申请人： 英利集团有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明提供了一种N型太阳能电池选择性背场的制备工艺测试方法。该测试方法包括：步骤S1：测试用于制备选择性背场的基底的第一方块电阻；步骤S2：在基底的背面进行印刷腐蚀浆料、烘干以及清洗的工艺，得到选择性背场，并测试选择性背场的第二方块电阻；步骤S3：判断第二方块电阻的电阻值是否达到目标值，如果未达到目标值，更换新的基底并重复步骤S1，在步骤S1之后，调节腐蚀浆料的重量和/或烘干的温度，并进行步骤S2；如果达到目标值，步骤S2中的工艺确定为N型太阳能电池选择性背场的制备工艺。本发明的测试方法确定的N型太阳能电池选择性背场的制备工艺可以投入大规模的生产和使用。
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公开(公告)号：CN103433233A
公开(公告)日：2013-12-11
申请号：CN201310371345.3
申请日：2013-08-22
申请人： 英利集团有限公司
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明提供了一种晶硅腐蚀浆料的清洗方法、晶硅太阳能电池及其制作方法。该清洗方法包括：步骤S1，采用弱碱性溶液对残余腐蚀浆料的硅片进行超声清洗；步骤S2，采用纯水将完成步骤S1的硅片进行清洗。采用弱碱性溶液直接清洗弱酸性的腐蚀浆料，在超声作用的配合下，利用化学反应替代现有技术中的纯物理清洗作用，在较短的时间内即可完成，并且能够将处于边角位置的腐蚀浆料通过化学反应快速去除，不仅保证了清洗效果而且在缩短了清洗时间；同时，由于碱性溶液对硅片的主体没有腐蚀作用，因此不会对硅片已有的结构造成影响，进而不会影响以其制作的太阳能电池的效率，反而会由于清洗较为干净进一步提高了太阳能电池的各项性能。
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公开(公告)号：CN103258917A
公开(公告)日：2013-08-21
申请号：CN201310214818.9
申请日：2013-05-31
申请人： 英利集团有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种MWT太阳能电池片的制备方法。该MWT太阳能电池片的制备方法包括以下步骤:S1:在基底背面的第一指定区域印刷扩散掩膜浆料;S2:对带有扩散掩膜浆料的基底进行高温扩散，在基底背面的第一指定区域以外的区域形成背场。根据本发明的MWT太阳能电池片的制备方法，电池所需要的背场是直接形成的，无需再采用额外的工艺去除多余背场，从而避免了因去除多余背场对电池片带来的损伤和杂质，与此同时，还能降低企业生产成本。
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公开(公告)号：CN102800757A
公开(公告)日：2012-11-28
申请号：CN201210309888.8
申请日：2012-08-28
申请人： 英利集团有限公司
IPC分类号： H01L31/18
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明提供了一种N型太阳能电池的制造工艺，包括步骤：1）硅片清洗制绒；2）在硅片的背场面需要印刷栅线的位置处印刷磷浆，所述背场面为掺杂磷杂质的面；3）磷、硼扩散；4）化学清洗表面并激光刻边，使上下两面绝缘；5）双面镀膜；6）印刷正背面电极；7）烧结。该制造工艺在进行磷、硼扩散之前，在硅片的背场面需要印刷栅线的位置处印刷磷浆，使得扩散结束后的电池片上的印刷磷浆区形成高掺杂深扩散区，其他区域形成低掺杂浅扩散区，硅片表面形成高低异质结，使N型太阳能电池获得选择性背场，提高了电池的光电转换效率。由于与腐蚀浆料相比，磷浆价格便宜，故能够降低生产成本。本发明还提供了一种N型太阳能电池。
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公开(公告)号：CN103227244B
公开(公告)日：2016-12-28
申请号：CN201310165039.4
申请日：2013-05-07
申请人： 英利集团有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068
CPC分类号： Y02E10/50 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供一种N型太阳能电池及其选择性背场制备方法。该N型太阳能电池的选择性背场制备方法包括以下步骤：在N型衬底的预定位置印刷磷浆料；将印刷有磷浆料的所述N型衬底进行高温扩散，并通入三氯氧磷气体，形成选择性背场。N型衬底上印有磷浆料的位置形成高掺杂区，没有印刷磷浆料的位置通过三氯氧磷气体的扩散形成低掺杂区，这样就在N型衬底上形成掺杂浓度不同的选择性背场，通过此方法仅通过一次高温过程即可实现选择性背场的制备，避免了多次高温对N型衬底的损伤。
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公开(公告)号：CN103531647A
公开(公告)日：2014-01-22
申请号：CN201310511273.8
申请日：2013-10-25
申请人： 英利集团有限公司
IPC分类号： H01L31/0224 , H01L31/18 , C23C16/44
CPC分类号： Y02P70/521 , H01L31/022475 , C23C14/08 , C23C16/40 , H01L31/1884
摘要： 本发明提供了一种异质结太阳能电池及其制备方法。其中异质结太阳能电池包括衬底，形成在衬底上表面的TCO，以及形成在TCO上的栅极，TCO包括：第一TCO，依据栅线排布结构设置在衬底的上表面；第二TCO，围绕第一TCO覆盖在衬底的上表面，栅极排布在支撑栅极TCO上。本发明所提供的异质结太阳能电池，通过将位于衬底正面的TCO采用具有不同透光率和电导率的两部分组合形成，进而改善n型异质结太阳能电池的FF和jsc，从而降低材料方阻，提高光电转换效率。
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公开(公告)号：CN103367540A
公开(公告)日：2013-10-23
申请号：CN201310261117.0
申请日：2013-06-26
申请人： 英利集团有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/068 , H01L31/0224
CPC分类号： H01L31/068 , H01L31/022425 , H01L31/1804 , Y02E10/547 , Y02P70/521
摘要： 本发明提供了一种背钝化太阳能电池的制作方法，在硅片制备完减反射膜后，首先形成具有镂空图案的背面场，再形成背钝化层，之后形成正电极，通过使背面场先于背钝化层形成，减少了激光开槽的步骤，避免了激光开槽对硅片的损伤；背面场为镂空结构，与背钝化层的接触面积减少，减轻了背面场对背钝化层的侵蚀程度，使背钝化层能够很好地发挥钝化作用，减少了电池背面的载流子复合，这些最终均能提高背钝化太阳能电池的转换效率。由于不需要进行激光开槽，所以简化了生产工艺；背面场为镂空结构，减少了制作背面场所需材料的用量，降低了生产成本；镂空结构的背面场能够减少由于硅铝膨胀系数差别导致的应力弯曲，降低了由电池弯曲引起的电池破碎。
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公开(公告)号：CN103325885A
公开(公告)日：2013-09-25
申请号：CN201310208310.8
申请日：2013-05-29
申请人： 英利集团有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0224 , H01L31/0216
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种P型背钝化太阳能电池及其制作方法，所述方法包括：在电池本体上形成正面减反层和背面钝化层，其中，采用掩膜工艺形成具有预设镂空图案的背面钝化层，所述正面减反层位于所述电池本体的上表面，所述背面钝化层位于所述电池本体的下表面；形成正面电极和背面电极；对正面电极和背面电极进烧结。本申请通过掩膜工艺在电池本体背面形成具有预设镂空图案的钝化层，相对于现有技术，避免了形成钝化层后，对所述钝化层进行刻蚀时对电池本体背面造成损伤，进而避免了在电池本体背面钝化层未覆盖的区域形成载流子复合中心，保证了少数载流子的寿命，从而提高了P型背钝化太阳能电池的转换效率。
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公开(公告)号：CN103066165A
公开(公告)日：2013-04-24
申请号：CN201310039845.7
申请日：2013-01-31
申请人： 英利集团有限公司
IPC分类号： H01L31/18 , H01L31/0352 , H01L31/0224
CPC分类号： Y02P70/521
摘要： 本发明公开了一种N型太阳能电池及其制作方法，所述方法包括：提供一N型硅片，所述N型硅片的下表面包括：背面栅线区域以及背面非栅线区域；在所述下表面形成一层掩膜层；去除所述背面栅线区域的掩膜层；对所述下表面进行第一次N型掺杂，在所述背面栅线区域形成第一N型掺杂区；去除剩余的掩膜层，对所述下表面进行第二次N型掺杂，在所述背面非栅线区域形成第二N型掺杂区，所述第二N型掺杂区的掺杂浓度小于所述第一N型掺杂区的掺杂浓度；对所述N型硅片进行退火处理；形成正面电极结构和背面电极结构，所述正面电极结构位于所述N型硅片的上表面，所述背面电极结构位于所述N型硅片的下表面。该方法保证了硅片的机械强度，电池片不易破碎。
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